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强碱NaOH和活性剂PVP的共同辅助下,溶剂热法制备出均匀规则的立方Fe3O4亚微晶(~500nm).实验发现NaOH和PVP对立方Fe3O4亚微晶的形成起了重要作用.样品物相用X射线衍射(XRD)仪表征,形貌通过电子扫描显微镜(SEM)和透射电镜(TEM)观测.所得样品的磁性用振动样品磁强计(VSM)测试.结果显示所... 相似文献
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三联吡啶钌电化学发光因其灵敏度高而常用于生物分析.然而,常用的共反应剂三丙胺,有毒性、易挥发性且具有腐蚀性.因此,寻找新的安全、灵敏、经济的共反应剂具有十分重要的意义.本工作考察了3种胺羧酸类化合物,乙二胺四乙酸(EDTA)、氨三乙酸(NTA)和2-羟基乙二胺三乙酸(HEDTA),作为三联吡啶钌电化学发光共反应剂的可能并给出可能的机理.发现它们具有与三丙胺(TPA)不同的电化学发光行为,如不同的pH和表面活性剂响应.与传统观点不同,'-3羧基变成羧酸根离子后,可以提高电化学发光效率.在各自优化的条件下,以NTA,EDTA和HEDTA做共反应剂,三联吡啶钌的检出限分别为1,60和680fM.结果表明,NTA对三联吡啶钌电化学发光的激发效率可以比TPA更高,而且NTA的毒性、腐蚀性和挥发性小于TPA.本工作利用三联吡啶钌电化学发光建立一种高灵敏测定胺羧酸类化合物的方法,与文献报道的方法比,EDTA测定灵敏度提高4个数量级. 相似文献
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利用温度-浓度-密度关系,研究非Darcy多孔介质中的自由对流问题.对于不同的惯性参数、传递参数、Rayleigh数、Lewis数、Soret数和Dufour数,分析了非线性温度参数和浓度参数对非线性对流的影响.浮力对对流起着辅助的附加作用,当惯性作用不计时,切向速度随着非线性温度和浓度的增加而急剧地增加.然而,当惯性效应不为0时,非线性温度和浓度对切向速度的影响是有限的.对两个传递参数、惯性影响参数以及控制非线性温度和浓度的其他参数,取不同的数值时,浓度分布有点儿变化,并在不同的范围内传播.随着非线性温度和浓度的增加,传热/传质在很大的范围内变化,这取决于是Dacry多孔介质,还是非Darcy多孔介质.当所有的影响(惯性的影响、两个传递系数的影响、Soret和Dufour的影响)同时为0/不为0,在非线性温度/浓度参数以及浮力的共同作用下,分析了传热/传质的变化.发现在Darcy多孔介质中,温度和浓度以及它们的交叉扩散,对传热/传质的影响,要比非Darcy多孔介质要大.发现了浮力的负面作用,随着非线性温度系数的增加,传热/传质率是提高的,而随着非线性浓度系数的增加,传热/传质率是下降的. 相似文献
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通过分析磁性随机存储器(MRAM)的基本原理,及其与现有的静态存储器(SRAM)、动态存储器(DRAM)和快闪存储器(Flash)的性能比较,探讨了MRAM作为下一代新型存储器的应用前景. 相似文献
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5-乙酰(苯甲酰)基-4-芳基-3,4-二氢嘧啶-2(1H)-酮的质谱裂解规律 总被引:1,自引:0,他引:1
利用飞行时间质谱仪的高分辨本领和离子阱串联质谱技术研究了5乙酰(苯甲酰)基4芳基3,4二氢嘧啶2(1H)酮(1-5)的电子轰击质谱的裂解规律.将所有质谱离子的精确质量数据经OpenLynx软件导出其分子离子和碎片离子的元素组成.根据质谱裂解规律,主要质谱离子得到了归属,并经离子阱串联质谱技术加以证实.化合物1-3的质谱出现了丰度很强的分子离子峰,其中1和3的分子离子为基峰,证明此类化合物的结构相当稳定.但4和5的分子离子峰却很弱(相对丰度在4%以下),这是由于嘧啶环4位上的苯环分别含有强吸电子基团-NO2(在苯环的间位才有此效应)和-Cl(苯环的2和4位均含有氯)所致.化合物1-5的主要裂解包括:分子离子失去芳基形成丰度很高的阳离子(M-Ar)+;分子离子失去羰基形成中等强度的阳离子(M-RCO)+;分子离子失去氢原子所产生的(M-H)+峰,以及消除中性分子NH=C=X的嘧啶环破裂裂解.此外,所有化合物在低质量区都发现明显的苯基阳离子Ph+(m/z77).并且还提出个别化合物的几个额外裂解过程为:化合物4(分子中苯环的3位上含有硝基)出现的基峰(M-OH)+;化合物5(分子中苯环的2和4位上都含有氯原子)出现了的基峰(M-Cl)+;化合物3和5分别出现了m/z238(16%)和m/z241(29%)的特征离子峰,它们由相应的离子消除中性分子四员内酰胺生成查耳酮离子,该离子具有共轭大Π键而稳定存在. 相似文献
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70.
Resistance Switching Characteristic and Charge Carrier Self-Trapping in Epitaxial Pr0.7(Ca1-xSrx)0.3MnO3 Thin Films 下载免费PDF全文
Carrier injection performed in Pro.7 Cao.aMnOa junctions demonstrate resistance switching (RS) characteristic with dramatic changes in both resistances and interface barriers, which suggests a charge carrier self-trapping model in strongly correlated electronic framework. Un-stable RS behaviour without electric fields in epitaxial Pr0.7(Ca1-xSrx)0.3MnO3 (PCSMO) films shows dependences on insulator-metal transition temperature, which indicates that RS process is really related to the intrinsic property of carriers. The switched resistance of epitaxial PCSMO films also depends on the amount of current pulses, which shouM be another evidence of the carrier self-trapping model, similarly to the dependence on the amount of self-trapped charge carriers. 相似文献