首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   382篇
  免费   207篇
  国内免费   191篇
化学   234篇
晶体学   8篇
力学   59篇
综合类   2篇
数学   28篇
物理学   449篇
  2024年   5篇
  2023年   14篇
  2022年   13篇
  2021年   18篇
  2020年   19篇
  2019年   10篇
  2018年   17篇
  2017年   8篇
  2016年   38篇
  2015年   25篇
  2014年   40篇
  2013年   54篇
  2012年   34篇
  2011年   34篇
  2010年   37篇
  2009年   60篇
  2008年   33篇
  2007年   43篇
  2006年   46篇
  2005年   37篇
  2004年   37篇
  2003年   18篇
  2002年   14篇
  2001年   25篇
  2000年   14篇
  1999年   11篇
  1998年   10篇
  1997年   7篇
  1996年   14篇
  1995年   4篇
  1994年   10篇
  1993年   3篇
  1992年   3篇
  1991年   7篇
  1990年   6篇
  1989年   2篇
  1988年   2篇
  1987年   1篇
  1986年   2篇
  1985年   3篇
  1984年   1篇
  1982年   1篇
排序方式: 共有780条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
提出了一种基于贝叶斯验后概率的序贯检验方法,建立了检验的判别准则,给出了判别准则临界值的计算方法。在给定截尾实验次数的条件下,提出了一种截尾方案,建立了截尾判断方法。将其用于解决验证效应物在微波作用下失效概率达到给定水平的微波效应实验设计问题,给出了相应的实验方案和所需样本量的估计。最后,通过实例对上述方法的应用过程进行了说明,并和现有方法进行了分析比较。  相似文献   
2.
金属卤化物钙钛矿因其颜色可调、颜色纯度高、光电性能好而备受关注,因而广泛应用于显示、照明等领域.近年来,对于钙钛矿发光二极管(perovskite light emitting doides, PeLEDs)的研究也越来越热门,要获得高性能PeLEDs,其发光层-钙钛矿薄膜的质量是关键因素之一.本工作采用离子化合物四苯基氯化膦(tetraphenylphosphinium chloride, TPPCl)作准二维钙钛矿薄膜的添加剂,制作了具有双电子传输层的高性能准二维PeLEDs.其最佳器件的最大亮度(25285 cd/m2)、最大电流效率(65.9 cd/A)和最大外量子效率(17.3%)分别是控制器件的4.1, 7.2和7.2倍.通过对其光电性能提高的物理机理进行研究,发现TPPCl的引入不仅可以提高钙钛矿薄膜的质量,减少缺陷,还可以调节结晶相的分布,从而更好地将激子限制在发光层中,最终在能量漏斗效应的辅助下获得更好的光致发光和电致发光性能.  相似文献   
3.
本文描述了多模梯度石英光纤的拉丝、涂杂技术及其对光纤性能影响,对于GeO_2-P_2O_5-SiO_2三元系采用该技术可望获得强度~100kpsi,0.85μm损耗~2.5db/km,1.30μm损耗~0.7db/km,丝径125±3μm的涂复均匀、同心度良好的一次涂复光纤。文后列有一批反映工艺重复性的数据。  相似文献   
4.
15O(α,γ)19Ne(p,γ)20Na反应链是高温CNO循环向快速质子俘获过程突破的一条关键路径,相关的反应率输入量可通过20Mg的β衰变可布居19Ne共振态并测量其衰变性质来获得。通过高效率高精度地测量20Mg β衰变中产生的质子与γ射线得到了20Mg衰变的详细信息,并构建了完整的衰变纲图,还进行了19Ne 4 033 keV共振态衰变性质的探索,获得了该态在20Mg β衰变中被布居的分支比上限。通过比20Mg和20O镜像能级跃迁的结果确认了同位旋非对称性,为检验相关理论模型提供了精确的实验数据。对于突破路径中有重要影响的19Ne 4 033 keV共振态的性质,有待更高统计的实验进一步研究。The breakout from the hot CNO cycle to the rapid proton capture process can occur via the 15O(α,γ)19Ne(p,γ)20Na reaction sequence, and the β decay of 20Mg can be used as an alternative method to characterize some specific resonances, which will provide detailed nuclear structure input for reaction rate calculations. The reliable information on the decay properties and structure of 20Mg was obtained by measuring the emitted particles and γ-rays in the β decay with high efficiency and high resolution. Attempt was also made to search for the decay channels associated with the 4 033 keV resonance in 19Ne. To test fundamental symmetries, the transitions in the mirror decays of 20Mg and 20O were compared. The precise experimental data presented here would be important to constrain the theoretical calculations. It is desirable to clarify the astrophysically relevant problem by further experiments with improved statistics on the basis of the present work.  相似文献   
5.
