三重四极杆电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法测定氧化铕中13种稀土杂质元素

稀土杂质元素直接影响高纯单金属稀土材料的整体性能,是高科技领域许多材料的重要组成部分。通过考察最佳的消解酸量、温度、时间、氧气反应气流量、稀释气流量,建立了基于三重四极杆电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS/MS)直接测定氧化铕中13种稀土杂质元素分析方法。该方法采用0.1%基体直接进样,可以很大程度提高前处理分析效率。利用碰撞模式测定氧化铕稀土中的Y、La、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Lu元素,氧气质量转移模式测定氧化铕中的Tm,两种模式结合可以有效去除多原子干扰,实现氧化铕的稳定测试分析。通过对氧化铕标准物质（GBW02902）直接测定分析,结果表明,在碰撞和氧气质量转移模式下,各元素线性相关系数（r）均大于 0.9999,方法检出限为0.001~0.023 mg/kg,测试精密度优于1.99%,13种元素的测试值都在认定值的不确定度范围之内。该分析方法操作简单,测试稳定,效率高,为实验室进行氧化铕材料中REE杂质的准确测试分析提供思路和借鉴。     

低压涡轮内部流动及其气动设计研究进展

随着高空无人飞行器研究的不断升温, 高空低雷诺数条件下动力装置的研究越来越受到人们的重视.结合近年来国内外相关领域的研究工作, 对低雷诺数低压涡轮内部复杂流动机理的研究进展进行了介绍, 包括低雷诺数情况下低压涡轮内部非定常流动的特点, 叶片边界层分离及转捩现象机理, 上游周期性尾迹与下游叶片边界层相互作用机理等. 在此基础上给出了适合低雷诺数条件的低压涡轮气动设计方法:尾迹通过与边界层的相互作用, 能够抑制分离, 进而减小叶型损失, 在气动设计中有效引入非定常效应可以大幅度提高低压涡轮的气动负荷或降低气动损失, 最终达到提高性能的目的;数值及实验结果验证了这种设计方法的有效性.      

吖啶红褪色光度法测定加替沙星的含量

加替沙星(Gatifloxacin)是由日本杏林制药公司最早开发研制,1999年12月BMS公司在美国首次上市的氟喹诺酮类抗菌药,该药具有抗菌谱广、抗菌活性强、光毒性低等特点,对革兰氏阴性菌和革兰氏阳性菌均有较好的疗效,主要用于呼吸道感染、泌尿道感染、皮肤和软组织感染等的治疗。目前     

单宁酸与牛血红蛋白相互作用的光谱研究

利用荧光光谱技术研究了单宁酸与牛血红蛋白分子的相互作用。实验结果表明:单宁酸分子与BHb发生反应生成基态复合物,导致BHb内源荧光的猝灭,该猝灭属于静态猝灭。测定了不同温度下该反应的表观结合常数、结合位点数及结合热力学参数,热力学参数的变化表明上述作用过程是一个熵增加、自由能降低的自发分子间作用过程,单宁酸与BHb之间以疏水和氢键作用力为主;根据Frster能量转移理论,测得供体与受体间结合距离r和能量转移效率E;并用同步荧光光谱法探讨了单宁酸对BHb构象的影响。     

运筹学在日本的发展简况

运筹学(以下简称OR)在日本的发展可略分为以下四个阶段:一、1952～1956,可以说是酝酿和准备阶段第二次世界大战后,在日本已有人注意并研究运筹学.1952年日本科学技术联盟     

C-ZnSe:Ga MS发光二极管室温蓝带的发光特性

测量了在77K和290K温度下,Au-ZnSe MIS,Au-ZnSe:Ga MIS,C-ZnSe:Ga MS和C-ZnSe MIS二极管的电致发光光谱,得到了以Au作势垒电极时通常有二个室温蓝带,而以C作势垒电极时只有一个室温低能蓝带。在77K—290K温度范围内,研究了C-ZnSe:Ga MS二极管在正向电压激发下的电致发光光谱随温度的变化。结果表明:室温低能蓝带的起因,在低温下可以归结为同时发射二个纵光学声子的自由激子的发射。文中指出,在C-ZnSe:Ga MS二极管上,观测不到室温高能蓝带,是由于晶体的吸收。由此可见,C-ZnSe:Ga MS结的室温蓝色电致发光的效率比Au-ZnSe MIS结的低得多。     

超混沌系统的间歇同步与控制

基于稳定性理论，采用间歇反馈控制研究了四维连续超混沌Rssler和LC振子系统.通过选择恰当的控制周期T_s、自治周期T_a以及反馈系数k来设计控制器.数值计算表明：所设计的控制器使系统经过大约8到35个时间单位达到了稳定点，两个系统之间经过大约15到50个时间单位实现了全局同步.通过求解系统Jacobi矩阵的特征值来确定T_s与T_a的关系，获得间歇控制下控制器稳定的条件.数值计算结果与理论分析一致. 关键词： 超混沌 同步 Jacobi矩阵 稳定性     

耐高温光刻胶光栅模板的制作与转移技术及其应用

作为试件变形传感元件的云纹光栅的制作是云纹干涉法的关键技术。本文提出了在１２０～２００℃高温下使用的光刻胶光栅模板的制作及在此温度下试件栅的复制工艺，并利用此技术研究了新型微电子封装组件在１２５～２０℃温度载荷下的热变形。实验结果表明：采用该方法可以获得高质量的试件栅，云纹条纹质量好，可用于试件微小区域内热变形的精确测量     

R~n上的调和函数是 C~n上的解析函数

令Δ_n=sum from j=1 to (?)((?)~2)/((?)x_j~2)为 R~n 上的 Laplace 算子,设Δ_n~ku(x_1,…,x_n)=0,(x_1…,x_n)∈R~n,k≥1,即 u(x_1,…,x_n)是 k 级调和函数。早已知道,u 是实解析函数,因而可延拓成 R~n 在 C~n 的一个邻域的解析函数 u(z_1,…,z_n)(可参看[1])。在这篇短文中,我们将证明 u 是整函数,即可延拓成 C~n 上的解析函数(定理1)。设 u(x_1,…,x_n)是 R~n 上的调和函数,则因 u(z_1,…,z_n)是 C~n 上的解析函数,故sum from j=1 to n ((?)~u)/((?)z_j~2)是 C~n 上的解析函数,因它在 R~n 上为零,故在 C~n 上为零。因此,我们的结果表明R~n 上的调和函数空间与 C~n 上满足:sum from j=1 to n ((?)~2u)/((?)z_j~2)=0的解析函数 u(我们不妨称之为复调和函数)的空间是一致的。同理 R~(n 1)上对最后一个变量为偶的调和函数空间与 C~(n 1)上对最