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101.
将求解双曲型守恒律方程的低耗散中心迎风格式和5阶WENO-ZQ格式相结合,推广应用于求解二相LWR交通流模型方程.并在时间方向上推进采用具有强稳定性的4阶Rung-Kutta方法.最后结合Riemann问题及现实生活所遇到的交通流现象进行设计和分析.通过数值算例证明该格式具较强的稳定性和较高的精度,得到了令人满意的结果. 相似文献
102.
B2C3簇的结构和振动光谱的理论研究 总被引:1,自引:1,他引:1
用量子化学从头计算方法研究了B2C3簇各种可能的空间结构,计算了相应的振动光谱和结合能。对B2C3最稳定构型的电子结构进行了深入的分析和讨论。 相似文献
103.
104.
用INDO系列方法对C^2-60与CH3反应的中间体C60(CH3)^-进行理论研究。得到具有C,对称性的构型,结果表明,CH3加成到C15上,将使与共相邻的双键碳(C30)的电荷密度和自旋密度达极大值,故加成反应部位在C30处;另外,C15的对位C12也较其它部位易于反应,且有两个反应场所,因而产物C60(CH3)2可能为六元环上的1,2-加成和1,4-加成两种异构体的混合物,同时对两种加成产物 相似文献
105.
A double-recessed offset gate process technology for InP-based high electron mobility transistors (HEMTs) has been developed in this paper. Single-recessed and double-recessed HEMTs with different gate offsets have been fabricated and characterized. Compared with single-recessed devices, the maximum drain-source current (ID,max) and maximum extrinsic transconductance (gm,max) of double-recessed devices decreased due to the increase in series resistances. However, in terms of RF performance, double-recessed HEMTs achieved higher maximum oscillation frequency (fMAX) by reducing drain output conductance (gds) and drain to gate capacitance (Cgd). In addition, further improvement of fMAX was observed by adjusting the gate offset of double-recessed devices. This can be explained by suppressing the ratio of Cgd to source to gate capacitance (Cgs) by extending drain-side recess length (Lrd). Compared with the single-recessed HEMTs, the fMAX of double-recessed offset gate HEMTs was increased by about 20%. 相似文献
106.
2-μm single longitudinal mode GaSb-based laterally coupled distributed feedback laser with regrowth-free shallow-etched gratings by interference lithography 下载免费PDF全文
We report a type-I Ga Sb-based laterally coupled distributed-feedback(LC-DFB) laser with shallow-etched gratings operating a continuous wave at room temperature without re-growth process. Second-order Bragg gratings are fabricated alongside the ridge waveguide by interference lithography. Index-coupled LC-DFB laser with a cavity of 1500 μm achieves single longitudinal mode continuous-wave operation at 20℃ with side mode suppression ratio(SMSR) as high as 24 dB.The maximum single mode continuous-wave output power is about 10 mW at room temperature(uncoated facet). A low threshold current density of 230 A/cm~2 is achieved with differential quantum efficiency estimated to be 93 mW/A. The laser shows a good wavelength stability against drive current and working temperature. 相似文献
107.
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二维材料异质结因其特有的层状结构和优异的光响应性质,被认为具有应用于新一代光探测器件的潜力。二维材料家族具有丰富的种类,因其能带带隙范围分布广,光电响应可覆盖从紫外到红外的波谱范围。另外二维材料层间通过范德瓦尔斯力相结合,因此理论上可以利用不同二维材料层间的范德瓦尔斯力相互作用制备出多种性能优异的二维材料异质结。近年来有多种二维材料异质结通过机械堆叠法及CVD生长法被制备出来,且二维材料异质结光探测器在可见光至远红外波段表现出优异的性质。在这样的研究背景之下,本文从二维材料异质结的制备、器件制备与器件性能等几个方面综述了近年来二维材料异质结光探测器的研究进展。 相似文献
109.
110.