量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响

利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中,保持NH₃流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了量子垒生长速率对LED性能的影响。使用二次离子质谱仪(SIMS)和荧光显微镜(FLM)分别对量子阱的阱垒界面及晶体质量进行了表征,使用电致发光测试系统对LED光电性能进行了表征。实验结果表明,垒慢速生长,在整个测试电流密度范围内,外量子效率(EQE)明显提升。我们认为,小电流密度下,EQE的提升归结为量子阱晶体质量的改善;而大电流密度下,EQE的提升则归结为阱垒界面陡峭程度的提升。     

无水坝抽水蓄能系统高压溶气问题研究

无水坝抽水蓄能系统利用封闭容器内的高压气体构建虚拟水坝,是兼具压缩空气储能和抽水蓄能优点的新型储能系统。但该系统的封闭容器内水和气在高压状态共存有可能造成水中溶气,从而对水轮机造成汽蚀等破坏。本文采用实际气体状态方程及分子动力学模拟方法,研究了宽广的压力、温度范围下气体在水中的溶解及扩散规律,揭示了水中气体溶解量随时间和水深的变化规律。研究结果表明释能结束后保证水-气共容舱内剩余水的高度大于0.5 m时,高压溶气不会对水轮机产生危害,该结论对系统的工程应用及推广具有指导意义。     

PbCl_2分子的光解离

用YAG激光的四次谐波光解离PbCl_2分子。实验确认了这种光解过程是双光子过程。通过对激光诱导荧光的测量,发现这一光解过程造成了Pb原子的亚稳态6p~2~3P_2与基态6p~2~3P。间的粒子数反分布。同时观察到基于6p~2~3P_2能级的受激共振辐射及受激喇曼散射。     

1:1分步亚微米光刻镜头

本文介绍一个数值孔径0.4、视场10×10mm~2可用于1:1分步投影光刻机的镜头的光学设计及其模型实验结果.光学设计在Wynne-Dyson的1:1折反式系统的基础上,对该系统作了某些改变.实验结果表明,该镜头具有亚微米的光刻分辨率.     

紫外激光消融有机物的理论和实验研究

本文分析了紫外准分子激光对有机材料的消融过程,用理论模型解释了每个激光脉冲对有机材料的消融量与入射激光能量密度之间的关系.对于有机玻璃.当入射激光能量密度较高时,双光子过程将起主要作用.最后讨论了消融率随有机材料吸收系数之间的关系,对吸收系数较小的材料,消融率随吸收系数改变有一个极大值.     

有旋转效应和流片厚度变化的叶轮机械边界层的积分方程求解法

一、前言 在叶轮机械中,气体通过高速旋转的压气机和透平转子,计算时一般采用非惯性坐标系统,即把坐标系统取在转子上,于是动量方程中就出现了离心力和科氏力项,边界层方程中也包含这些项.另外,用S_1和S_2两类流面迭代的计算中,如果要在S_2流面上求解边     

用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷

对充分退火纯镍多晶体样品分组进行了恒应变幅拉-压疲劳试验和冷轧形变后,测量了正电子湮没参数;并选少数疲劳试样进行了电子显微镜薄膜衍射象观察。用多指数拟合方法从疲劳试样的正电子湮没寿命谱中分解出与正电子在小空位团中湮没相应的成份。这些寿命值在不同疲劳阶段分别平均为209,255和>300ps。其相对强度的变化与小空位团浓度增加然后尺寸增大的趋势相符合。从而,本文根据正电子湮没技术提供了纯镍多晶体疲劳过程中除大量位错外空位聚集的实验证据。利用简单三态正电子捕获模型估算了上述缺陷浓度。本工作还提供了用多指数拟合方法分解复杂寿命谱和用于简单三态捕获模型的例证。 关键词：     

掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究

本文研究了掺Cr半绝缘GaAs中²⁸Si⁺注入后的载流子浓度分布尾,包括退火温度和时间的影响。应用计算机模拟了分布尾对GaAsMESFET器件输出特性的影响,与实测结果符合,表明分布尾会造成器件输出特性异常。讨论了产生分布尾的原因,认为与GaAs衬底中残留Si等浅施主杂质和高温退火时Cr再分布有关。 关键词：     

關於我國歷史上物理學的成就的參考文件

我們的祖國有着悠久的歷史与高度發達的文化,在物理學上也有着无比光輝的成就。這些成就的原始材料散見在千千萬萬本的古書上,而且在目前尚缺已经整理過的有系统的完整的著作,要找到这方面的參考資料確是很困難的。但是关于某一部分、某一件事,或某一科學家的文件现在还可以找到一些。在這些文件中,有的質量較好,内容丰富,觀點正確,有參考的价值;但也有不少質量很低,时常過分渲染,牵强附會,缺乏科學性,不能做為認真的參考资料。現在仅就物理教學上的需要,在已出版的文件中的名稱,加以摘录,而以目前全國各地較易得到的和較好的文件為选择的範围。凡出版過早,及僅發表于報章而沒有單行本的文件,都沒有摘錄。限於筆者的見聞,选择可能很不妥当,更難周全,希望其他讀者提出意見,俾得补充修正。並且在所列文件中,如認為有欠妥的地方,希望能向原作者提出,或寫出專文討     

含切口的压电准晶组合结构界面断裂分析的辛-等几何耦合方法

发展了一种适用于含有切口的压电准晶/压电晶体/弹性体三材料组合结构界面断裂问题的高精度的半数值半解析方法.首先,通过引入Hamilton体系建立了三材料组合结构的Hamilton对偶方程,将原问题在传统Lagrange体系下的高阶偏微分控制方程转化为低阶常微分方程组.其次,通过分离变量法求解问题对应的辛本征值和本征解,将各物理场变量利用辛级数展开形式表示.最后,将辛级数与等几何分析方法相结合,获得了辛-等几何耦合列式,直接求得切口尖端附近奇异物理场及其强度因子的解析表达式.