混沌：是新的科学范式──还是新闻媒介造就的科学？

混沌：是新的科学范式─－还是新闻媒介造就的科学？ＭａｘＤｒｅｓｄｅｎ纽约州立大学荣誉教授１序幕，背景，概要１９９０年春，混沌领域的一位中国专家￣１）［１］正为再版他就此学科写的一本书而收集材料。在修订版中，他罗列了１２５部书和会议报告，找到了２５０篇...     

动态病

动态病ＬｅｏｎＧｌａｓｓＭｉｃｈａｅｌＣＭａｃｋｅｙ我们已经提出，把具有时间异常组织结构（ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ）这种特征的疾病叫做动态病（ｄｙｎａｍｉｃａｌｄｉｓｅａｓｅｓ）１）．本章简要综述动态病的概念．第１节讨论动态病的识别．已有大量文献建立...     

Josephson结的I-V曲线的理论分析

本文从理论上分析了Josephson结的I-V曲线的混沌、台阶和滞后等一系列现象,并给出了描述上述现象的解析关系式,所得结果与实验结果比较符合。 关键词：     

脂质体药用辅料DMPG的合成研究

以三氯氧磷、1,2-二肉豆蔻酰甘油及甘油缩丙酮为原料,通过磷酰化、水解等反应合成1,2-二肉豆蔻酰磷脂酰甘油(DMPG),反应收率为75.8%,其结构经过IR,MS,~1H NMR及~(13)C NMR等确证。该合成方法具有操作简单、条件温和、收率高等特点。     

Yb: Lu_3Al_5O_(12)晶体的生长及缺陷研究

采用提拉法生长Yb~(3+)掺杂浓度为10 at;的Yb: Lu_3Al_5O_(12)(Yb: LuAG)晶体.对晶体的结晶质量、晶胞参数、分凝系数等进行了表征.采用化学腐蚀的方法,利用光学显微镜和扫描电镜相结合研究了晶体中的缺陷.结果表明晶体具有较好的结晶质量,Yb~(3+)的掺入不会改变LuAG的晶体结构.观察到Yb: LuAG晶体(111)面上呈三角锥形的位错蚀坑和由小面引起的晶体应力双折射现象,并提出了减少缺陷,提高晶体质量的方法.     

适合教学的高性能太阳能电池测试系统

利用短弧氙灯模拟AM1.5太阳光,通过数据采集模块采集初始电流、电压、温度、光谱响应参数,经LabVIEW和Matlab运算修正复现后,得到标准条件下的I-V特性曲线.该系统具有很高的精确度、自动化程度和可靠性的同时,还具有灵活的测试范围,适用于实验教学.     

有限带Dirac算子的反谱问题及散焦NLS方程的条件周期解

本文引入一种谱坐标(M-C坐标)来研究有限带Dirac算子的反谱问题。利用这种坐标,将散焦NLS流分解成两个可交换的有限维完全可积Hamilton流,并求出其Cauchy问题的条件周期解。     

对波动方程初边值问题边界条件齐次化函数的一个注解

基于传统的齐次化边界条件方法,采用傅里叶级数法讨论了波动方程初边值问题第一类非齐次边界条件齐次化函数问题,分析表明:对同一定解问题,在不同齐次化函数下的解在适定意义下是等价的.     

廿蔗初压汁锤度近红外光谱分析的波段优选

用近红外透射光谱技术和偏最小二乘法建立甘蔗初压汁锤度的定量分析模型.用多元散射校正和Savitzky-Golay平滑化方法对原谱、一阶导数谱和二阶导数谱进行预处理.选取400-1100nm、1100-1400nm、1550-1850nm、2100-2350nm以及全谱(400-2500nm)5个波段,每个波段分别采用原光谱、一阶导数谱、二阶导数谱.同时调整Sayitzky-Golay平滑点数和PLS因子数,通过多次PLS数值实验比较,按照预测效果确定每个模型的最优平滑点数、因子数,再从中选优.结果表明,采用二阶导数谱的1550-1850nm波段的定标效果最好,模型的预测相关系数、预测均方根偏差、相对预测均方根偏差分别为0.896,0.406,1.95%.1550-1850nm波段可以代替全谱波段得到好的定标效果,为设计小型专用近红外分析仪器提供依据.     

Electronic Structures of the Filled Tetrahedral Semiconductor Li3AlN2

The first-principles total energy calculations with the local density approximation （LDA） and the plane wave pseudopotential method are employed to investigate the structural properties and electronic structures of Li3AlN2. The calculated lattice constants and internal coordination of atoms agree well with the experimental results. Detailed studies of the electronic structure and the charge-density redistribution reveal the features of the strong ionicity bonding of Al-N and Al-Li, and strong hybridizations between Li and N in Li3AlN2. Our band structure calculation verifies Li3AlN2 is a direct gap semiconductor with the LDA gap value of about 2.97eV and transition at Г.