非晶态Mg70Zn30合金结构因子的预峰

利用X射线衍射仪对非晶态Mg₇₀Zn₃₀合金的结构进行了研究,获得了强度曲线、结构因子、双体分布函数和原子间最近邻距离.结果表明,Mg₇₀Zn₃₀合金在小Q区间存在强烈的预峰现象.根据预峰的特性,提出了Mg₇₀Zn₃₀熔体的结构模型,即Mg原子位于中心,8个Zn原子位于顶角所形成的简单立方结构模型.该模型以共享顶点的方式相连接,能够满足预峰对Mg—Mg原子间距离的要求.Mg< 关键词： 非晶态 70Zn₃₀合金')" href="#">Mg₇₀Zn₃₀合金 结构因子 预峰     

尺寸效应对Al纳米线凝固行为的影响

结合EAM镶嵌原子作用势, 通过经典的分子动力学模拟研究了不同截面尺寸Al纳米线在两种冷却速率下的凝固行为, 并采用键对分析技术探讨了相变过程中原子团簇的演化情况. 结果表明:Al纳米线的最终结构不仅与冷却速率有关, 还呈现出明显的尺寸效应. 在较快的冷却速率下, 五种截面尺寸的Al纳米线均得到了多壳螺旋结构; 而当冷却速率降低以后, 除了N₃纳米线发生了断裂以外, 其余纳米线的结构随着截面尺寸的增加, 逐渐从多壳螺旋结构经由类-六边形多壳结构最终过渡到稳定的晶态结构.     

纯热传导冷却产生软X射线激光

本文通过n_e=1×10~(19)cm~(-3)的热等离子体,在纯热传导冷却机制下的计算,得到了等离子体温度的时空变化,并运用碰撞-辐射模型计算了在这种条件下,类锂铝离子4f-3d,5f-3d跃迁的增益系数,计算表明:只要有合适的初始条件,用纯热传导冷却机制,也能产生软X射线激光增益.     

Effects of nickel on the crystallization of Zr70Cu20Ni10 amorphous alloy

Differential scanning calorimetry (DSC) and x-ray diffraction (XRD) are employed to investigate the effects of nickel on the crystallization of the amorphous Zr₇₀Cu₂₀Ni₁₀ alloy. We have found that the crystallization process of the amorphous Zr₇₀Cu₂₀Ni₁₀ alloy is strongly influenced by the addition of nickel. Addition of 10 at% Ni to the Zr₇₀Cu₃₀ amorphous alloy makes the crystallization process proceed from a single-stage mode to a double-stage mode. The activation energy for crystallization of the amorphous Zr₇₀Cu₂₀Ni₁₀ alloy is calculated to be about 388kJ·mol^-1 on the basis of the Kissinger equation. The effects of nickel on the crystallization of the amorphous Zr₇₀Cu₂₀Ni₁₀ alloy are discussed in terms of the genetics of metals.     

类氢离子电子碰撞电离截面的扭曲波计算

在扭曲波库仑玻恩交换似近下用编制的计算程序计算了类氢离子Ｈｅ，Ｃ，Ｎｅ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｆｅ的电子碰撞电离截面，并将结果与Ｙｏｕｎｇｅｒ的扭曲波结果作了比较。在２％以内本文的结果与Ｙｏｕｎｇｅｒ的结果一致。并详细研究了半经典交换势对电子碰撞电离截面的效应以及沿等电子数序列变化的规律     

类N离子CuⅩⅩⅢ—GeⅩⅩⅥn=2-2跃迁的光谱的半经验计算

本文根据已知类N离子CuXXⅢ——GeXXⅥ的2s2p~4、2p~5组态的实验能级,应用原子结构的半经验计算程序ZEALOTS,采取非线性最小二乘优化方法对上述离子两个组态的实验能级进行了拟合,由拟合求出的能级值计算了上述元素离子n=2-2跃迁光谱的波长和相对线强度,通过与部分实验观测波长值比较可知,我们的计算值除个别外,与实验值符合得很好。     

Ir~( 49)M壳层共振自电离速率

研究了对电子碰撞激发速率共振自电离速率的影响，并且计算了类镍铱离子３ｄ到４ｌ共振激发速率，其作用对研究Ｘ射线激光设计、高温等离子体等诸多应用都有很重要的影响。     

富硅氮化硅／c—Si异质结中的电流输运机理研究

采用对靶磁控溅射方法在P型晶体硅（c—Si）衬底上沉积n型富硅氮化硅（SiNx）薄膜,形成了富硅SiNx／c—Si异质结．异质结器件呈现出较高的整流比,在室温下当V=4-2V时为1．3×10^3．在正向偏压下温度依赖的J—V特性曲线可以分为三个明显不同的区域．在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理,在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的,在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流（SCLC）传输机理为主．     

类镍铱离子光谱跃迁研究

重元素高电离的离子特性对研究激光核聚变和Ｘ射线激光等都很重要，本文用３ｄ＾９４ｓ，３ｄ＾９４ｄ，３ｄ＾９４ｐ，３ｄ＾９４ｆ组态相互作用研究了类镍铱离子光谱跃迁。