外磁场方向和注入电流密度对Co/Cu/Fe三明治结输出的影响

利用电子束蒸发设备和光刻工艺制备了5μm×5μm的Co/Cu/Fe三明治结.在77 K温度下对三明治结自旋相关的输运特性进行了研究,测得了μV量级的双极输出信号.研究了外加磁场方向和注入电流大小对输出信号的影响,并对结果进行了详细的讨论.     

H2SiW12O40—La2O3／γ—Al2O3催化甲醇脱水制备二甲醚

用浸渍法制备了负载型复合杂多酸催化剂H2Si12O40-La2O3/γ-Al2O3,用于甲醇脱水制备二甲醚,用N2吸附、吡啶吸附外光谱、NH3－TPD、XRD光谱等手段对催化剂进行了表征,考察了杂多酸负载量、浸渍时间、反应温度、质量空速等因素对催化活性的影响。实验结果表明,催化剂中H2SiW12O40负载量为10％－16％时催化剂的活性最好,在常压下反应温度为300℃,质量空速为1．6h^-1时,甲醇转化率达85％,二甲醚的选择性为99．9％,加压可提高催化剂的活性。     

二维范德瓦尔斯异质结构的制备与物性研究

二维范德瓦尔斯材料(可简称二维材料)已发展成为备受瞩目的材料大家族,而由其衍生的二维范德瓦尔斯异质结构的集成、性能及应用是现今凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一.二维范德瓦尔斯异质结构为探索丰富多彩的物理效应和新奇的物理现象,以及构建新型的自旋电子学器件提供了灵活而广阔的平台.本文从二维材料的转移技术着手,介绍二维范德瓦尔斯异质结构的构筑、性能及应用.首先,依据湿法转移和干法转移的分类,详细介绍二维范德瓦尔斯异质结构的制备技术,内容包括转移技术的通用设备、常用转移方法的具体操作步骤、三维操纵二维材料的方法、异质界面清洁.随后介绍二维范德瓦尔斯异质结构的性能和应用,重点介绍二维磁性范德瓦尔斯异质结构,并列举在二维范德瓦尔斯磁隧道结和摩尔超晶格领域的应用.因此,二维材料转移技术的发展和优化将进一步助力二维范德瓦尔斯异质结构在基础科学研究和实际应用上取得突破性的成果.     

外磁场对直流等离子体炬放电特性的影响

介绍了新研制的磁约束直流等离子矩设备,计算了螺旋管线圈的磁场分布,通过实验研究了磁场变化对等离子体矩放电特性和伏安特性的影响。     

Non-volatile multi-state magnetic domain transformation in a Hall balance

High performance of the generation, stabilization and manipulation of magnetic skyrmions prompts the application of topological multilayers in spintronic devices. Skyrmions in synthetic antiferromagnets (SAF) have been considered as a promising alternative to overcome the limitations of ferromagnetic skyrmions, such as the skyrmion Hall effect and stray magnetic field. Here, by using the Lorentz transmission electron microscopy, the interconversion between the single domain, labyrinth domain and skyrmion state can be observed by the combined manipulation of electric current and magnetic field in a Hall balance (a SAF with the core structure of [Co/Pt]₄/NiO/[Co/Pt]₄ showing perpendicular magnetic anisotropy). Furthermore, high-density room temperature skyrmions can be stabilized at zero field while the external stimulus is removed and the skyrmion density is tunable. The generation and manipulation method of skyrmions in Hall balance in this study opens up a promising way to engineer SAF-skyrmion-based memory devices.     

微等离子体三极管及其应用

一种新型的微电子器件——微等离子体三极管近期被成功研制出来.它的问世奠定了未来更加节能、更加轻便的,具有更高分辨率和更高对比度的等离子体显示的新技术革命基础.文章介绍了微等离子体三极管的工作原理和基本特性,展望了它在发光显示领域的应用前景.     

磁性斯格明子的多场调控研究

斯格明子(skyrmion)的概念最早是由英国的粒子物理学家Tony Skyrme提出,它被用来描述粒子的一个状态,是一种拓扑孤立子.磁性斯格明子是一种具有拓扑行为的新型磁结构,其空间尺寸为纳米量级,空间距离从纳米到微米量级可调;其存在温度涵盖从低温、室温到高温的宽温区;其材料体系不仅包括早期发现的低温区B20型中心对称破缺的铁磁体和螺旋磁有序的弱铁磁材料,也包括近期发现的室温及以上的中心对称六角结构磁性MnNiGa金属合金和磁性薄膜/多层膜体系.利用磁性斯格明子的拓扑磁结构可以实现类似于自旋阀或者磁性隧道结中的自旋转移矩效应,即外加电流可以驱动斯格明子,其临界电流密度比传统翻转磁性多层膜体系中磁矩的电流密度(一般为10~7A/cm~2)要低5个数量级,约为10~2A/cm~2,该临界值远低于硅基半导体技术中沟道电流密度的上限,在未来的磁信息技术中具有广泛的应用前景.本综述简单介绍了磁性斯格明子的发展历程,归纳总结了磁性斯格明子的材料体系,介绍了观察磁性斯格明子的实验手段,重点介绍了多场(磁场、电流、温度场)调控作用下中心对称MnNiGa合金和Pt/Co/Ta磁性多层膜体系中磁性斯格明子的产生、消失以及外场调控演变等动态行为.     

重水分析落滴法的管壁效应和记忆效应

用落滴法测定重水含量,由于仪器简单,操作容易,试样只需10微升,所以迄今仍是一种通行的方法,在标记技术中得到广泛的应用。对于这一成熟的方法,近年的研究侧重于落滴时间的自动记录,有光电指示法和水滴通过两极片吋电阻变化法,也有用热敏元件构成的交流电桥以控制温度恒定至0.0005℃,然而本方法有两个重要问题:管壁     

Parameter extraction for a Ti/4H-SiC Schottky diode

Based on the MIS model, a simple method to extract parameters of SiC Schottky diodes is presented using the $I$-$V$ characteristics. The interface oxide capacitance $C_\i$ is extracted for the first time, as far as we know. Parameters of 4H-SiC Schottky diodes fabricated for testing in this paper are: the ideality factor $n$, the series resistance $R_{\rm s}$, the zero-field barrier height $\phi_{\rm B0}$, the interface state density $D_{\rm it}$, the interface oxide capacitance $C_\i$ and the neutral level of interface states $\phi_0$.     

H3+nPM012-nVnO40(n=0,1)掺杂聚苯胺功能材料新的制备方法及性质

传统的聚苯胺/杂多酸(PANI/HPA)掺杂材料的化学制备方法是一步法和二步法[1].这两种方法由于使用了质子酸(如HCl)和氧化剂[如(NH4)2S2O8],不可避免地在材料中引入了与杂多阴离子竞争的抗衡阴离子(如Cl-,SO42-),使得掺杂材料的组成复杂,功能性能受到影响.本文用一种新的合成方法,即不用其他质子酸和氧化剂,利用H3PMo12O40@nH2O和H4PMo11VO40@nH2O杂多酸独特的性质--集质子酸和氧化性于一身,将HPA直接与苯胺作用,制备了仅以杂多阴离子为唯一掺杂抗衡离子的PANI/HPA掺杂材料.所合成的材料具有导电性和荧光性.