什么在强激发Ⅱ—Ⅵ族化合物中发光,双激子、杂质跃迁还是电子—空穴等离子体?

为探讨低温下强激发Ⅱ—Ⅵ族化合物中观察到的所谓M—和P—发射带的起因,使用激发光谱研究了5K下的Cds。利用非弹性散射过程、双激子、杂质跃迁以及电子——空穴等离子体(EHP)等过程,讨论了我们的以及其他作者已发表的结果。讨论表明,Ⅱ—Ⅵ族化合物中强激发的发光主要来自非弹性散射过程和低温下的杂质跃迁,而EHP和双激子衰减所导致的发光则较小。     

掺杂型BaFBr:Eu2+的热释发光性质的研究

BaFBr:Eu^2 是利用色心存储电子－空穴对并用可见光激励读出存储信息（产生Eu^2 的4f^65d→4f^7的跃迁）的优良的光激励发光材料。通过热释发光技术研究了BaFBr:Eu^2 的热激活行为，对其低温段和高温段的热释发光峰分别进行了归属，通过对BaFBr:Eu^2 以及掺杂Na^ 或Al^3 的BaFBr:Eu^2 的热释发光（TL）谱和光激励发光（PSL）谱的表征，指出在BaFBr:Eu^2 中掺杂Na^ 或Al^3 影响了F（Br^-）色心，使其陷阱深度变涛，并从理论上加以计算，得出的热致激发能量的变化与光致激光能量的变化能很好地吻合。     

BuFCl：Eu~（2＋）中两种F色心的浓度比值与光激励截面比值的测定方法

本文研究了紫外线辐照下ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋的光激励发光性质．通过改变激励方式及激励光的扫描方向，给出了ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋光激励发光过程中，两种Ｆ色心的浓度比值和光激励截面比值的测定方法．     

Al3+掺杂BaFBr:Eu2+中F(Br-)心的性质

作为光激励发光的首选材料BaFBr:Eu^2 ，在其中掺杂一定量的Al^3 后，其光激励发光谱向长波方向发生了较大的红移现象，红移的机理是掺杂的Al^3 离子取代了BaFBr:Eu^2）晶格中的Ba^2 离子，且处于F（Br^-）心的次近邻位所致。本文利用喇曼光谱和电子顺磁共振谱对受掺杂Al^3 微扰的F（Br^-)心的结构进行了研究，首次在喇曼光谱的高频移区观测到了由于掺参Al^3 所引起的新结构的产生，通过电子顺磁共振谱表征了在BaFBr:Eu^2＋中Al^3 与F（Br^-）心的相对位置，并且得出F（Br^-)心与OF^-心存在着空间相关性。