高密度聚乙烯粉末的电子束辐射接枝

高密度聚乙烯粉末的电子束辐射接枝王勇，黄劲，李瑞海（成都科技大学纺织工学院，成都６１００６５）（成都科技大学高分子材料系６１００６５）关键词：ＨＤＰＥ粉末，电子束辐射，接枝聚合本文采用电子束予辐射法使聚乙烯粉末表面产生活性中心，然后通过液－固相接枝共...     

新型丹皮酚肟酯的高效合成

以丹皮酚为原料,与乙酸在N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)和SOCl₂作用下反应制得乙酰丹皮酚酯（1）; 1中酮羰基与盐酸羟胺反应生成相应的丹皮酚肟（2）;在DMAc和CH₂Cl₂体系中,取代羧酸(3a～3l)与SOCl₂反应生成酰氯后随即与2反应合成了系列新型丹皮酚肟酯(4a～4l),产率80.9%～95.5%,其结构经¹H NMR、¹³C NMR、IR和MS表征。以苯甲酰丹皮酚肟酯（4a）的合成为例,对反应条件进了优化。最优反应条件为：以DMAc(2 mL)为催化剂,酰氯化反应时间为20 min,酯化反应时间为3 h,产率95.1%。并对DMAc促进丹皮酚肟酯合成反应的可能机理进行了探讨。     

不锈钢材料及TiN镀膜处理后PSD测试实验研究

PSD性能是评价电子储存环真空室材料及材料表面处理优劣的一个重要指标.对一约1.5m长不锈钢管道真空室进行了镀TiN薄膜处理,并在合肥光源机器研究用光束线(MSB)的PSD实验站上对该真空室在镀TiN薄膜处理前后分别进行了PSD性能测试实验研究.测试研究结果表明,TiN薄膜处理对于减小不锈钢材料PSD有非常明显的作用.     

斐波那契与鲁卡斯通项公式的逆用

数学中经常遇到((1 5)/(2))n±((1-5)/(2))n值的计算问题. 通常的计算方法:是由低幂向高幂过度或用二项式定理展开,但都较麻烦.下面给出简便算法: 考虑到Fibonacci数列和Lucas数列的通项公式,则上述计算可以简化.     

钾蒸汽中双光子激发产生2~3∏_g—α~3∑_u~+扩散带受激辐射

本文报道了在K_2-K中通过双光子共振激发原子或双光子激发分子产生2~3∏_(?)—a~3∑_u~+扩散带辐射的实验结果,并对激发机制以及扩散带辐射随激发能量和温度的变化进行了讨论.     

一种研究自旋翻转散射效应的新方法

金属中自旋翻转散射长度远长于电子平均自由程，近来关于自旋翻转散射效应的研究主要集中于扩散区域．文章作者提出了一种使用双势垒磁性隧道结来研究纳米尺度结构中弹道区域的自旋翻转散射效应的新方法．这种方法可以从磁电输运性质的测量，得出中间隔离层中的自旋翻转散射效应的温度和偏压关系，进一步可以得出诸如电子平均自由程和自旋翻转散射长度等自旋散射信息，以及中间层的态密度和量子阱信息．     

NPB/Alq3有机量子阱光电特性研究

利用热蒸发的方法制备了有机量子阱发光器件和Alq3单层发光器件,其中NPB(N,N′-Di-[(lnaphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)作垒层,Alq3(Tris-(8-quinolinolato) aluminum)作阱层,量子阱结构类似于无机半导体的Ⅱ型量子阱结构.实验发现有机量子阱发光器件结构中存在垒层向阱层的F(o)rster无辐射共振能量转移,具有良好的电流-电压特性,光谱的窄化及蓝移,并且光谱的蓝移程度随电压的增大而逐渐增强.     

退火对高Co含量Ti1-zCoxO2磁性半导体的影响

利用磁控溅射仪制备了高Co含量的Ti1-xCocO2磁性半导体样品,并对样品分别在200℃,300℃和400℃进行退火研究.使用透射电子显微镜(TEM)对退火前后样品的结构进行表征,并用X射线光电子能谱(XPS)对退火前后样品中Co元素的化学状态进行鉴定.结果表明高Co含量的Ti1-xCoxO2磁性半导体处于一种亚稳状态,300℃以上的温度便使其结构与成分发生巨大变化.利用超导量子干涉磁强计(SQUID)测量退火前后样品的磁特性.结果表明样品的磁性有了明显的变化,这源于磁性产生的不同机理.     

轴向反馈式虚阴极振荡器辐射微波模式的远场测定

 采用远场测量法测量了虚阴极振荡器波导口的微波辐射方向图及虚阴极振荡器波导口处接上TM₀₁-TE₁₁模式转换器时的微波辐射方向图,接收喇叭口面与微波辐射口之间的距离为1.00 m,满足远场条件。结果表明：两种情况下的辐射主模式分别为TM₀₁模式和TE₁₁模式,从而证实了在实验装置轴对称的条件下,轴向虚阴极振荡器的微波辐射主模式确为理论所预期的TM₂模式。对辐射模式的分析表明,TM₀₁模式纯度约为90%,TE₁₁模式的辐射功率为TM₀₁模式的5%左右;TE₂₁,TE₀₁和TM₁₁模式三者的总辐射功率较TM₀₁模式低一个量级以上,微波辐射功率大于300 MW,辐射频率为4.6 GHz左右,微波脉宽大于40 ns。