螺旋共轭化合物及其相对应的多烯及联苯连接合物的结构,？…

用ＡＭ１和ＩＮＤＯ／ＣＩ方法研究了螺旋共轭化合物Ｉ的结构和电子光谱，并在此基础上，用完全态求和公式（ＳＯＳ，自编程序）计算了二阶非线性光学系数βμ，把结果与其对应的多烯及联苯连接的化合物Ⅱ和Ⅲ用同一方法计算得到的结果加以比较，发现螺旋共轭化合物Ⅰ的二阶非线性光学系数βμ虽然小于ⅡⅢ，但其透明性均比化合物Ⅱ和Ⅲ好。     

求解二相LWR交通流模型的低耗散中心迎风格式

将求解双曲型守恒律方程的低耗散中心迎风格式和5阶WENO-ZQ格式相结合,推广应用于求解二相LWR交通流模型方程.并在时间方向上推进采用具有强稳定性的4阶Rung-Kutta方法.最后结合Riemann问题及现实生活所遇到的交通流现象进行设计和分析.通过数值算例证明该格式具较强的稳定性和较高的精度,得到了令人满意的结果.     

B2C3簇的结构和振动光谱的理论研究

用量子化学从头计算方法研究了Ｂ２Ｃ３簇各种可能的空间结构，计算了相应的振动光谱和结合能。对Ｂ２Ｃ３最稳定构型的电子结构进行了深入的分析和讨论。     

高阶多维半离散中心迎风格式及其应用

提出了求解多维对流-扩散方程的四阶半离散中心迎风格式。该格式以中心加权基本无振荡(CWENO)重构为基础,同时考虑到在Riemann扇内波传播的局部速度,从而更加准确地估计出了局部Riemann扇的宽度,最终既回避了网格的交错,又降低了格式的数值粘性,建立了介于迎风格式和中心格式之间的半离散中心迎风格式。本文还将该四阶半离散中心迎风格式与涡度-流函数方法相结合,有效地求解了二维不可压Euler方程组和Navier-Stokes方程组。     

中间体C60（CH3）^—和产物C60（CH3）2的结构及产物光谱性…

用ＩＮＤＯ系列方法对Ｃ＾２－６０与ＣＨ３反应的中间体Ｃ６０（ＣＨ３）＾－进行理论研究。得到具有Ｃ，对称性的构型，结果表明，ＣＨ３加成到Ｃ１５上，将使与共相邻的双键碳（Ｃ３０）的电荷密度和自旋密度达极大值，故加成反应部位在Ｃ３０处；另外，Ｃ１５的对位Ｃ１２也较其它部位易于反应，且有两个反应场所，因而产物Ｃ６０（ＣＨ３）２可能为六元环上的１，２－加成和１，４－加成两种异构体的混合物，同时对两种加成产物     

Enhancement of fMAX of InP-based HEMTs by double-recessed offset gate process

A double-recessed offset gate process technology for InP-based high electron mobility transistors (HEMTs) has been developed in this paper. Single-recessed and double-recessed HEMTs with different gate offsets have been fabricated and characterized. Compared with single-recessed devices, the maximum drain-source current (I_D,max) and maximum extrinsic transconductance (g_m,max) of double-recessed devices decreased due to the increase in series resistances. However, in terms of RF performance, double-recessed HEMTs achieved higher maximum oscillation frequency (f_MAX) by reducing drain output conductance (g_ds) and drain to gate capacitance (C_gd). In addition, further improvement of f_MAX was observed by adjusting the gate offset of double-recessed devices. This can be explained by suppressing the ratio of C_gd to source to gate capacitance (C_gs) by extending drain-side recess length (L_rd). Compared with the single-recessed HEMTs, the f_MAX of double-recessed offset gate HEMTs was increased by about 20%.     

2-μm single longitudinal mode GaSb-based laterally coupled distributed feedback laser with regrowth-free shallow-etched gratings by interference lithography

We report a type-I Ga Sb-based laterally coupled distributed-feedback(LC-DFB) laser with shallow-etched gratings operating a continuous wave at room temperature without re-growth process. Second-order Bragg gratings are fabricated alongside the ridge waveguide by interference lithography. Index-coupled LC-DFB laser with a cavity of 1500 μm achieves single longitudinal mode continuous-wave operation at 20℃ with side mode suppression ratio(SMSR) as high as 24 dB.The maximum single mode continuous-wave output power is about 10 mW at room temperature(uncoated facet). A low threshold current density of 230 A/cm~2 is achieved with differential quantum efficiency estimated to be 93 mW/A. The laser shows a good wavelength stability against drive current and working temperature.     

1.55 μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器

利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55 μm谐振腔增强型（RCE） 光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究.无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10－12A;光电流谱峰值波长1563 nm;响应谱线半宽4 nm, 具有良好的波长选择性.     

基于二维材料异质结的光探测器研究进展

二维材料异质结因其特有的层状结构和优异的光响应性质,被认为具有应用于新一代光探测器件的潜力。二维材料家族具有丰富的种类,因其能带带隙范围分布广,光电响应可覆盖从紫外到红外的波谱范围。另外二维材料层间通过范德瓦尔斯力相结合,因此理论上可以利用不同二维材料层间的范德瓦尔斯力相互作用制备出多种性能优异的二维材料异质结。近年来有多种二维材料异质结通过机械堆叠法及CVD生长法被制备出来,且二维材料异质结光探测器在可见光至远红外波段表现出优异的性质。在这样的研究背景之下,本文从二维材料异质结的制备、器件制备与器件性能等几个方面综述了近年来二维材料异质结光探测器的研究进展。     

半导体InAs量子点单光子发射器件

文章概述了量子点单光子源的研究现状,综述了微腔量子点耦合单光子发射器件制备中关键的低密度InAs量子点外延技术,单量子点单光子发射二阶关联函数HBT检测方法,分布布拉格反馈微腔结构的制备以及实现液氮温度下电驱动微腔量子点单光子发射器件等研究结果.