Timoshenko-Euler楔形梁有限元

本文首先建立楔形梁包含轴力和剪切变形效应的平衡微分方程，由于该方法是二阶变系数微分方程，其争析解很难得到，本文通过将该方程中的变系数和方程的解用Chebyshev多项式逼近得到了Timoshenko-Euler楔形梁的单元刚度方程，最后通过算例检验了所得单元刚度方程的对称性，以及验证了计算悬臂梁挠度和悬臂柱弹性临界力的正确性及其收敛性，本文提出的方法可适用于任意变截面Timoshenko-Euler梁单元刚度方程的求解，运用此方法，除可以考虑轴力和剪切变形的影响外，还可以减少结构分析中的单元数和自由度，提高包含楔形构件的结构分析的精度和速度。     

火灾(高温)下索网结构计算的连续化方法

对于火灾(高温)下索网结构的响应,通常基于有限元法利用计算机进行数值模拟,而商用程序的"黑箱"效应不利于对高温下索网结构反应本质的理解.对于单索和索网火灾下的反应,采用温度离散的方法,考虑钢绞线在高温下的力学特性,推导了索结构的高温反应计算式.结果表明,该方法与非线性有限元的计算结果吻合较好.     

考虑剪力滞后效应的钢-混凝土组合梁力法单元

本文通过在Newmark模型中引入翘曲形函数来描述楼板纵向位移的横向非均匀分布．然后采用虚余功原理建立了考虑剪力滞后效应的钢—混凝土组合梁力法单元。该力法单元严格地满足平衡条件．而仅在积分意义上满足变形协调条件，但具有与通用位移有限元法相一致的刚度矩阵形式。由于受平衡条件的限制结点外力不相互独立，而翘曲位移引起的双弯矩和双剪力使得内力关系变得非常复杂，本文给出了推导力法梁单元内力形函数的通用方法。此外．本文还考虑了梁间荷载的存在对内力形函数的影响。算例分析表明，所提出的力法单元有较高的精度，并发现：在有梁间分布荷载时．采用将梁间分布荷载等效为结点荷载的方法将显著降低应力的精度，而采用高次力法单元对于提高情度没有明显的作用。     

层状压电压磁弹性介质空间问题的数据分析与处理

从横观各向同性层状压电压磁弹性介质空间问题出发，利用状态变量法和0层面的边界条件，得到适用于计算不同状态变量的关系矩阵，以及状态变量表示的多层压电压磁弹性介质在Hankel变换空间中的解。在选择性计算的基础上，对不同的状态变量分别采用各自的方式修正关系矩阵，有效地避免了直接计算所产生的计算结果失真现象。为解决诸如此类的更复杂的问题奠定了理论基础。     

自洽半经典Sum rule方法研究巨共振的平均性质

从同一扩展Skyrme力出发,用自洽半经典方法确定球形核基态密度分布ρ_n和ρ_p,用Sum rule方法计算强度函数矩m_(-1)~λ,m_1~λ和m_3~λ,从而具体计算了isovector巨单极,巨偶极和巨四极共振的平均激发能量,以及isoscalar巨单极和巨四极共振的宽度,部分结果同实验事实做了比较.     

208pb及其同位素基态性质的Hartree-Foci及自洽半经典研究

以扩展Skyrme力S I ,SKa和GS2为基础，对xoapb及其同位素}oapb} }mpb的核子密度，均方根半径以及中子皮厚度等作了Hartree-Fock (HF)及自洽半经型计算(SCSC).计算结果互相作了比较，并同实验事实作了比较，以检验HF方法，SCSC方法以及Skyrme力对重核的适用性.     

关于弱合数的分布

Some asymptotic formulas related to the weakly composite numbers are given in this paper.     

~(208)Pb及其同位素基态性质的Hartree-Fock及自洽半经典研究

以扩展Skyrme力SⅡ、SKa和GS2为基础,对~(208)Pb及其同位素~(206)Pb、~(210)Pb的核子密度,均方根半径以及中子皮厚度等作了Hartree-Fock(HF)及自洽半经型计算(SCSC).计算结果互相作了比较,并同实验事实作了比较,以检验HF方法,SCSC方法以及Skyrme力对重核的适用性.     

1064 nm纳秒脉冲激光诱导硅表面微结构研究

利用Nd:YAG纳秒激光(波长为1064 nm)在不同气氛(空气、N₂,真空)中对单晶硅进行累积脉冲辐照,研究了表面微结构的演化情况.在激光辐照的初始阶段,与532和355 nm纳秒脉冲激光在硅表面诱导出波纹结构不同,1064 nm脉冲激光诱导出了微孔结构和折断线结构,并且硅的晶面取向不同,相应的折断线结构也不同.对于Si(111)面,两条折线交角为120°或60°,形成网状;而对于Si(100)面,两条折断线正交,从而将表面分成了15—20 μm的矩形块.结果表明,微孔结构的生长过程主要与相爆炸有关,而折断线的形成主要是热应力作用的结果.不同气氛对微结构形成的影响表明,刻蚀率和生长率与微结构的形成有密切的关系. 关键词： 纳秒激光 硅的微结构 相爆炸 热应力     

Surface Morphology of GaAs/In0.3Ga0.7As in an Elastic Field of Static Point Defects

The surface morphology InGaAs layers with In composition of 0.3 on GaAs （001） substrates are simulated by the phase field method. We investigate the influence of the strain field induced by static point defects on surface morphology of the InGaAs thin film. Our simulation demonstrates that the rms roughness of the thin film surface is strongly dependent on the density and magnitude of the randomly distributed point defects. Point defects near the thin film surface can produce a relatively large change of the surface morphology. The influences of thin film thickness on the surface morphology with different defect distributions are illustrated in the simulations. Additionally, a combination of experiment and theory is used to examine the influence of the defect density and magnitude on the surface morphology and roughness.