Study of depth-dependent tetragonal distortion of quaternary AIInGaN epilayer by Rutherford backscattering/channeling

<正>A 240-nm thick Al_0.4In_0.02Ga_0.58N layer is grown by metal organic chemical vapour deposition,with an over 1-μm thick GaN layer used as a buffer layer on a substrate of sapphire（0001）.Rutherford backscattering and channeling are used to characterize the microstructure of AlInGaN.The results show a good crystalline quality of AlInGaN(x_min= 1.5%) with GaN buffer layer.The channeling angular scan around an off-normal（1213） axis in the {1010} plane of the AlInGaN layer is used to determine tetragonal distortion e_T,which is caused by the elastic strain in the AlInGaN.The resulting AlInGaN is subjected to an elastic strain at interfacial layer,and the strain decreases gradually towards the near-surface layer.It is expected that an epitaxial AlInGaN thin film with a thickness of 850 nm will be fully relaxed （e_T=0）.     

火焰原子吸收光谱法测定环境样品中生物可利用镉

采用火焰原子吸收光谱法,结合3步连续萃取,测定了环境样品中的生物可利用镉的含量,该方法的检出限为0.029mg/L,加标回收率94.0%-103.2%,相对标准偏差(RSD)3.9%-4.9%,测定结果准确可靠.     

Charge Transport and Magnetotransport Properties of Polyimide Irradiated by 80keV Co Ions

Charge transport properties of polyimide films implanted with 80 keV Co ions at two different fluences （series I： 1.25 × 10^17 ions/cm^2, series Ⅱ： 1.75 × 10^17 ions/cm^2） are studied in detail. For series I, the temperature dependence of surface resistivity fits Mott＇s equation very well. It is on the insulating side of the insulator-metal transition （IMT）. However, for series Ⅱ, the temperature dependence of surface resistivity is not in agreement with Mott＇s equation. It is on the metallic side of lMT. The magnetotransport properties of these two series are also studied. No significant magnetoresistive effect is observed for series I at both 5 K and 300 K. For series Ⅱ, an obvious magnetoresistive effect is observed at 5 K, while there is no magnetoresistive effect at 300 K. Rutherford backscattering spectrometry （RBS） is applied to confirm the actual fluence for these two series.     

利用宇宙线对BESⅢ量能器CsⅠ（Tl）晶体探测器单元的测量

利用宇宙射线进行探测器模型的性能测试是高能物理普遍采用的方法，其中最重要的步骤之一就是确定宇宙线入射的准确位置和径迹．多数采用丝室探测器来进行宇宙线的精确定位，需要很高的造价和复杂的电子学系统．本文介绍一种简单的定位方法，采用塑料闪烁体条加波移剂光纤编码读出的方式，可以实现精度为1cm的定位．据此建立了一套实验装置，对BESⅢ电磁量能器CsⅠ（Tl）晶体探测器单元的光输出强度和不均匀性进行了测量．     

热流计校准装置自适应温度控制方法研究

以热流计校准装置为研究对象,建立了热板温度仿真模型。根据模糊控制原理和BP神经网络原理,分别设计了模糊PID控制器和BP神经网络PID控制器,并在Matlab的Simulink下进行了不同控制方法的仿真对比实验。仿真结果表明:模糊PID有更快的响应速度、更短的稳定时间,BP神经网络PID有更小的超调量。     

888 nm LD抽运Nd∶YVO4被动锁模皮秒振荡器

报道了基于888 nm半导体抽运Nd∶YVO4晶体连续被动锁模的皮秒振荡器。通过热激发抽运方式改善激光器的热性能,提高锁模振荡器输出的平均功率与单脉冲能量。利用半导体可饱和吸收体(SESAM)实现激光器锁模运转的启动与维持。在抽运功率为60 W时,获得最大输出功率为15 W,重复频率为53 MHz的皮秒脉冲输出,光-光转换效率为24%。在输出功率为15 W时脉冲宽度为45 ps。     

超薄金壳包覆NaYF4:Yb,Er@SiO2纳米结构的可控合成与表面增强上转换荧光

利用原位还原法成功制备了尺寸均一、超薄完整金壳包覆的NaYF₄:Yb,Er@SiO₂@Au（NSA）纳米结构,其XRD、TEM、EDX、HRTEM-HAADF、Mapping及吸收光谱表征结果表明,SiO₂壳及纳米金壳的平均厚度分别约为5 nm和2 nm。在980 nm连续激光激发下,系统研究了核壳结构的上转换荧光强度与氯金酸浓度的依赖关系。稳态光谱结果显示,NSA与仅SiO₂包覆样品（NS）相比Er³⁺的红绿荧光强度均增强了~2.8倍。通过分析上转换荧光动力学过程及利用FDTD方法模拟,讨论了表面等离激元增强上转换荧光的机制。     

收缩喷嘴中的湍流Ⅰ——边界层解

应用边界层积分法,研究锥形喷嘴入口区域中湍动涡流的发展.球面坐标系中的控制方程,通过边界层的假定得到简化,并对边界层进行了积分.应用4阶Adams预测校正法求解该微分方程组.入口区域的切向和轴向速度,分别应用自由涡流和均匀速度分布来表示.由于缺乏收缩喷嘴中涡流的实验数据,需要用数值模拟对该发展模式进行逆向验证.数值模拟的结果证明,该解析模型在预测边界层参数中的能力,例如边界层的生长、剪切率和边界层厚度,以及不同锥度角时的涡流强度衰减率等.为所提出的方法引进一个简明而有效的程序,用以研究几何形状收缩设备内的边界层参数.     

一类捕食-被食系统的全局渐近稳定性

本文对如下形式的具分布时滞的捕食－被食系统：通过构造Ｌｉａｐｕｎｏｖ泛函,得到了该系统正平衡解全局渐近稳定的充分条件,所得结果包括了一些相关的已有结果为其特例。     

大电流超导材料临界电流的感应法测量

文中总结了感应法测量大电流超导材料临界电流的方法 ,叙述测量的原理及装置 ,分析对环电流进行定标时可能产生的误差及减少误差的措施 ,给出计算结果 ,并对之进行讨论