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701.
702.
703.
以8个汴梁西瓜品种(京引21、花皮88、圳板、郭牟、金玫黑、金小兰、日本瓜和蜜玫绿)为实验材料,采用样本率的显著性检验t、检验及单因素方差分析方法,研究了26~28 MPa的高氮气压及50~150 MPa的高静水压处理种子对西瓜出苗率、叶绿素含量、过氧化物酶活性、单瓜重、含糖量等生长特性的影响。结果表明:高压处理会显著(P0.05)或极显著(P0.01)地降低西瓜的出苗率和幼苗期叶片的类胡萝卜素含量,提高幼苗期叶片的叶绿素a含量和过氧化物酶的活性。高压处理种子对于含糖量和单瓜重这两个农艺性状的影响,品种间存在较大差异。其中,在50~150 MPa高压下处理种子20 min主要影响日本瓜(P0.001)和金小兰(P0.092)的单瓜重以及郭牟的含糖量(P0.064)。 相似文献
704.
通过推广的Jacobi椭圆函数展开法,借助Mathematica软件,求出了带强迫项变系数组合kdv方程一系列新的精确解,部分解在极限情况下退化为类孤立波解和类三角函数解,丰富、简化和发展了已有的结果. 相似文献
705.
706.
707.
用X射线光电子能谱(XPS)研究了在室温和超高真空条件下金属Ti淀积在AlN陶瓷表面上的化学反应过程.在金属Ti淀积之前,从AlN陶瓷的能谱中的Ols和Al2P的结合能可以看到因是样品的主要杂质,而且样品表面部分的Al被氧化.当样品淀积了金属Ti以后,发现刚淀积上去的Ti是氧化状态,还发现在Ti淀积的同时则Nls在高结合能处(402和406eV)出现新峰.随着Ti淀积厚度的增加,Ti低结合能的成份在增加而Al的氧化成份逐渐增加,Nls高结合能处的峰(402和406eV)也逐渐增高,更进一步成为主导地.N在
关键词: 相似文献
708.
The crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth (ELO) on sapphire (0001) substrates was investigated
by using double crystal X-ray diffraction (DC-XRD). It was found that ELO GaN stripes bent towards the SiNx mask in the direction perpendicular to seeding lines. Each side of GaN (0002) peak in DC-XRD rocking curves was a broad peak
related with the crystallographic tilt. This broad peak split into two peaks (denoted as A and B), and peak B disappeared
gradually when the mask began to be removed by selective etching. Only narrow peak A remained when the SiNx mask was removed completely. A model based on these results has been developed to show that there are two factors responsible
for the crystallographic tilt: One is the non-uniformity elastic deformation caused by the interphase force between the ELO
GaN layer and the SiNx mask. The other is the plastic deformation, which is attributed to the change of the threading dislocations (TDs)—from vertical
in the window regions to the lateral in the regions over the mask. 相似文献
709.
2003年12月9日,伴随着贝多芬英雄交响曲的乐章,吴杭生先生的夫人、儿子、亲友、学生和同事将手中的鲜花放到他面前,向这位同命运抗争一生的英雄,这位视物理学为自己生命、求索一生的学者最后告别. 相似文献
710.