CuCo2S4系统的掺杂与超导电性

尖晶石型CuM2S4(M=Co，Rh，Ir)族硫化物中，CuRh2S4为4．7K的超导体，CuIr2S4在230K经历金属-绝缘体相变，用Zn替代Cu后可成为超导体，CuCo2S4是否具有超导电性目前仍有争议．本研究了CuCo2S4及其掺杂体系的成相及其电、磁性质，表明单相CuCo2S4在1．8K以上不超导，而在Cu1 xCo2-xS4和CoS2的复相样品中观察到～3．5K的超导转变．另外少量Zn替代Cu引入杂相，在样品中未能观察到超导电性．     

化学溶液沉积法制备YBa2Cu3O7超导薄膜

用钇、钡、铜的环烷酸盐溶液为原料,采用化学溶液沉积法在LaAlO3(001)衬底上制备了YBa2Cu3O7超导薄膜．X射线衍射分析表明薄膜主要沿[001]方向外延生长．原子力显微研究显示晶粒排列严密、整齐有序,表面也较为平整．电阻测量显示该薄膜的超导起始转变温度为87K．本方法有望应用于大面积高温超导薄膜及带材的制备．     

不同绕制工艺下Nb-Ti磁体的抗热脉冲能力及失超常导区传播的研究

本文采用热脉冲法研究了在湿绕(涂敷石蜡填充高热导的Al_2O_3粉或高热容的Gd_2O_3粉)、干绕(无任何浸渍剂)条件下,Nb-Ti线的正常区最小触发能量(Emin),正常区传播速度(V_N)以及最小传播电流(I_p)随载流大小和所处场强的变化规律。发现填充工艺并没有提高导体内禀抗扰动能力,稳定性的提高看来是通过减小导线运动的可能性实现的。     

THIRD-HARMONIC COEFFICIENT IN A BILATERAL ROUGH GOLD FILM PERCOLATION SYSTEM

In this paper, the third-harmonic coefficient in a bilateral rough Au-film percolation system deposited on the self-affine substrates is studied. It is proved experimentally that both the critical current and the film resistivity an functions of the third-harmonic coefficient yield power law critical behaviors. However, compared with flat systems, the critical exponents are significantly changed. The discussion for the universality behavior in this special system is also presented.     

铁掺杂Tl-1223超导相的额外氧缺陷研究

在铁掺杂的Ｔｌ-１２２３相中，铁对超导电性有明显的破坏作用，霍尔系数测量、热重分析和穆斯堡尔谱表明占据铜晶位的铁杂质原子不仅直接破坏ＣｕＯ₂面的完整性而使超导转变温度降低，更重要的是铁的掺入诱导了额外氧原子进入晶格，形成了对载流子的强局域束缚作用，致使载流子浓度随铁掺杂量呈线性下降．额外氧导致了与其近邻的铁和铜原子产生了偏离ＣｕＯ₂平面的位移，从而形成新的铁氧配位．针对额外氧缺陷精细结构的讨论，对研究额外氧和阳离子在ＣｕＯ₂平面上的无序排列