带源项浅水波方程的高分辨率熵稳定格式

提出了一种求解带源项浅水波方程的熵稳定格式.新格式利用通量限制函数将一阶熵稳定格式和高阶熵守恒格式结合,具有熵守恒格式和熵稳定格式的优点:在解的光滑区域具有高精度,在解的间断区域避免了非物理现象的产生,同时可以准确地捕捉激波,从而达到高分辨率的效果.利用新格式计算了一维和二维的经典算例,数值结果表明,新格式是模拟带源项浅水波方程的理想方法.     

双核钨簇合物W2Cl4（OR）4（ROH）2结构的EXAFS研究

我们曾用EXAFS和X射线单晶衍射研究了M_3W_2Cl_9类双钨簇合物的结构,发现簇胳[W_2Cl_9]~(3-)的结构很牢固,改变阳离子M~+的性质和大小,都不会改变其结构。W_2Cl_9(RO)_4(R′OH)_2类簇合物与M_3W_2Cl_9类似,具有一个双钨簇胳。Anderson等曾研究R为甲基或乙基的两个簇合物的单晶结构,正四价的两个钨原子间用双键及两个氧桥键相联接。与M_3W_2Cl_9另一不同处是取代基RO及R′OH与钨原子直接相联,其间还形成氢键,故RO或R′OH对簇胳的影响要大于M_3W_2Cl_9中阳离子M~+。本文合成6种具有不同取代基的W_2Cl_4·(RO)_4(ROH)_2化合物,用EXAFS研究其结构,以期了解不同取代基对簇胳结构的影响。     

喷雾热解法制备YBO3：Eu球形发光粉

用喷雾热解两段法制备了YBO3：Eu荧光粉．其粒径分布窄(1～2μm)，为规则的球形，且在高温下不会团聚．考察了PEG浓度(聚乙二醇，分子量为10 000)对发光粉形貌和发光强度的影响、温度对结晶性和发光强度的影响、前躯体溶液的浓度对粒径大小的影响以及掺杂浓度对发光强度的影响．当PEG的浓度为0．004mol/L时．得到实心球形的发光粉，PEG的浓度过高或过低都会使小球产生破裂和空心．从而降低发光粉的发光强度；样品在700℃时开始结晶，1100℃时结晶性最好，相应的发光强度也最强；通过改变前驱体溶液的浓度．可以很容易地调控发光粉小球的粒径，控制前驱体溶液的浓度在0．07mol／L，可以得到粒径为1～2μm的球形发光粉；Eu^3 在YBO3基质中的最佳掺杂摩尔分数为10％。     

C40,Nb@C40^＋,La@C40^＋的从头算研究

用量子化学从头算方法研究了Ｃ４０、Ｎｂ＠Ｃ４０＾＋，Ｌａ＾＠Ｃ４０＾＋的几何构型和电子结构，Ｃ４０最稳定构型具有Ｄ２对称性。Ｌａ和Ｎ原子内含于Ｃ４０笼中，形成金属夹心碳笼Ｎｂ＠Ｃ４０＾＋、Ｌａ＠Ｃ４０＾＋。Ｃ４０结合能大于Ｍ＠Ｃ４０＾＋（Ｍ＝Ｎｂ，Ｌａ）。     

基于移动网格的熵稳定格式

提出一种基于移动网格的熵稳定格式求解双曲型守恒律方程.该方法利用等分布原理得到新的网格分布,基于守恒型插值公式计算新的网格上的物理量,使用熵稳定数值通量和三阶强稳定Runge-Kutta时间推进方法得到下一时刻的数值解.数值算例表明该格式不仅能有效提高解在间断处的分辨率,而且能消除可能产生的伪振荡.     

Optimization of wide band mesa-type enhanced terahertz photoconductive antenna at 1550 nm

A mesa-type enhanced InGaAs/InAlAs multilayer heterostructure(MLHS) terahertz photoconductive antenna(PCA)at 1550 nm is demonstrated on an InP substrate. The InGaAs/InAlAs superlattice multilayer heterostructures are grown and studied with different temperatures and thickness ratios of InGaAs/InAlAs. The PCAs with different gap sizes and pad sizes are fabricated and characterized. The PCAs are evaluated as THz emitters in a THz time domain spectrometer and we measure the optimized THz bandwidth in excess of 2 THz.     

求解双曲守恒律方程的高分辨率熵稳定格式

熵稳定格式从物理概念出发,保证总熵关于时间耗散,在计算过程中无需进行熵修正,有效避免如膨胀激波,负压力等非物理现象,显示出独特的优点.通过插入限制器和在单元交界面处进行高阶重构,得到一类高分辨率的熵稳定格式.算例结果表明,格式具有可靠性,高精度和基本无振荡性等特点.     

GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy

A bilayer stacked InAs/GaAs quantum dot structure grown by molecular beam epitaxy on an In0.05Ga0.95As metamorphic buffer is investigated. By introducing a InGaAs：Sb cover layer on the upper InAs quantum dots （QDs） layers, the emission wavelength of the QDs is extended successfully to 1.533 μm at room temperature, and the density of the QDs is in the range of 4× 10^9-8 ×10^9cm^-2. Strong photoluminescence （PL） intensity with a full width at half maximum of 28.6meV of the PL spectrum shows good optical quality of the bilayer QDs. The growth of bilayer QDs on metamorphic buffers offers a useful way to extend the wavelengths of GaAs-based materials for potential applications in optoeleetronic and quantum functional devices.     

非轴对称载荷作用下轧辊应力分析

本文用有限元半解析法,以开放式炼胶机的辊筒为例,对非轴对称载荷作用下的轧辊进行了应力分析,得出了区别于传统设计方法的结论。并通过光弹性应力分析的实验,验证了该结论的正确性。为进一步对它进行断裂力学分析提供了足够的应力场,也为同类型轧辊的设计提供了可靠依据。     

Characteristic of energy input for laser forming sheet metal

Laser forming is a process in which laser-induced thermal deformation is used to form sheet metal without a hard forming tool or external forces. The energy input of laser beam is the key factor for the temperature and stress distribution of sheet metal. The purpose of this work is to investigate the influence of energy input condition on heat input and deformation angle for two-dimension laser forming. Variations in heat input resulting from material deformation was calculated and discussed in this paper at first. Furthermore, in laser forming under the condition of constant laser energy input, the effects of energy input mode on deformation angle and temperature field were investigated.