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101.
孟宪通 《经济数学》2000,17(2):60-63
本文利用文献[1]与[2]中提出的方法和思想,研究相依二值随机变量序列游程的极限性质,得到游程平均数的一类强极限定理.  相似文献   
102.
获得了一个四阶非线性微分方程的所有解是有界和一致有界的充分条件。  相似文献   
103.
LS—DYNA3D等非线性结构动力响应分析程序的局限性   总被引:3,自引:0,他引:3  
通过理论分析和数值算例研究了采用LS-DYNA3D等非线性动力响应分析有限元程序于具有较大刚体转动的结构时,可能出现错误的应力和应变计算结果。主要原因是采用增量形式的应力修正时,其客观性被破坏。这是此类工程软件亟待改进的问题之一。  相似文献   
104.
根据膜层理论给出了机载激光雷达回波信号垂直入射偏振棱镜时偏振平行分量透过率的数学解析表达式,定量分析了偏振棱镜对机载激光雷达回波信号平行分量透过率的影响,理论计算表明:棱镜晶体厚度、空气膜层厚度及棱镜结构角共同影响回波信号通过偏振棱镜的透过率;当回波信号波长为532 nm,利用1/2石英波片测得的偏振平行通道和偏振垂直通道的增益比k为1.2时,机载激光雷达偏振通道增益比k的真实值在1.003~1.463之间,若不考虑1/2波片对k值的影响,会给退偏振比反演带来较大的系统误差.  相似文献   
105.
氯酚(CP)化合物被广泛应用于木材防腐、金属防锈及杀虫剂等,因其毒性大、难降解,对环境造成严重污染[1,2]。目前用于CP的光催化降解的TiO2粉体悬浮体系,催化剂不易回收利用。本文采用Sol Gel法制备的负载型TiO2纳米粒子膜作为光催化剂,对4 CP进行了降解实验研究。同时应用XRD法表征了不同实验条件下薄膜中TiO2的晶相结构和粒度,考察了不同层数TiO2膜的光催化活性,并对4 CP的降解条件及反应动力学特征进行了探讨。1 实验部分1.1 玻璃负载TiO2膜的制备与表征[3-5]按照钛酸四丁酯∶无水乙醇∶水=3∶12∶…  相似文献   
106.
氰乙基纤维素在二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、乙腈以及丙酮等溶剂中可以形成溶致性液晶。随浓度增加,溶液从各向同性状态经两相共存态转变成为完全的液晶态。升高温度到T_c,液晶相消失;降低温度到T′_c,液晶相再生成。T_c总大于T′_c。而且,浓度越高,过冷温度△T=T_c—T′_c越小。在各向同性,两相共存或完全的液晶状态,溶液平均折射率和消光度均与浓度呈线性关系。但在两相间相互转变时,即在C_1~*和C_2~*处,n-C和 A-C 曲线上出现转折点。高聚物与溶剂的相互作用参数X_(12)愈小,临界浓度C_1~*愈小。把描述大分子链柔顺性的参数f与X_(12)联系起来,可用 1956年 Flory的理论定性地解释溶剂对高聚物溶致性液晶形成的影响。  相似文献   
107.
采用水热法合成RUB-13分子筛,探讨了有机模板剂(OSDA)、硅源、晶化温度和水硅比等制备条件对RUB-13分子筛晶体结构的影响,考察了RUB-13分子筛在甲醇制烯烃(MTO)反应中的催化性能。结果表明,采用1,2,2,6,6-五甲基哌啶(PMP)为有机模板剂、白炭黑为硅源,在晶化温度为170℃的条件下,选择H2O/Si比为100和80时可分别合成出高纯度的低硅铝比(Si/Al=100)和高硅铝比(Si/Al=200)的RUB-13分子筛晶体,且晶粒呈棒状形貌。H-Al-B-RUB-13(Si/Al=200)分子筛用于催化甲醇制烯烃反应时,在400℃下表现出高的低碳烯烃选择性(C2=-5选择性达97. 8%,丙烯选择性为54. 5%),优于传统的H-SAPO-34和H-ZSM-5分子筛催化剂。  相似文献   
108.
刚粘塑性强化体动力学中的几个极值原理及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文在文献[1]、[2]、[3]的基础上,建立了刚粘塑性强化体动力学中的应力~加速度和加速度极值原理及与之对应的广义变分原理。并且给出了速度极大和极小原理。使用本文中的原理计算了一些简单的例题,计算结果与文献中已有的实验结果符合较好。  相似文献   
109.
带强迫项高阶中立型微分方程的振动性和非振动性   总被引:1,自引:0,他引:1  
我们给出一类强迫高阶非线性中立型时滞微分方程一切解振动的充分条件.而且,也研究了一类强迫一阶中立型方程非振动解的渐近性.  相似文献   
110.
给出了微分吸收法测量二极管电压的基本原理和实验结果。利用MCNP程序对轫致辐射-衰减-探测器系统建模,模拟得到了输出剂量与二极管工作电压关系拟合曲线。建立了微分吸收法测量二极管电压测量系统,通过在探测器前端放置不同厚度的吸收片,得到了衰减程度不同的波形。结合理论计算的拟合曲线和实验波形,利用迭代法计算得到了晨光号加速器二极管电压,电压峰值为0.58 MV。和传统方法所测得二极管工作电压进行了比较,结果较为一致。  相似文献   
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