本研究通过壳模型计算研究了N=51的同中子素91Zr、93Mo和95Ru中高自旋晕态21/2+的同核异能态现象。计算发现,低角动量的p1/2轨道上的质子是仅在93Mo中存在21/2+晕阱的主要原因。同时,本工作还研究了N=52的同中子素92Zr、94Mo和96Ru中101+-121+能级结构的系统性,发现94Mo中的101+-121+能级间隙相对最小,考虑到与93Mo的17/21+-21/21+能级相似的组态,这一结果为93Mo中出现21/2+晕阱提供了补充性的论证。Isomerism of the high-spin yrast 21/2+ states of the N=51 isotones 91Zr, 93Mo and 95Ru has been investigated using the shell model calculations. It is found that the low-j πp1/2 is responsible for the only yrast trap in 93Mo. In addition, the relatively smaller 101+-121+ level spacing in 94Mo has been found by investigating the systematics of the 101+-121+ level structures in the N=52 isotones 92Zr, 94Mo and 96Ru. This result provides a supplementary argument to the origin of the 21/2+ yrast trap in 93Mo from the viewpoint of the similarity between the configurations of 101+-121+ states in 94Mo and those of 17/21+-21/21+ states in 93Mo.  相似文献   
6.
大功率0.34 THz辐射源中慢波结构的优化设计   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
李爽  王建国  童长江  王光强  陆希成  王雪锋 《物理学报》2013,62(12):120703-120703
为研制大功率太赫兹源, 提出以切连科夫表面波振荡器为基础, 采用过模结构来研究0.34 THz信号的产生. 重点研究了慢波结构的各参数对器件输出性能的影响, 对慢波结构进行了优化设计, 并采用数值模拟方法, 对慢波结构实际参数的选取和实验中所允许的加工精度提了具体要求; 最后采用粒子模拟对该结构进行了"热腔"模拟计算. 结果表明该结构能够产生频率为0.34 THz, 输出功率约为7.8 MW的太赫兹信号, 并且稳定工作于表面波振荡器状态. 该结果为下一步0.34 THz太赫兹源的研制奠定了基础. 关键词: 表面波振荡器 慢波结构 太赫兹 粒子模拟  相似文献   
7.
在球形相对论平均场模型下, 采用NLSH相互作用全面研究了从Sn质子滴线核到Sn中子滴线核的自旋对称性和赝自旋对称性. 发现: 1) 随着核子数的增大, 中子和质子的赝自旋波函数劈裂基本上都是减小的, 并且质子的变化趋势更加明显. 中子高能级的自旋波函数劈裂随着核子数的增大也是减小的. 2) 对于特定的同位素, 当n=1时, 赝自旋波函数劈裂随着l的增大而增大. 当n=2时, 中子的自旋波函数劈裂随着l的增大而增大. 当l=2或l=3时, 中子的自旋波函数劈裂随着n的增大而增大. 3) 中子和质子的赝自旋劈裂之间的差别总是比自旋劈裂的差别更大一些.  相似文献   
8.
The 3s–np photoionization processes of the ground state 2P1/2 and the metastable state 2P3/2 of Ar5+ are investigated using our recently developed relativistic R-matrix code, where the interactions between the bound states and the continuum states are included. Both resonance positions and the oscillator strengths are in much better agreement with the absolute experimental measurements by Wang et al.[Wang J C, Lu M, Esteves D, Habibi M, Alna’washi G and Phaneuf R A 2007 Phys. Rev. A 75 062712] with a resolution of 80 meV than their theoretical results. The contributions of the two experimental unresolved transitions are distinguished in our calculations, which show that the transitions from the ground state also make significant contributions to some resonances. Our theoretical results are also in good agreement with the measurements for the first resonance with a higher resolution of 20 meV.  相似文献   
9.
左应红  王建国  范如玉 《物理学报》2013,62(24):247901-247901
热场致发射阴极所产生的强流电子束具有很强的空间电荷效应,为研究该效应对热场致发射过程中诺廷汉(Nottingham)效应的影响机理,在理论分析的基础上,用数值方法研究了不同逸出功和多个外加电场条件下考虑空间电荷效应对诺廷汉效应结果的影响,并与不考虑空间电荷效应时的情形进行了对比. 结果表明:空间电荷效应的强弱会显著影响到阴极表面的稳态电场,进而对诺廷汉效应产生不可忽略的影响;当逸出功在3.0–4.52 eV、外加电场在3×109–9×109 V/m范围内时,考虑空间电荷效应的影响后,热场致发射电子所带走的平均能量较不考虑空间电荷效应时增加0–2.5 eV,且温度越高或外加电场越大时,该增加值越大;考虑空间电荷效应对诺廷汉效应的影响后,热场致发射电子从阴极带走的平均能量随外加电场的增加呈非线性下降规律;当阴极表面温度较高时,诺廷汉效应中的冷却效应随二极管间隙距离的变大而增强. 关键词: 热场致发射 诺廷汉效应 空间电荷效应 阴极表面电场  相似文献   
10.
1 Introduction  TheGaussianbeamisthefundamentalshapeofthelaserwithaspherical mirrorresonatorandwidelyusedtodescribeasinglemodelaser.Intheparaxialapproximation ,thedistributionofcomplexamplitudeofitremainsunchangedwhenitundergoestheFouriertransformorthe…  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号