水溶性PAN-S的制备及其性质的研究

PAN是常用的分析试剂,在光度分析和螫合滴定中应用颇广。但试剂本身难溶于水,一般是配成乙醇溶液使用。为增大试剂的水溶性,我们直接将PAN磺化和用2-氨基吡啶的重氮盐与β-萘酚-6-磺酸偶合的方法,制备含有磺酸基的PAN(简称PAN-S),并对其性质作了初步探讨。 (一)水溶性PAN-S的制备 1.磺化法 (1)发烟硫酸的用量:称取纯PAN 0.500g,在室温为20℃,加入不同量的20％发烟硫酸,反应一小时,观察磺化程度,结果见表1。     

钒氧阴离子团簇与小分子碳氢化合物反应的实验和理论研究

为了在分子层次上揭示相关催化反应的机理, 人们对过渡金属氧化物团簇与碳氢化合物分子反应进行了大量研究. 相比于过渡金属氧化物团簇阳离子, 阴离子对一些碳氢化合物的活性弱得多, 因此研究还很少. 在本工作中, 我们通过激光溅射产生钒氧团簇阴离子VxOy, 产生的团簇在接近热碰撞条件下与烷烃(C2H6和C4H10)以及烯烃(C2H4和C3H6) 在一个快速流动反应管中进行反应, 飞行时间质谱用来检测反应前后的团簇分布. 在VxOy与烷烃的反应中, 生成了产物V2O6H-和V4O11H-; 在与烯烃的反应中, 产生了相应的吸附产物V4O11X-(X=C2H4或C3H6). 密度泛函理论计算表明: V2O-6和V4O-11可以活化烷烃(C2H6和C4H10)的C—H键, 也可以与烯烃(C2H4和C3H6)发生3+2环化加成反应形成一个五元环结构(-V-O-C-C-O-), C—H键活化与环加成反应都需经历可以克服的反应能垒. 理论计算与实验观测结果相符合. V2O-6和V4O-11团簇都具有氧原子自由基(O·或O-)的成键特征, 活性O-物种也经常出现在钒氧催化剂表面, 因而本研究在分子水平上, 揭示了表面活性氧物种与碳氢化合物反应的机理.     

TPPS4浸渍树脂对镉吸附性能的研究

本文用ｍｅｓｏ－四（４－碳酸苯基）卟啉处理１３００－Ⅱ型大孔吸附树脂制得县有相应卟啉基团的浸渍树脂（ＴＰＰＳ４浸渍树脂），并用静态法求得ＴＰＰＳ４浸渍树脂吸附镉的最佳ｐＨ，平衡速率、吸附容量、吸附物组成及热力学函数等．     

CS2在Ag-S键中的插入反应的研究(PPh3)2 Ag(S2CSBu^t)

白色的[Bu^tSAg]nPPh3溶于CS2中, 析出桔黄色晶体. 经X射线单晶结构分析其结构为(PPh3)2Ag(S2CSBu^t). 发现了一个CS2在Ag-S键中的插入反应. 此反应为可逆反应, 晶体在120-130℃失去CS2. 晶体属三斜晶系, 空间群P1,a=10.571(1), b=13.638(3), c=14.391(3)A, α=88.75(2), β=72.84(1), γ=80.58(1)°, V=1954.9A^3, Dc=1.36g/cm^3, Dm=1.36g/cm^3, Z=2. 3572个衍射点参与修正, R=0.045, Rw=0.043, Ag原子以变形四面体与硫代黄原酸配体Bu^tS-CS2的两个S原子及两个PPh3的P原子配位. 插入反应形成的CS3基团基本上共面, 其C-S键长比CS2中的键长明显加长, 而比单键的C-S键长要短, 并在红外光谱上出现特征吸收峰.     

The Second Threshold Field of Charge-Density-Wave Conductor Rb0.3MoO3 in High Temperature Range

The switching and threshold properties of quasi-one-dimensional charge-density-wave conductor rubidium blue bronze Rb0.3MoO3 single crystals are investigated in a comparative high and large temperature range. Beyond the limit temperature 50K of Littlewood‘s theory, even up to about lOOK, typical sharp switching to negative or zero differential resistance is observed in E-I characteristic curves. Correspondingly, an obvious switching between two conducting states, from a lowly conducting state to a highly conducting state, is observed in the I-E characteristic curves in the same temperature range. Temperature dependence of the second threshold field ET2 accompanied by this kind of high field switching behaviour is firstly obtained. These new observations are discussed in the mechanism of the current inhomogeneity and redistribution due to the existence of transverse energy barriers suggested by Zhang et al. [Solid State Commun. 85 (1993) 121]     

生活中的电学现象

电与人们的生活息息相关，引导学生利用所学过的物理知识分析生活中的电学现象，不仅能培养其观察能力，还能激发学习的兴趣，提高应用能力．下面是几个与生活实际相联系的电学问题．     

非线性Dirac方程的数值研究

1 引言非线性Dirac方程在相对论量子物理里有广泛应用,可用于描述基本粒子的一些重要物理现象．本文考虑一维Dirac方程     

细晶金属铝的制备及力学性能

从99.7%的金属铝粉出发,通过机械球磨制粉及快速压锻烧结技术制备得到了高强金属铝块,拉伸性能测试表明,金属铝的抗拉强度为537 MPa,屈服强度为495 MPa。 电子显微镜分析表明,金属铝具有0.5~5 μm的显微组织。 高强金属铝的主要强化机制是细晶强化。 较低的制备成本适合大规模工业化生产。     

微接触印刷技术转移Au纳米粒子及氧化石墨烯复合图案及其性质研究

通过改良的“Hummers方法”制得氧化石墨烯,利用聚二甲基硅氧烷（PDMS）弹性印章的微接触印刷技术,以Au膜和氧化石墨烯溶液为“墨水”,通过二次印章转移,分别将Au纳米粒子和氧化石墨烯（Graphene Oxide,GO）转移至修饰了(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷（APTES）的ITO基底（APTES/ITO）表面. 利用场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、原子力显微镜（AFM）等表征图案,结果表明转移的AuNPs和GO组成的复合图案均匀,致密性较好. 利用表面电势显微镜（Surface Potential Microscope,SEPM,KFM）测定了各部分的表面电势,以APTES/ITO基底表面为表面电势零点,各部分表面电势大小为：APTES/ITO > GO > Au（0,-11.6,-44.2 mV）.     

镍表面三维微图形的复制加工

运用约束刻蚀剂层技术(CELT)在金属镍(Ni)表面实现三维微图形加工,以规整的三维齿状微结构作模板,获得可有效CELT加工的化学刻蚀和捕捉体系,在Ni表面得到了与齿状结构互补的三维微结构并应用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)表征刻蚀图案,证实CELT可用于金属表面Ni的三维微图形刻蚀加工．