纳米脱溶相改善铋系2223银包套带材磁场下的输运性能

通过后期的氧气氛退火工艺,在Ｂｉ２２２３／Ａｇ 包套带材中引入纳米脱溶相,使得材料磁通钉扎能力显著提高,改善了输运性能．ＸＲＤ 和ＳＥＭ 分析表明退火过程中,从（Ｂｉ,Ｐｂ）２２２３ 基体晶粒内脱溶出的细小第二相粒子．钉扎力的标度表明这些细小的纳米脱溶相在材料中引入额外的钉扎中心,提高了材料的磁通钉扎能力     

SOLUTE REDISTRIBUTION IN THE INITIAL TRANSIENT REGION OF DIRECTIONAL SOLIDIFICATION SPECIMEN

The solute redistribution during initial transient process of directional solidification of a binary alloy is associated with the solid-liquid interface advancing velocity which will pass a hysteretic process approaching to the externally imposed velocity. In the present paper, a new accelerated growth equation, dV/dt = μG[m/G·(dG_L^*)/dt+V_e-V] is deduced, based on which a new formula for the initial transient solute redistribution is obtained with the reasonable assumption that the solid-liquid interface advancing velocity changes exponentially during solidification. It shows that the kinematic effect dominates solidification at high velocity while the coupling effect of thermal and mass transportation controls that at lower velocity.In addition, another new equation to calculate the time required for a planar interface to lose stability is also found. Since the effects of the imposed thermal gradient are taken into account in the new equations, they are more reasonable and satisfactory than those given by Tiller et al. and by Smith et al.     

如何划分菲涅耳衍射和夫琅和费衍射

在讨论光的衍射时,一般总是把它分为菲涅耳衍射和夫琅和费衍射、但如何划分?根据是什么?这问题看法很不统一.在一般经典的光学著作中都是以所取的近似程度来划分的,而目前在一些现代光学的书中却划分得比较简单,提出了近场衍射即菲涅耳衍射和远场衍射即夫琅和费衍射的概念. 关于光在平面屏幕上的衍射问题早在1882年就由基尔霍夫得出了菲涅耳-基尔霍夫衍射公式式中U(P)为光在P(x,y)处的复振幅分布.∑为衍射孔,r0表示点光源P0(x0,y0)到孔上P1(xl,y1)点的距离,r表示观察点P到P1处的距离n为衍射孔的外法线. 后来索末菲又于1896年,首次给出了…     

压力对聚苯胺导电性的影响

 导电高聚物聚苯胺薄膜经过定向拉伸后，其有序度、电导及跃迁势垒都发生了很大变化。本文研究了准静水压力对定向拉伸前后，聚苯胺薄膜电学性质的影响。发现未定向拉伸的聚苯胺薄膜的电导随压力单调增加，跃迁势垒T₀随压力单调减少，而定向拉伸后的聚苯胺薄膜则在0.47 GPa出现电导的极大值，在0.35~0.71 GPa之间出现T₀的极小值，这个异常行为与聚乙炔、聚噻吩等导电高聚物均不相同。     

141Nd激发态的在束γ谱学研究

通过130Te(16O,5nγ)141Nd反应布居了141Nd的高自旋态能级. 对反应产生的在束γ射线进行了γ射线单谱和γ-γ符合测量. 建立了激发能达7614.5keV的141Nd能级纲图,新发现了12条γ射线和15个能级. 基于实验测量的γ跃迁各向异性,建议了141Nd部分能级的自旋值. 用一个h11/2价中子空穴与142Nd核芯晕态的耦合可以定性地解释141Nd的能级结构.     

MgF2对Mn4+掺杂锗酸盐红色荧光粉发光的影响

3.5MgO·0.5MgF₂·GeO₂：Mn⁴⁺作为优异热稳定性和良好发光性能的红色荧光粉而被市场应用,然而,该粉体中MgF₂的作用影响机理尚不明晰,阻碍其性能进一步优化和发展。采用高温固相法制备了系列Mn⁴⁺激活的锗酸盐荧光粉,通过对比加入MgF₂、H₃BO₃（助熔剂）,研究了该粉体的结构、形貌、发光性能等变化规律,阐明了MgF₂的发光影响作用。研究表明,加入MgF₂、H₃BO₃和不加任何助熔剂时的样品,其最佳烧结温度分别为1 150、1 250和1 350 ℃,上述温度下发光强度均为最佳值,其中加入MgF₂、H₃BO₃的样品在最佳温度处生成了纯相。MgF₂的添加,一方面同H₃BO₃一样作为助熔剂对生成纯相、提高样品结晶度起了积极的作用;另一方面,通过研究分析,确认F^-离子成功掺杂进入晶格,促使样品生成的晶体结构为Mg₁₄Ge₅（O, F）₂₄。加入MgF₂、H₃BO₃在最佳烧结温度的样品的荧光寿命分别为0.93和0.75 ms。     

Rectifying effect of heterojunction fabricated in freestanding thin film of polyaniline containing azobenzene side-chain

An innovative heterojunction is fabricated between two sides of a freestanding thin film of HCl-doped polyaniline (PANI) derivative containing azobenzene side-chain, which is synthesized through an N-alkyl-substituted reaction. Of the film, the side with being irradiated by UV light during preparation is represented as `A side'; the other side without being irradiated is represented as `N side'. The electrical properties of the heterojunction are measured and the rectifying effect is observed in the {current--voltage} characteristic curves with the values of rectifying ratio (γ) being 20 at ±0.06 V at T= 77K and 4 at ±0.02V at T=300 K separately.     

二维层状GaTe的晶体结构研究

采用布里奇曼法生长出了化合物半导体GaTe,并对其晶体结构进行研究.利用X射线衍射仪对GaTe粉末和块体试样分别进行测试,确定了其晶体结构.采用透射电子显微镜对二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe进行观测,并结合晶体定向仪对GaTe解理面进行了定向分析.结果表明,二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe分别对应单斜和六方两种不同的晶体结构,并对应不同的解理面.     

新型含二茂铁有机配合物的合成及其电化学性质

以二茂铁为起始原料,经氯汞化反应、溴代反应、Suzuki偶联反应、水解反应和取代反应等5步反应合成了一种新型的含二茂铁结构单元的有机配合物(7),其结构经1H NMR、13C NMR、IR和HR-MS(ESI-TOF)表征。电化学研究结果表明:化合物6的E1/2小于化合物7,具有较高的氧化还原活性。     

铂-丁二酮肟络合吸附波测定微量铂

铂和丁二酮肟在pH 4.1的HAc~NaAc支持电解质中,形成具有电活性络合物。在单扫示波极谱-0.88 V(vs.SCE)左右出现良好还原波。此波峰高与铂的浓度在1.0×10-8~4.0×10-6mol/L范围内呈线性关系。检出限为2.6×10-9mol/L。并成功的用于贵金属合成样及合金样品中铂量的测定。