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用电沉积和滴涂的方法依次将L-半胱氨酸、纳米金、DNA、壳聚糖修饰在金电极表面,制备了稳定性、响应性良好的修饰电极(L-Cys/Au colloid/DNA/CS/Au/CME)。考察了影响实验结果的关键因素,确定了最佳实验条件,进一步采用循环伏安法和差分脉冲伏安法研究了布洛芬在L-Cys/Au colloid/DNA/CS/Au/CME上的电化学行为。在最佳实验条件下,当布洛芬浓度在1.0×10~(-7)~1.0×10~(-4) mol/L范围内时相应的氧化还原峰电流与浓度呈现良好的线性关系,检出限(S/N=3)达2.3×10~(-8) mol/L。结果表明,该修饰电极对布洛芬有良好的响应性能,据此建立了一种测定布洛芬的新方法。 相似文献
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超高效液相色谱-串联质谱法同时测定保健食品中丙磺舒、别嘌醇和苯溴马隆 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了基于QuEChERS前处理的超高效液相色谱-串联质谱(UPLC-MS/MS)同时测定抗痛风类保健食品中别嘌醇、丙磺舒和苯溴马隆3种药物的检测方法。样品经含0.1%(v/v)氨水的乙腈溶液超声提取后,采用乙二胺-N-丙基硅烷(PSA)和十八烷基键合硅胶(C18)吸附剂净化,用C18色谱柱进行分离,0.1%(v/v)甲酸水溶液和甲醇为流动相进行梯度洗脱,采用电喷雾电离源、正负离子切换模式和多反应监测(MRM)模式检测。结果表明,别嘌醇、丙磺舒和苯溴马隆的检出限分别为5、25和25 μg/kg,定量限分别为17、80和80 μg/kg。抗痛风类保健食品中3种药物的平均加标回收率为76.8%~116.6%,相对标准偏差(RSD)为2.7%~14.6%。应用该法对68批次保健食品进行分析,其中1批次样品检出别嘌醇药物。该法操作简单,灵敏度高,可用于抗痛风类保健食品中别嘌醇、丙磺舒和苯溴马隆的测定。 相似文献
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电喷雾萃取电离质谱直接检测人体呼出气体中的乙腈 总被引:1,自引:0,他引:1
人体呼出气体携带大量的生理病理信息,在临床诊断和代谢组学研究中发挥着日益重要的作用。本研究在未对样品进行预处理条件下,采用电喷雾萃取电离质谱(EESI-MS)技术直接测定呼出气体中乙腈分子。在优化的实验条件下,结合多级串联质谱,有效地获得了人体呼出气体中乙腈含量的信息。对气相乙腈的检出限为5.71 pL/L,线性范围为76.4~1910 pL/L。以两名健康志愿者呼出气体为实例,实际检测了其中乙腈的含量分别为134.49和104.40 pL/L,相对标准偏差(RSD)分别为6.3%和7.2%。结果表明,本方法灵敏度高、精密度好、分析速度快、特异性强,能够承受呼出气体中复杂基体的影响,适合于呼出气体中痕量乙腈的直接半定量检测,也可为呼出气体中其它小分子物质的检测提供新思路。 相似文献
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L-半胱氨酸修饰银电极及其对铜离子的电化学测定 总被引:2,自引:0,他引:2
引 言半胱氨酸 (cysteine)是自然界 2 0种基本蛋白质的重要成分之一 ,具有良好的电化学活性。同时 ,半胱氨酸 (CyS)含有极活泼的巯基 (-SH) ,易于通过形成Au S和Ag S键吸附于金、银电极表面 ,借此可将CyS引入电极表面制成修饰电极。本文采用自组装方法制备CyS修饰银电极 (CyS Ag/CME) ,并用此电极对可乐样品中Cu2 + 进行吸附伏安测定 ,取得了令人满意的结果。本方法具有简便、便捷的优点 ,检测限为 10 -9mol/L ,可满足某种程度上对Cu2 + 含量测定的要求 ,具有一定的实际意义。2 实验部分2 … 相似文献
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对3种单核钌配合物[Ru(bpy)2(paH)]PF6(1),[Ru(dmb)2(paH)]PF6(2),[Ru(phen)2(paH)]PF6(3)(bpy=2,2''-联吡啶,dmb=4,4''-二甲基-2,2''-联吡啶,phen=菲咯啉,paH=2-吡啶甲酸)进行合成,并通过元素分析、红外、核磁和电喷雾质谱对其进行表征。此外,对配合物进行了光谱学和电化学测试,电化学实验表明1~3在0.7~1.0 V范围内均有1个氧化还原峰,说明钌中心发生了氧化还原反应。最后通过MTT法(MTT为3-(4,5-二甲基噻唑-2)-2,5-二苯基四氮唑溴盐)对配合物进行了体外细胞毒性实验,结果表明:1~3对人乳腺癌细胞、胃癌细胞和肺癌细胞都表现出浓度依赖性,即随着配合物浓度的逐渐增大,细胞的存活率逐渐降低。值得注意的是2对乳腺癌细胞表现出非常明显的抑制作用(IC50=2.85μmol·L-1)。 相似文献
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采用反应性熔盐法在550℃下合成一种新型混合价硒代锡酸盐晶体(K2Sn2Se4).该晶体属于四方晶系,空间群为I4cm,晶胞参数a=0.81524(12)nm,b=0.81524(12)nm,c=0.67152(13)nm.K2Sn2Se4晶体具有一维链状结构,一维的1∞[Sn2Se4]2-链沿c轴方向无限扩展,K+插入链之间.K2Sn2Se4属于Zintl型化合物,具有半导体特性.漫反射光谱法研究结果表明,该化合物的光学能隙(Eg)为1.7eV. 相似文献
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