钴卟啉的合成及其催化性能的研究

本文报导了钴5,15-二(对-取代苯基)八烷基卟啉的合成,并讨论了卟环上不同对苯取代基对叶琳与金属钴配位反应速度的影响规律:推电子基团使反应速度减慢,即 配位反应变的速率方程均为:(-d[H₂P])/dt=k表观[H₂P],取代基的影响效应符合Hammatt方程的线性关系。此外,不同取代基卟啉对中心金属钴催化性能的影响是:推电子基增加催化活性,即 。     

H/Pt(111)体系的H-D交换反应和第一性原理计算研究

H2与Pt(111)表面之间的相互作用是Pt基催化剂催化加氢、催化脱氢和催化氢解等重要多相催化反应体系中的基元步骤.有关H2与Pt(111)之间的反应无论在实验和理论计算方面都开展了相当多的研究.热脱附谱(thermal desorption spectra,TDS),高分辨电子能量损失谱(high-resolution electron energy loss spectroscopy,HREELS),准弹性氦原子散射(quasielastic helium atom scattering,QHAS)和密度泛函理论(density function theory,DFT)等方法被广泛应用来研究H2在Pt(111)表面的解离,吸附,扩散和脱附等行为.然而有一些问题仍需要进一步的研究,特别是在Pt(111)表面吸附H原子(H(a))的覆盖度对其自身的表面化学性质的影响并没有系统的报道.我们结合Ha+Da交换反应和第一性原理计算系统研究了H/Pt(111)体系.TDS结果表明在较低H(a)覆盖度的时候只有单一H2脱附峰,位置在320K左右;随着覆盖度的增加,在245K又出现了一个新的H2脱附峰.两个H2脱附峰强度...     

新杂环化合物6,20-二硫杂-13,27-二氧杂三环[23,3,0,011,15]-3,8,17,22-四炔-二十八烷的合成及NMR结构鉴定

近年来,科学家先后从细菌分泌物中分离出几种含有环状"烯-二炔”的Calicheamicinγ1I[1～4]Esperamicin A1[5～7],Dynemicin A1[8]Neocarzinostatin 发色团[9～11],Kedarcidin发色团[12～13]等新型抗癌抗菌素,我们已做过评述[14].它们的"1,5-二炔-3-烯”部分经生物还原生成1,4-脱氢苯双自由基,从癌细胞DNA糖磷酯骨架上夺取氢原子,引起癌细胞DNA氧化断裂,杀灭癌细胞,因而有广泛的应用前景. 标题化合物是"烯-二炔”前体,以3,4-二(4′-甲磺酰氧-2′-丁炔基)四氢呋喃(1)为原料,在硫化钠作用下关环,得到了新杂环化合物(2).通过元素分析,红外光谱,质谱进行了分析,又进一步进行了1H NMR和13C NMR谱测定,并对其谱线进行归属,确证了结构.     

液态纯铁微观结构的温度变化特性

利用液态金属高温X射线衍射仪对纯铁熔体的微观结构进行了研究, 获得了结构因子、双体分布函数、原子间最近邻距离以及配位数. 结果表明, 随着温度的升高, 结构因子和双体分布函数第一峰的高度逐渐降低; 原子间最近邻距离则先降低然后基本保持不变; 纯铁熔体的配位数和原子团相关半径在1600～1650 ℃的温度范围内有一个突变, 表明熔体中发生了结构转变; 对相关半径的物理意义进行了探讨.     

BPh-2(mqp)的电子结构和光谱性质的含时密度泛函理论研究

采用abinitioHF和DFTB3LYP方法,对配合物BPh₂(mqp)基态结构进行优化,分析了前线分子轨道特征和能级分布.用abinitioCIS方法优化体系激发态结构.用含时密度泛函理论(TD-DFT)对BPh₂(mqp)的电子光谱进行了研究.结果发现,该物质是配体发光配合物,其发光源于mqp配体内π^*→π的电子跃迁.这表明在mqp配体上进行修饰,可有效地影响配合物前线分子轨道分布,达到调整发光波段的目的.     

Si基外延GaN中缺陷的腐蚀研究

本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.     

加替估商法新探

正我国古代发明的洛书已有2500年的历史,把洛书译成数字,就是下图:洛书的结构十分严谨而又科学,当今许多算法算具常用的一些数字对应关系都被它揭示出来了。洛书中方位相邻而右旋的替数(也称偶同数),如:2与7,6与1,8与3,4与9,还有一替数:5与0独坐中央,如果我们按洛书所揭示的替数规律去做,除法估商就不难了。     

固定设计点的半参数回归模型的M估计的渐进分布

讨论了固定设计点的半参数回归模型的大样本性质,得到了模型的Ｍ估计的渐进分布,并建立了关于参数的检验。数值模拟结果表明,本文提出的方法具有较好的稳健性。     

循环干涉型光纤陀螺及其光源

介绍了一种新型光纤陀螺及其关键器件。包括：（1）循环干涉型光纤陀螺的系统方案；（2）大功率超辐射发光二极管；（3）多功能光学发收模块，它们是国内光纤陀螺研制中急待解决的关键技术。采用模块化结构和微光电机系统（MOEMS）是国外光纤陀螺的发展方向。     

Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究

用高温AlN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜.通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响.结果表明:温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌.