C40,Nb@C40^＋,La@C40^＋的从头算研究

用量子化学从头算方法研究了Ｃ４０、Ｎｂ＠Ｃ４０＾＋，Ｌａ＾＠Ｃ４０＾＋的几何构型和电子结构，Ｃ４０最稳定构型具有Ｄ２对称性。Ｌａ和Ｎ原子内含于Ｃ４０笼中，形成金属夹心碳笼Ｎｂ＠Ｃ４０＾＋、Ｌａ＠Ｃ４０＾＋。Ｃ４０结合能大于Ｍ＠Ｃ４０＾＋（Ｍ＝Ｎｂ，Ｌａ）。     

C60的理论研究—Jahn—Teller变形,电子结构和光谱性质

本文用ＩＮＤＯ系列方法对Ｃ６０进行了几何构型优化，得到Ｄ５ｄ对称性的构型，表明Ｃ６０确实发生了Ｊａｈｎ－Ｔｅｌｌｅｒ畸变，导致原Ｃ６０Ｉｈ对称性的球体沿五重轴拉长而单键变短双键变长。其额外负电荷主要分布在赤道附近，以此构型为基础，计算了Ｃ６０的电子光谱，与实验值吻合，在对光谱进行理论指认的同时讨论了光谱红移的原因。     

双核钨簇合物W2Cl4（OR）4（ROH）2结构的EXAFS研究

我们曾用EXAFS和X射线单晶衍射研究了M_3W_2Cl_9类双钨簇合物的结构,发现簇胳[W_2Cl_9]~(3-)的结构很牢固,改变阳离子M~+的性质和大小,都不会改变其结构。W_2Cl_9(RO)_4(R′OH)_2类簇合物与M_3W_2Cl_9类似,具有一个双钨簇胳。Anderson等曾研究R为甲基或乙基的两个簇合物的单晶结构,正四价的两个钨原子间用双键及两个氧桥键相联接。与M_3W_2Cl_9另一不同处是取代基RO及R′OH与钨原子直接相联,其间还形成氢键,故RO或R′OH对簇胳的影响要大于M_3W_2Cl_9中阳离子M~+。本文合成6种具有不同取代基的W_2Cl_4·(RO)_4(ROH)_2化合物,用EXAFS研究其结构,以期了解不同取代基对簇胳结构的影响。     

异质富勒烯C58BN的结构与光谱研究

用AM1、MNDO和INDO半经验方法研究了异质富勒烯C     

基于变分等值线方法的图像分割技术

使用level set,函数来隐式地追踪目标图像,给出了level set函数的变分模型和相应的 Euler-Lagrange方程．在保证level set函数的等值线在目标图像附近的运动速度渐趋于零的前提下,改进了原来的Euler-Lagrange疗程,加快迭代速度．可灵活地调节模型参数以满足不同的分割要求．文中算例说明本模型的有效性、灵活性．     

GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy

A bilayer stacked InAs/GaAs quantum dot structure grown by molecular beam epitaxy on an In0.05Ga0.95As metamorphic buffer is investigated. By introducing a InGaAs：Sb cover layer on the upper InAs quantum dots （QDs） layers, the emission wavelength of the QDs is extended successfully to 1.533 μm at room temperature, and the density of the QDs is in the range of 4× 10^9-8 ×10^9cm^-2. Strong photoluminescence （PL） intensity with a full width at half maximum of 28.6meV of the PL spectrum shows good optical quality of the bilayer QDs. The growth of bilayer QDs on metamorphic buffers offers a useful way to extend the wavelengths of GaAs-based materials for potential applications in optoeleetronic and quantum functional devices.     

求解双曲型守恒律的半离散中心差分格式

给出了一种求解双曲型守恒律的三阶半离散中心差分格式。该格式以一种推广的三阶重构为基础,同时考虑了波传播的局部速度。格式的构造方法是利用重构,先计算非一致交错网格上的均值,再将该网格均值投影回原来的非交错网格,得到新的全离散中心差分格式,该格式有半离散形式。本文半离散格式保持了中心差分格式简单的优点,即不需用R iemann解算器,避免了进行特征解耦。它具有守恒形式,数值通量满足相容性条件。数值试验结果表明该格式是高精度、高分辨率的。     

非轴对称载荷作用下轧辊应力分析

本文用有限元半解析法,以开放式炼胶机的辊筒为例,对非轴对称载荷作用下的轧辊进行了应力分析,得出了区别于传统设计方法的结论。并通过光弹性应力分析的实验,验证了该结论的正确性。为进一步对它进行断裂力学分析提供了足够的应力场,也为同类型轧辊的设计提供了可靠依据。     

求解浅水波方程的半离散中心迎风方法

将Jin's的界面方法应用到求解双曲守恒型方程的半离散中心迎风方法中,给出了一种新的求解浅水波方程的半离散中心迎风差分方法。对于源项,不是采用传统的单元均值而是采用单元界面处的值来近似,使所得格式对稳定态的求解是均衡的。且已证明所给的二阶精度的求解格式保持水深的非负性,这一特性使其能够较好的处理干河床问题。使用该方法产生的数值粘性(与O(Δ2r-1)同阶)要比交错的中心格式小(与O(Δx2r/Δt)同阶),而且由于数值粘性与时间步长无关,从而时间步长可根据稳定性需要尽可能的小,因此适用于稳定态的求解。     

High quality above 3-μm mid-infrared InGaAsSb/AIGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy

The GaSb-based laser shows its superiority in the 3-4 ~tm wavelength range. However, for a quantum well （QW） laser structure of InGaAsSb/AIGaInAsSb multiple-quantum well （MQW） grown on GaSb, uniform content and high com- pressive strain in InGaAsSb/A1GaInAsSb are not easy to control. In this paper, the influences of the growth tempera- ture and compressive strain on the photoluminescence （PL） property of a 3.0μm lnGaAsSb/A1GaInAsSb MQW sample are analyzed to optimize the growth parameters. Comparisons among the PL spectra of the samples indicate that the Ino.485GaAso.184Sb/Alo.3Gao.45Ino.25Aso.22Sbo.78 MQW with 1.72% compressive strain grown at 460 ~C posseses the op- timum optical property. Moreover, the wavelength range of the MQW structure is extended to 3.83 μm by optimizing the parameters.