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61.
我们曾用EXAFS和X射线单晶衍射研究了M_3W_2Cl_9类双钨簇合物的结构,发现簇胳[W_2Cl_9]~(3-)的结构很牢固,改变阳离子M~+的性质和大小,都不会改变其结构。W_2Cl_9(RO)_4(R′OH)_2类簇合物与M_3W_2Cl_9类似,具有一个双钨簇胳。Anderson等曾研究R为甲基或乙基的两个簇合物的单晶结构,正四价的两个钨原子间用双键及两个氧桥键相联接。与M_3W_2Cl_9另一不同处是取代基RO及R′OH与钨原子直接相联,其间还形成氢键,故RO或R′OH对簇胳的影响要大于M_3W_2Cl_9中阳离子M~+。本文合成6种具有不同取代基的W_2Cl_4·(RO)_4(ROH)_2化合物,用EXAFS研究其结构,以期了解不同取代基对簇胳结构的影响。 相似文献
62.
用AM1、MNDO和INDO半经验方法研究了异质富勒烯C 相似文献
63.
64.
A bilayer stacked InAs/GaAs quantum dot structure grown by molecular beam epitaxy on an In0.05Ga0.95As metamorphic buffer is investigated. By introducing a InGaAs:Sb cover layer on the upper InAs quantum dots (QDs) layers, the emission wavelength of the QDs is extended successfully to 1.533 μm at room temperature, and the density of the QDs is in the range of 4× 10^9-8 ×10^9cm^-2. Strong photoluminescence (PL) intensity with a full width at half maximum of 28.6meV of the PL spectrum shows good optical quality of the bilayer QDs. The growth of bilayer QDs on metamorphic buffers offers a useful way to extend the wavelengths of GaAs-based materials for potential applications in optoeleetronic and quantum functional devices. 相似文献
65.
本文用有限元半解析法,以开放式炼胶机的辊筒为例,对非轴对称载荷作用下的轧辊进行了应力分析,得出了区别于传统设计方法的结论。并通过光弹性应力分析的实验,验证了该结论的正确性。为进一步对它进行断裂力学分析提供了足够的应力场,也为同类型轧辊的设计提供了可靠依据。 相似文献
66.
采用三维自洽非线性理论计算方法,针对小周期波荡器自由电子激光器进行了数值模拟计算研究.结果表明,在我所现有脉冲线加速器基础上,采用周期为10mm的波荡器,可获得输出功率为20MW,波长为1.7mm的自由电子激光.最后给出实用化总体实验设计方案. 相似文献
67.
针对量子点场效应单光子探测器(QDFET)光吸收效率低下的问题, 提出了一种新型量子点场效应增强型单光子探测器(QDFEE-SPD). QDFEE-SPD增加了共振腔的设计, 并采用了GaAs/AlAs多层膜作为下反射镜; 对QDFEE-SPD的光吸收增强效应和光响应度进行了理论分析和模拟, 结果表明, 与没有共振腔时相比, QDFEE-SPD的吸收效率和光相应度都有了大幅度的提升, 同时为了光吸收的最优化, 吸收层厚度一般应在0.1–0.5 μm; 对QDFEE-SPD的材料样品进行了生长和测试实验, 反射谱测试和PL谱测试结果表明, QDFEE-SPD对入射光的吸收具有了明显的增强效应. 文章成果为高效率量子点场效应单光子探测技术的研究提供了新的思路.
关键词:
QDFEE-SPD
共振腔
吸收效率
光吸收增强效应 相似文献
68.
负二项抽样因其在发病率很低的情况下的优良表现而被广泛应用于流行病学及其它学科之中."需处理数"是一种度量药物疗效的重要指标,它常常用来评价那些结果是二值变量的临床试验所研究的药物的疗效.在实际应用中,通常希望得到需处理数的置信区间,但是目前已有的需处理数的置信区间构造方法都存在一个应用上的难题:区间上限过大以至于不可靠.文章旨在解决需处理数区间上限估计过大的问题,为此提出了需处理数的最短区间构造方法并运用蒙特卡洛模拟方法比较其相对传统方法的优劣,还给出了实际应用的例子.模拟结果表明:改进后的方法能够在控制置信系数的情况下极大地减小区间上限,具有重要的实际价值. 相似文献
69.
70.
A mesa-type enhanced InGaAs/InAlAs multilayer heterostructure(MLHS) terahertz photoconductive antenna(PCA)at 1550 nm is demonstrated on an InP substrate. The InGaAs/InAlAs superlattice multilayer heterostructures are grown and studied with different temperatures and thickness ratios of InGaAs/InAlAs. The PCAs with different gap sizes and pad sizes are fabricated and characterized. The PCAs are evaluated as THz emitters in a THz time domain spectrometer and we measure the optimized THz bandwidth in excess of 2 THz. 相似文献