EFFECT OF CONFIGURATION INTERACTION ON EXCITATION AUTOIONIZATION CROSS SECTIONS

The effect of configuration interaction (CI) on the theoretical calculation of autoionization cross section for Li-like ions are studied in detail by employing the distorted wave Born exchange approximation. We consider the 1s²2s→1s2s2p and 1s²2s→1s2s3p transitions for Cs³⁺ and Al¹⁰⁺ ions. These two transitions account for the largest excitation autoionization cross section. It is found that the CI has a significant effect on the calculated results. The effect becomes larger with increasing atomic number.     

一种声发射信号方位角自适应监测算法*

四阶累积量可用于声发射信号处理,结合盲波束形成算法可对声发射信号的方位角进行估计。由于四阶累积量的计算量较大,采用迭代计算的思想,提出一种基于四阶累积量的自适应声发射信号方位角监测算法。与改进前的算法相比,自适应算法的计算复杂度和所需存贮空间均显著降低,可用于声发射信号的方位估计和监测。计算机仿真及实测数据分析均验证了算法的有效性。     

XPS研究N-Al共掺p型ZnO薄膜的传导特性

采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在α-Al2 O3衬底上制备了N-Al共掺ZnO薄膜样品.Hall测量表明室温下ZnAlO∶N薄膜为n型传导,在O2等离子体气氛中550℃退火后变为p型.p型ZnO薄膜的载流子浓度为2.1×1016 cm-3,霍尔迁移率为5 cm2/V·s.用X射线光电子能谱仪(XPS)对退火前后的ZnO薄膜进行了各元素的化学态分析.XPS结果表明,ZnAlO∶N薄膜中存在两种与N元素有关的缺陷,N原子替代O位形成的(N)o和N分子替代O位形成的(N2)o.退火后ZnAlO∶N薄膜中(N2)o缺陷减少,(N)o缺陷浓度占优导致了薄膜传导类型转变.     

Current transport in ZnO/Si heterostructure grown by laser molecular beam epitaxy

The n-ZnO/p-Si heterojunction was fabricated by depositing high quality single crystalline aluminium-doped n-type ZnO film on p-type Si using the laser molecular beam epitaxy technique. The heterojunction exhibited a good rectifying behavior. The electrical properties of the heterojunction were investigated by means of temperature dependence current density-voltage measurements. The mechanism of the current transport was proposed based on the band structure of the heterojunction. When the applied bias V is lower than 0.15 V, the current follows the Ohmic behavior. When 0.15V 0.6 V), the space charge limited effect becomes the main transport mechanism. The current-voltage characteristic under illumination was also investigated. The photovoltage and the short circuit current density of the heterojunction aproached 270 mV and 2.10 mA/cm 2 , respectively.     

在超临界CO2聚合反应中应用的表面活性剂的研究

概括了表面活性剂在以超临界CO2 为介质的分散反应和乳化反应中的应用研究进展。重点介绍了几种重要的表面活性剂的结构、机理及应用 ,并指出在应用超临界CO2 技术进行的聚合反应中 ,表面活性剂具有重要的作用及广阔的应用前景。     

计算机辅助设计在化学反应工程教学中的实践

在我国高等教育转型背景下,计算机辅助设计在化学反应工程教学中的实践为推动“应用型”人才的培养提供了实践案例。针对化学反应工程教学中的具体工业应用问题,编写了反应动力学、反应器设计的系列Fortran结构化程序,对课程教学大纲和教学计划进行了修订和调整。在此基础上,开展化学反应工程课程的计算机辅助设计教学,呈现典型反应器设计案例模拟结果。从课堂效果上看,形成了以学生为中心的教与学氛围,实现了理论与实践相结合的教学过程。     

热屏结构对大直径单晶硅生长影响的数值分析

采用有限元法计算了300 mm硅单晶生长过程中,热屏结构对炉体内温度分布、熔体中流场以及晶体内热应力的影响.计算所用的模型涵盖了晶体生长过程中的主要物理现象,包括结晶潜热的释放、结晶前沿的形变、熔体中热和质的传输以及氧的输运等.计算结果表明使用直壁式热屏时,晶体-熔体界面变得更加平坦同时结晶前沿处的热应力大幅度下降,减少了发生宏观位错的可能性,此外熔体中的氧含量显著降低.     

Co/ZrO2/SiO2催化剂上费-托合成反应动力学研究Ⅰ. 反应途径分析

 采用单位键指标-二次指数势(UBI-QEP)方法对模型催化剂Co(0001)晶面进行了费-托(F-T)合成反应的反应能学分析,发现以不含氧的CxHy,s 作为中间体的表面碳化物机理在能量上较为合理,而CH2,s 作为链增长单体的链增长方式是能量上最有利的F-T合成反应途径. 在Co/ZrO2/SiO2催化剂上的非稳态实验研究中发现,在F-T合成的操作温度范围内,H2O的生成是主要的表面O的移去方式; CO解离和表面碳物种Cs加氢可能是F-T合成中的重要速控步骤; 链增长过程是F-T合成反应中较快的基元反应步骤; 甲烷的生成具有多种不同活性的表面前驱体,导致生成的甲烷严重偏离经典的ASF分布规律. 结合F-T合成表面反应的研究结果,初步确定了F-T合成动力学研究中需要考虑的机理模型的范围是以CO解离和表面碳物种Cs加氢为速控步骤,以CH2,s 插入为链增长途径的表面碳化物机理. 该结果缩小了待选动力学模型的范围.     

Structural, curvature and electronic properties of Rh adsorption on armchair single-walled carbon nanotube

This paper systematically studies the rolling effects of the (n, n) single-wall carbon nanotubes (SWCNT) with different curvatures on Rh adsorption behaviours by using density functional theory. The outside charge densities of SWCNTs are found to be higher than those inside, and the differences decrease with the increase of the tube radius. This electronic property led to the discovery that the outside adsorption energies are higher than the inside ones, and that the differences are reduced with the increase of the tube radius. Partial density of states and charge density difference indicate that these strong interactions induce electron transfer between Rh atoms and SWCNTs.     

Rh在单壁碳纳米管上吸附的密度泛函理论研究

本文利用密度泛函理论研究了Rh原子在（6,6）单壁碳纳米管内外的吸附行为. 通过对Rh在单壁碳纳米管上不同吸附位的吸附构型与吸附能的研究发现: Rh吸附在管内、外的洞位最稳定, 且管外吸附比在管内强. 这是由于单壁碳纳米管的卷曲效应使得管外电荷密度比管内大造成的. 态密度分析表明, 吸附在管内外的Rh原子的5s电子均转移到了4d轨道上; Rh原子4d轨道上的电子转移到了（6, 6）碳管上, 使Rh带正电, 碳管带负电. 结合能带分析表明, Rh原子吸附在管内磁性较弱, 而吸附在管外较强. 关键词： 密度泛函理论 单壁碳纳米管 Rh原子 吸附