Ab Initio Calculations of Differential Cross Sections for Single Charge Transfer in ^3He^2＋ ＋ ^4He Collisions

The single charge transfer process in ^3He^2＋ ＋ ^4He collisions is investigated using the quantum-mechanical molecular- orbital close-coupling method, in which the adiabatic potentials and radial couplings are calculated by using the ab initio multireference single- and double-excitation configuration interaction methods. The differential cross sections for the single charge transfer are presented at the laboratorial energies E = 6 keV and lOkeV for the projectile ^3He^2＋. Comparison with the existing data shows that the present results are better in agreement with the experimental measurements than other calculations in the dominant small angle scattering, which is attributed to the accurate calculations of the adiabatic potentials and the radial couplings.     

O3+与氦原子碰撞过程的CTMC计算

应用经典径迹蒙特卡罗方法研究了O3+离子与氦原子碰撞的各种反应过程.基于使用多个系统总能量U值,对初始电子的微正则分布进行了优化,使其更接近于量子力学的径向空间分布.作为检验,首先在独立电子模型近似下计算了He2+与氦原子碰撞的各种反应过程,通过与实验的比较,发现对氦原子靶,优化极大地提高了计算精度.计算了O3+与氦原子随入射离子能量变化的各种反应过程截面,特别是单电子丢失、双电子丢失的总截面,以及转移电离截面与单俘获截面的比值,并与实验进行了比较,发现单双电子丢失截面与实验符合得很好,但在大于200 keV/u的能区,转移电离截面与单俘获截面的比值与实验有较大的差距,这表明独立电子模型需要进一步改进.     

复合振子天线辐射特性的数值模拟

 讨论了由电单极子和磁振子组合而成的复合振子天线结构和工作原理,用时域有限差分方法模拟了天线的辐射特性,计算了天线从同轴线的馈电效率,对于单极脉冲和双极脉冲馈源,馈电效率分别为65%和81%。给出了天线的电压驻波比、辐射近场和远场、能量方向图等。模拟结果表明：在H面内辐射方向图是轴线对称的,其形状是心型;在E面内,方向图关于轴线不对称,辐射最大值方向向上偏离大约15°。这种天线具有宽带特性和较高的馈电效率,适合于超宽带电磁脉冲辐射的天线阵列的应用。     

微波谐振腔的瞬态响应研究

应用非正交网格时域有限差分算法，模拟了在高斯脉冲和高斯脉冲调制正弦波激励下有激励孔微波谐振腔的激励和谐振过程，分析了谐振频率。模拟结果表明；在微波谐振腔内，激发出了最接近脉冲激励源主频的若干个谐振态。     

大型双反射面天线近轴区辐射FDTD-TDPO模拟

针对大型双反射面天线尺寸过大、使用单一的时域方法无法单独模拟其远区辐射特性,以及使用单一的高频近似技术无法给出准确结果的局限,给出了用于大型双反射面天线时域辐射模拟的并行时域有限差分(PFDTD)-并行时域物理光学(PTDPO)混合方法。先创建两个用于并行计算的进程组,一个用于PFDTD计算,另一个用于PTDPO计算; 再根据PFDTD方法计算出双反射面天线馈源的近磁场,同时根据这些磁场使用基尔霍夫表面积分表达式(KSIR)并行计算出次反射面上及其附近的磁场,再使用KSIR并行计算出主反射面上的磁场; 最后使用PTDPO方法计算出双反射面天线的远区辐射场的瞬态响应。同时,还给出主反射面口径为40个波长的Cassegrain双反射面天线的算例,并对馈源相同而口径尺寸不同的双反射面天线进行近轴区的时域辐射模拟。     

O3+与H2碰撞中非解离电荷转移过程的全量子计算

应用全量子的分子轨道强耦合方法,研究了基态的O3 (2s22p 2P)与氢分子碰撞的非解离电荷转移过程,计算了不同方位角(25°,45°,89°),能量分别为100,500,1000和5000eV/u时的单电子俘获的振动分辨的态选择截面及相应的微分截面.分子轨道强耦合计算中采用了自旋耦合价带理论计算的三原子分子势能面和径向耦合矩阵元.对氢分子的自身转动,采用无限阶的冲量近似方法;对体系的电子运动同H2或H 2的振动之间的耦合,采用了振动冲量近似.结果发现,对不同的入射能量,振动态选择截面随振动量子数的分布发生了一定的改变;不同入射能量和不同方位角的振动态分辨的微分截面具有类似的结构,在极小的散射角附近出现一个最大值平台,然后散射截面随着散射角的增大而减小,并出现大量的震荡结构,其中第一个震荡结构对应的散射角位置随入射能量Ep以E-1/2p的标度规律变化;微分截面的结构和大小对H2方位角α的变化敏感,这种性质为H2取向的诊断提供了一种可能的途径.     

高剥离氩离子电子碰撞电离参数评估

基于可以得到的理论和实验数据,对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氦、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估.发现对基态类氢、类氦和类锂氩离子的碰撞电离,在不考虑共振过程的情况下,我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的.但对于激发态的碰撞电离过程,还有待于可靠的数据比较.此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律.     

Semi-quantitative study on the Staebler--Wronski effect of hydrogenated amorphous silicon films prepared with HW-ECR-CVD system

The method of numerical simulation is used to fit the relationship between the photoconductivity in films and the illumination time. The generation and process rule of kinds of different charged defect states during illumination are revealed. It is found surprisingly that the initial photoconductivity determines directly the total account of photoconductivity degradation of sample.     

高剥离氩离子电子碰撞电离参数评估

基于可以得到的理论和实验数据，对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氯、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估，发现对基态类氢、类氯和类锂氩离子的碰撞电离，在不考虑共振过程的情况下，我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的，但对于激发态的碰撞电离过程。还有待于可靠的数据比较，此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律。     

0^3＋与H2碰撞中解离电子俘获过程的全量子计算

利用全量子的分子轨道强耦舍方法。我们研究了基态的O^3（2s^22p^2P）与氢分子碰撞的解南电荷转移过程．分子轨道强耦合计算中采用了自旋耦合价带理论计算的三原子分子势能面和径向耦合矩阵元．对氢分子的自身转动，我们采用无限阶的冲量近似方法，在入射离子能量为0．1 eV／u到500 eV／u的能量区间。我们得到了非解离碰撞过程的振动态选择单电子俘获截面和解离碰撞过程的单电子俘获微分截面，发现解离碰撞截面大约占非解离过程的10％．这表明在实际的应用中。必须包含解离俘获过程的贡献．