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101.
Improved efficiency droop characteristics in an InGaN/GaN light-emitting diode with a novel designed last barrier structure 下载免费PDF全文
<正>In this study,the characteristics of nitride-based light-emitting diodes with different last barrier structures are analysed numerically.The energy band diagrams,electrostatic field near the last quantum barrier,carrier concentration in the quantum well,internal quantum efficiency,and light output power are systematically investigated.The simulation results show that the efficiency droop is markedly improved and the output power is greatly enhanced when the conventional GaN last barrier is replaced by an AlGaN barrier with Al composition graded linearly from 0 to 15% in the growth direction.These improvements are attributed to enhanced efficiencies of electron confinement and hole injection caused by the lower polarization effect at the last-barrier/electron blocking layer interface when the graded Al composition last barrier is used. 相似文献
102.
103.
通过X射线衍射、磁测量及正电子湮没谱等手段研究了Tb2AlFe16-xMnx(x=1—8)化合物的结构和磁性.X射线衍射研究结果表明Tb2AlFe16-xMnx化合物具有六角相的Th2Ni17型结构.室温下的正电子湮没实验研究表明,Mn对Fe的替代导致化合物中的铁磁相互作用减弱,并且化合物中存在着较强烈的磁弹耦合效应.磁测量研究结果表明,Mn的替代导致Tb2AlFe16-xMnx化合物的居里温度及自发磁化强度急剧下降.
关键词:
2AlFe16-xMnx化合物')" href="#">Tb2AlFe16-xMnx化合物
磁弹耦合效应
居里温度 相似文献
104.
Photoluminescence of GaAs0.973Sb0.022N0.005 is investigated at different temperatures and pressures. Both the alloy band edge and the N-related emissions, which show different temperature and pressure dependences, are observed. The pressure coefficients obtained in the pressure range 0-1.4GPa for the band edge and N-related emissions are 67 and 45meV/GPa, respectively. The N-related emissions shift to a higher energy in the lower pressure range and then begin to redshift at about 8.5GPa. This redshift is possibly caused by the increase of the X-valley component in the N-related states with increasing pressure. 相似文献
105.
106.
107.
The upconversion luminescences of YAlO3:Er3+ phosphor co-doping with different Gd3+ concentrations are investigated under the excitation of 980- and 532-nm diode lasers. A near ultraviolet upconversion emission at 410 nm is observed in YAlO3 under 532-nm excitation. Moreover, the inactive Gd3+ ions can improve the upconversion intensity efficiently in a certain range of concentration. Under 980-nm excitation, the visible upconversion emissions at 546 and 646 nm are enhanced by about 10 and 8 times at the Gd3+ concentration of 40%, respectively. The upconversion emission at 410 nm under 532-nm excitation is also enhanced by 7 times. The substitution of Gd3+ ions for Y3+ sites changes the local symmetry of Er3+, leading to the improvement of upconversion efficiency. 相似文献
108.
分离式热管换热器传热特性的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在自行设计分离式热管实验装置的基础上,对其传热特性进行了实验研究。其工作温度为170~250℃,热流密度为25~50 kW/m~2。蒸发段和冷凝段构成相同,均是由7根直径30 mm的无缝钢管短管束组成,管长为160 mm,带有紧套的钢帛环形肋片结构尺寸为:外径45 mm、厚1 mm、片间距4 mm。实验结果表明,在本实验条件下,分离式热管的最佳充液率按管束总容量计为18%~38%。根据实验结果拟合了最佳充液率(24%)下蒸发段内部平均沸腾换热系数和冷凝段内部凝结换热努塞尔数综合关系式。 相似文献
109.
设计并制作了用于测量波长大于150 μm(频率低于2 THz)的太赫兹波波长的金属网栅法布里珀罗干涉仪(FPI)。采用光电子微纳制造工艺制作了五组周期不大于40 μm,线宽不大于10 μm的有衬底方形金属网栅,利用太赫兹时域光谱技术测量了金属网栅的太赫兹波段光电特性,得到了各组金属网栅在感兴趣频段的反射率和金属网栅FPI的反射精细度,结果表明所制作的金属网栅FPI均可用于测量波长大于150 μm的太赫兹波。实验搭建金属网栅FPI扫描测量了212 μm的太赫兹波波长,与理论结果吻合。研究了金属网栅FPI对太赫兹波偏振方向的依赖性以及对FPI腔镜平行度的要求,结果表明,方形金属网栅FPI对正入射太赫兹波偏振方向不敏感,而对FPI腔镜平行度很敏感。 相似文献
110.
Four-mode continuous-variables entangled state: generation from beam splitter, a parametric down-conversion and a polarizer 下载免费PDF全文
We introduce a new kind of four-mode continuous variable entangled
state in Fock space. The completeness relation and the partly
nonorthonormal property of such a state are proven. The scheme to
generate this state is presented by combining a symmetrical
beamsplitter, a parametric down-conversion and a polarizer. After
making a single-mode quadrature amplitude measurement, the remaining
three modes are kept in entanglement. And its applications are also
discussed. 相似文献