均匀自由流动的非牛顿流体中连续表面上的磁流体动力学流动和热传递

分析在平行自由流动的非牛顿黏弹性导电流体中,连续平展表面移动时的稳态流和热传递特性,该流动处于横向均匀磁场作用下.以二阶流体构建它的本构方程,得到了速度分布和温度断面图的数值结果.讨论了诸如黏弹性参数、磁场参数和Prandtl数等不同物理参数对诸种动量和热传递特性的影响,并给出相关图示.     

七十年代的传热学(续)

下面根据传热的机理将传热研究课题进行分类。当然,每种分类法都具有一定的任意性,并且有些是重复的。下面所提的各个项目都尽可能构成严格的研究课题。为便于查阅,大部分项目都注明应用分类的原编号(A,B,C,……)。这种按传热机理分类法可能给人们一种错觉,以为各种类型的传热方式都是独立存在的。事实上,在一个实际的传热问题里,往往有多种类型的传热过程同时存在。所以,希望读者不致在这方面产生误会。下面的排列次序先后并不表示课题的重要与否。     

SiC粒子非均布引起铝基复合材料的损伤分析

 根据电镜断面考察结果，以Gurson模型为本构方程的有限单元 法对包体模型及三维非均匀模型进行了详细分析. 为了评价应力-应变 关系及损伤的主要因素，考虑了基体中SiC粒子的体积率和径比的非均 匀分布. 其结果表明，用这种非均匀模型能很好地仿真铝基体在大量塑 性变形之后所发生的韧窝破坏过程. SiC粒子体积率、径比及其位置的 非均匀性，对局部和整体损伤过程与应力-应变关系的影响相当大. 当 Sic粒子径比为1.0，并在基体中均匀分布时，断裂应变会大幅度增大.     

三次谐波的再吸收和AC Stark效应对CO的三光子共振多光子电离光…

本文报道了三光子共振条件下ＣＯ的Ａ＾１П←Ｘ＾１Σ＾＋跃迁的多光子电离光谱。并研究了谱线强度的反常压力效应以及谱线的位移和不对称加宽。通过园偏振激光实验，证实了此光谱来源于ＣＯ分子吸收其自身介质中的激光诱导的三次谐波；并利用相位匹配条件在理论上解释了实验中所观察到的谱线强度的反常压力效应。与此同时，研究了ＡＣＳｔａｒｋ效应引起的谱线位移和不对称加宽。并首次对此效应进行了定量计算，其结果和实验观测值     

物理题三则

1.两球平行地作无转动的直线运动,如图1,a所示。在某一时刻两球的表面相接触,如图1,σ所示。此时由于摩擦之故它们开始转动,情况如箭头所示。在接触以前两球的动量矩等于零,因为它们没有转动,因此在转动以前说系统的动量矩之和等于零。接触后两球按同一方向转动,(图1,σ)所以动量矩之和不再等于零,但这个结果违反了动量矩守恒定律。上面的叙述错误在那里? 2.一球从斜面滚下     

单扬声器的管道有源吸声器

本文提出了以抵消法进行检测的单扬声器有源吸声结构,并研究讨论了声学行波探管应用于自适应有源吸声系统。声学行波探管可以完成信号检测及延时两部分功能,并可避免管道中气流对传声器的影响及损害。用单只扬声器的抵消接收法的有源吸声方式对低频及窄带噪声效果良好。有效消声频率范围从50—500Hz,最佳消声指数对单频声接近50dB,对1/3oct带宽噪声18dB对1oct带宽噪声为10dB。     

安德列亦·安德列也維奇·馬爾科夫——(五十週年誕生日)

1955年9月22日是卓越的蘇維埃數學家、蘇聯科學院通訊院士、列寧格勒國立大學教授安德列亦·安德列也維奇·馬爾科夫(?)年滿五十週歲誕生日。安德列亦·安德列也維奇的童年和青年時代,是和他父親經常處在一起而渡過的。他父親就是院士安德列亦·     

物理公式中的比例常数

在某些物理教科書中介紹新物理量的定義時常用到比例常數?在福里斯和季莫列娃合編的普通物理學第一卷21頁中我們讀到:“匀速運動的速度v,是一個與所通過的路程s成正比、與通過這一段路程所用的時間t成反比的物理量。這個關係可以用数學表示為v=K s/t,其中K是比例常數”诹硪恍┙炭剖橹杏植挥帽壤刀阉俣榷x為所通過的路程与通過這一段路程所用的時間的比。     

直观Menger内积空间及其在积分方程中的应用

首先引出和定义了直观的Menger内积空间的概念,然后在完备的直观的Menger内积空间中得出了一个新的不动点定理.作为应用,利用文中所得的结果,研究了线性Volterra积分方程解的存在性和唯一性.     

Difference of Oxide Hetero-structure Junctions with Semiconductor Electronic Devices

Charge carrier injection is performed in Pr0.7Ca0.3MnO3 （PCMO） hetero-structure junctions, exhibiting the stability without electric fields and dramatic changes in both resistance and interface barriers, which are entirely different from behaviour of semiconductor devices. The disappearance and reversion of interface barriers suggest that the adjustable resistance switching of such hetero-strueture oxide devices should associate with motion of charge carriers across interfaces. The results suggest that injected carriers should be still staying in devices and result in changes of properties, which lead to a carrier self-trapping and releasing picture in a strongly correlated electronic framework. Observations in PCMO and oxygen deficient CeO2-δ devices show that oxides as functional materials could be used in mieroeleetronics with some novel properties, in which the interface is very important.