Variation of Ionization Mechanisms with q in the Collision of He^2＋ with C^q＋

The ionization process in the collisions of He^2＋ with C^q＋ （q = 0-5） is investigated by using the continuum-distorted-wave eikonal-initial-state approximation. Double-differential cross sections for 1s and 2s sub-shells are obtained at the electron-ejected angle θ = 0° with the projectile energy ranging from 30keV/u to 10MeV/u. Variation of ionization mechanisms with q in C^q＋ is studied, and the dependences on the projectile energies and target sub-shells are also discussed. It is found that in the whole energy range, the absolute values of soft collision （SC） and binary encounter （BE） peaks decrease with increasing q. For the lower incident energies, the electron capture to the projectile continuum （ECC） peak decrease with increasing q as well as SC and BE peaks. For the higher incident energies （〉 1 MeV/u）, the absolute value of ECC peak increases with increasing q, so that the crossings of cross sections appear for C^q＋ with different q. This can be explained by the matching of velocities between the projectile and the electron initially bound to the target.     

均聚物结晶与熔融化转变的稳态和亚稳态统计理论Ⅳ 分子分凝统计结晶动力学~结晶增长区域的区划和它们对温度和生长机制的依赖性

首先对高分子结晶增长动力学的实验规律进行全面总结,并指出了当前高分子结晶增长动力理论中存在的难题.然后按我们建议的评估微晶粒尺寸增长速率的新方法推导出了四种不同微观生长机制(折叠、伸直、折叠同伸直并联并存和折叠同伸直串联并存等方式)下微晶粒高分子链组的微晶粒尺寸增长速率定量表征式,又导出了四种不同生长机制下微晶粒尺寸增长速率同结晶温度和过冷温度间关系的表达式.根据四种不同微观生长机制同宏观增长方式差别和它们出现的结晶温度同过冷温度之积值高低,可把结晶动力学的结晶增长区域图中三组交叉线区划为三个不同增长区域,最后又根据三个增长区的理论关系式讨论了增长区中晶体形貌同结晶温度和过冷温度间的相关性,其理论预测能同近期实验观测基本符合.     

重粒子碰撞过程理论研究

应用全量子的分子轨道强耦合方法和经典径迹蒙特卡罗方法计算从低能到高能的离子与原子和分子碰撞反应截面和速率系数。在分子轨道强耦合计算中，采用从头计算法得到的绝热分子势能面和径向、转动耦合矩阵元，经过幺正变换后，求解强耦合方程组。本以Si^3 离子与氢原子碰撞过程为例，计算了重粒子碰撞过程中发生的电荷转移、碰撞电离和碰撞激发截面和速率系数，并与现存的理论结果和实验测量进行了对比。     

绕任意轴μ旋转φ对应的欧拉角的新求解公式

首先回顾了如何根据欧拉角得到转动操作的表示矩阵，然后应用余弦定理、简单的几何关系以及群的特征标理论得到了求解绕任意轴μ旋转φ对应的欧拉角的新公式，最后利用得到的公式求出了绕通过原点和（1，1，1）点的直线旋转2π／3的欧拉角，从而验证了所得公式的正确性。     

Bi^80＋辐射复合过程的多极计算

基于Dirac—Slater自洽场方法，中计算了Bi^79 离子从低能到高能的光电离截面；研究了半经典类氢近似Kramer公式的适用性；考察了多极效应、相对论效应在不同能区对光电离截面的影响；计算了Bi^80 离子在电离闲值附近的辐射复合截面和辐射复合速率系数，并将计算结果同高精度的储存环合并束实验结果进行了对比。     

单向瞬态电压抑制二极管的参数提取

在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难。为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息。通过X光成像、扫描电子显微镜（SEM）及杂质染色等技术手段,获得了该器件PN结正对面积大小、PN结深度等结构参数。通过实验测量了二极管的反向击穿电压和电容曲线,结合数值计算,推导出了二极管的杂质浓度。利用本次实验获得的参数,结合数值计算的结果,建立了该型号二极管的真实半导体物理模型。对该模型进行了数值仿真,计算了器件的伏安响应曲线并与实验值进行了比对,计算结果与实验值吻合较好。本次的方法除了可以直接用于PN结型器件的建模外,也为其他器件物理模型的建立提供了参考,可在半导体器件效应数值模拟研究中得到应用。     

计算电磁学研究中的V&V方法概述

随着数值模拟在电磁学研究中发挥的作用越来越大,验证与确认技术也越来越得到研究者的重视。介绍了验证与确认(VV)技术的基本概念、发展简况、具体研究对象和研究方法。总结和概括了目前国内外在电磁场计算中已经开展的VV研究工作,介绍了IEEE制定的计算电磁学建模与模拟确认标准。介绍了本单位目前在程序验证、物理模型误差分析、计算模型参数提取等方面开展的VV工作,讨论了VV研究在计算电磁学中发挥的作用及可能的研究方向。     

FOI-PERFECT程序对电磁驱动高能量密度系统的三维弛豫磁流体力学模拟

提出一个完整的弛豫磁流体力学模型用于电磁驱动高能量密度系统的数值模拟, 它由弛豫电磁波动、弛豫热输运、P1/3近似辐射输运以及流体力学构成。电磁部分在真空区退化为电磁传播, 在等离子体物质区退化为磁扩散近似, 并且相速和群速是有上界的。这意味着弛豫磁流体力学能退化到传统的电阻性磁流体力学, 并且能用显式方法数值求解, 便于大规模高效并行化。基于此弛豫磁流体力学模型开发了三维辐射磁流体力学程序FOI-PERFECT, 指出了所采用的关键数值技术, 并给出了一些应用例子。     

钡离子在玫红酸钠修饰碳糊电极上电化学固相微萃取研究

本文以电化学活性的玫红酸钠修饰碳糊电极,利用玫红酸盐与钡离子的络合效应,实现钡离子的电化学固相微萃取。以循环伏安法研究了钡离子的固相微萃取及其最佳实验条件。固相微萃取的动力学符合S形曲线模型,获得表观一级反应速率常数为2.183 min-1。固相微萃取的热力学遵循Freundlich等温吸附模型,吸附常数为n=11.4,k=1.025。     

光谱诊断与特征谱线输运

利用经过评估的原子过程参数,研究发现惯性约束聚变等离子体的特征发射光谱的共振线强度比值、伴线与共振线强度比值时等离子体温度变化很敏感,而特征谱线的线形函数对等离子体密度变化较敏感.结合特征谱线的一维输运方程研究,分析了中国工程物理研究院最近几年惯性约束聚变的内爆实验测量结果,得到了一些发次对应的等离子体温度和密度状态.