利用大分子单体技术合成接枝共聚物

大分子单体和小分子共单体共聚是合成接枝共聚物的重要途径之一。本文综述了大分子单体通过各种聚合方式(自由基共聚、离子型共聚、配位共聚、基团转移共聚和逐步共聚)和普通小分子单体的共聚反应,详细讨论了大分子单体和小分子单体的自由基共聚反应动力学,并简要介绍了接枝共聚物的应用背景。     

负载型催化剂制备的聚丙烯等规度分布

负载型Ziesler－Natta催化剂中存在许多活性中心［'3，为了解其本质，需对其各自产生的聚合物进行分离，以往采用的溶剂抽提法［'－'j只能将聚合物大致分级．最近，升温淋洗分级法（TREF）已被运用于聚丙烯的分级卜，'，其原理是根据聚合物的结晶度分级D'，影响聚丙烯结晶性的主要因素是等规度，而分子量到达一定程度后其影响较小，故通过TREF分级可得到聚丙烯的等规度分布．TREF法的淋洗温度可控，故分级效果较好．该法在分级前需对样品进行等温结晶处理，以消除抽提法由于样品未必充分结晶而带来的误差．本文用TREF法对不同催化…     

一种新的求解双曲型守恒律的三阶中心差分格式

本文提出了一种求解双曲型守恒律新的三阶中心差分格式，主要是引入了一种推广的三阶重构，并证明了这种重构在网格边界无振荡．所提的格式保持了中心差分格式简单的优点，不需用Riemann解算器，避免了进行特征解耦．数值试验结果表明本文格式是高精度、高分辨率的。     

黏性不可压流体的自适应网格技术和基本特性方程分离算法的联合分析

组合基本特性方程分离算法和自适应网格技术,分析二维黏性不可压流体.该方法使用3节点三角单元,对速度分量和压力等变量分析,使用等阶次的插值函数.组合解法的主要优点在于,在自适应网格技术中,对解梯度变化大的区域,通过耦合误差估计生成小的单元,利于提高解的精度,在其它区域生成大单元,可以节省时间.最后,通过对一个黏性流体圆柱体绕流问题的瞬态和稳态特性分析,给出了组合解法性能的评价.     

一种新型的三维半解析数值算法

在三维空间,结合有限元线法与有限层法的思想,构造了一种新型的半解析数值算法,数值结果表明该方法具有较高的精度,切实可行。     

Quantum—Confined Stark Effect of Vertically Stacked Self—Assembled Quantum Discs

We study the electronic energy levels and probability distribution of vertically stacked self-assembled InAs quantum discs system in the presence of a vertically applied electric field. This field is found to increase the splitting between the symmetric and antisymmetric levels for the same angular momentum. The field along the direction from one disc to another affects the electronic energy levels similarly as that in the opposite direction because the two discs are identical. It is obvious from our calculation that the probability of finding an electron in one disc becomes larger when the field points from this disc to the other one.     

Theoretical Analysis of Characteristics of GaxInl—x NyAsl—y／GaAs Quantum Well Lasers with Different Intermediate Layers

Based on the band anticrossing model, the effects of the strain-compensated layer and the strain-mediated layero n the band structure, gain and differential gain of GalnNAs/GaAs quantum well lasers have been investigated. The results show that the GaNAs barrier has a disadvantage in increasing the density of states in the conduction band. Meanwhile, the multilayer quantum wells need higher transparency carrier density than the GalnNAs/GaAs single quantum well with the same wavelength. However, they help to suppress the degradation of the differential gain. The calculation also shows that from the viewpoint of band structure, the strain-compensated structure and the strain-mediated structure have similar features.     

半导体带间级联激光器研究进展

半导体带间级联量子阱是实现3~5μm波段中红外激光器的重要前沿,其在半导体光电器件技术、气体检测、医学医疗以及自由空间光通信等诸多领域具有重要科学意义和应用价值。半导体带间级联量子阱发光机理是以二类量子阱中的电子与空穴的带间辐射复合发光为主导,再通过电子注入区与空穴注入区形成级联放大,实现多个量子阱周期内电子与空穴的重复利用。本文综述了半导体带间级联激光器从提出能带结构、外延材料到器件制备技术的发展历程,剖析了器件结构各功能区基本概念和工作原理,介绍了器件结构设计与制备工艺技术难点的里程碑突破,详细解释了载流子再平衡、分别限制层等设计,最后展望了半导体带间级联激光器的发展方向和趋势。     

量子点单光子源的光纤耦合

半导体量子点在低温下产生谱线细锐的激子发光可制备单光子源.光纤耦合可避免低温共聚焦装置扫描定位和振动影响,是实现单光子源即插即用和组件化的关键技术.在耦合工艺上,基于微区定位标记发展出拉锥光纤与光子晶体腔或波导侧向耦合、大数值孔径锥形端面光纤与量子点样片垂直耦合等技术;然而,上述工艺需要多维度精密调节以避免柔软光纤的畸形弯曲实现对准和高效耦合.陶瓷插针或石英V槽封装的光纤无弯曲且具有大平滑端面,只要与单量子点样片对准贴合就可保证垂直收光, V槽封装的排式光纤还可通过盲对粘合避免扫描对准,耦合简单.本文在前期排式光纤粘合少对数分布Bragg反射镜(distributed Bragg reflector, DBR)微柱样片实现单光子输出基础上,经理论模拟采用多对数DBR腔提升样片垂直出光和光纤收光效率,使光纤输出单光子计数率大大提升.