计算最小奇异组的一个精化调和Lanczos双对角化方法

在很多实际应用中需要计算大规模矩阵的若干个最小奇异组.调和投影方法是计算内部特征对的常用方法,其原理可用于求解大规模奇异值分解问题.本文证明了,当投影空间足够好时,该方法得到的近似奇异值收敛,但近似奇异向量可能收敛很慢甚至不收敛.根据第二作者近年来提出的精化投影方法的原理,本文提出一种精化的调和Lanczos双对角化方法,证明了它的收敛性.然后将该方法与Sorensen提出的隐式重新启动技术相结合,开发出隐式重新启动的调和Lanczos双对角化算法(IRHLB)和隐式重新启动的精化调和Lanczos双对角化算法(IRRHLB).位移的合理选取是算法成功的关键之一,本文对精化算法提出了一种新的位移策略,称之为"精化调和位移".理论分析表明,精化调和位移比IRHLB中所用的调和位移要好,且可以廉价可靠地计算出来.数值实验表明,IRRHLB比IRHLB要显著优越,而且比目前常用的隐式重新启动的Lanczos双对角化方法(IRLB)和精化算法IRRLB更有效.     

简易方程“专科诊所”

在学习算术的“数”和“运算”的基础上,小学四年级引入用字母表示数量关系和运算定律,开始学习简易方程及列方程解应用题,这就是从算术到代数。 算术与代数虽是数学中两门不同的分科,但它们之间的关系十分密切。在算术中,用等号连接起来的式子叫做等式。在代数中,含有未知数的等式叫做方程。未知数也叫元,未知数的指数叫次,只含有一个未知数     

Theoretical and Experimental Study of Scattering of a Plane Wave by an Inhomogeneous Plasma Sphere

Scattering of electromagnetic waves by an inhomogeneous plasma sphere has been studied theoretically and experimentally. The offset angles of electromagnetic waves caused by the plasma sphere have been observed experimentally. The effects of the electromagnetic wave frequency and plasma density on the offset angle are discussed. The plasma density is estimated with the offset angle.     

目标规划在大学生学习成绩预测中的应用

大学生学习成绩预测是非常有必要的。文章首先介绍了用最小二乘法进行线性回归预测的方法，并分析了其缺点，即当存在着极端的异常情况时，往往存在着较大的预测误差。其次文章介绍了另一种建立预测方程的方法——目标规划法，并详细分析了模型的建立过程。文章最后举了一实例，将两种方法进行了比较，结果证明，当存在着异常情况时，目标规划是一种较好的预测方法。     

两个Rogers—Ramanujan恒等式的新证法

利用一个基本超几何函数的变换公式及其最基本的求和公式，对Ｇｅｓｓｅｌ Ｉ．和Ｓｔａｎｔｏｎ Ｄ。发现的两个Ｒｏｇｅｒｓ－Ｒａｍａｎｕｊａｎ恒等式，给出一种新的、更为简单的证明。     

高压功率晶体管在扫描相机中的应用

本文讨论了使用高压功率晶体管作为开关器件研制的扫描电路,并在变象管扫描相机中应用,获得了良好的结果,大大提高了扫描电路的耐大电流冲击性,提高了相机的可靠性与稳定性,最高扫速可达10mm/ns,扫描非线性最大为3%,触发晃动为±30ps.工作频率高达20kHz.     

随机振动控制算法研究与仿真分析

随机振动试验是振动环境试验常用的一项重要试验方法。开展随机振动控制算法研究，将有助于提高随机振动试验技术水平。随机振动控制原理如图1所示，其系统的主要功能模块可分为：测量信号的自功率谱密度（PSD）计算；驱动信号的PSD更新；驱动信号相位随机化，转换成FFT谱；IFFT变换生成时域帧信号；时域帧信号搭接。     

Molecular Beam Epitaxy Growth and Photoluminescence of Type-Ⅱ （GaAs1-xSbx／InyGa1-yAs）／GaAs Bilayer Quantum Well

We report a systematical study on the molecular beam epitaxy growth and optical property of (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum we]] (BQW) structures. It is shown that the growth temperature of the wells and the sequence of layer growth have significant influence on the interface quality and the subsequent photoluminescence (PL) spectra. Under optimized growth conditions, three high-quality (GaAsSb0.29/In0.4 GaAs)/GaAs BQWs are successfully fabricated and a room temperature PL at 1314 nm is observed. The transition mechanism in the BQW is also discussed by photoluminescence and photoreflectance measurements. The results confirm experimentally a type-Ⅱ band alignment of the interface between the GaAsSb and InGaAs layers.     

样条函数磨光法对成本预测方法的改进

本文利用函数逼近理论对成本预测给出了一个精度更高的方法。