第七届全国分析化学年会暨第七届全国原子光谱分析学术报告会紧急通知

考虑诸多因素 ,第七届全国分析化学年会暨第七届全国原子光谱分析学术报告会商定 ,两会合并、联合召开 ,统一组织、统一领导。会期 :2 0 0 0年 1 0月　　地址 :重庆市西南师范大学收稿截止日期 :2 0 0 0年 3月 3 1日 (以邮戳为准 )论文处理 :会议筹备组将组织专家对应征论文进行评审 ,决定取舍。录用的论文将安排在会上口头报告或报展 ,并在会前出论文集。请自留底稿 ,恕不退还。收稿地址 :两个收稿地址等效。1　重庆市西南师范大学化学化工学院周光明、黄玉明同志收 ,邮编 :4 0 0 71 52　北京海淀区学院南路 76号光谱与分析期刊社孟广政同…     

The effects of sapphire nitridation on GaN growth by metalorganic chemical vapour deposition

In situ optical reflectivity measurements are employed to monitor the GaN epilayer growth process above a low-temperature GaN buffer layer on a c-plane sapphire substrate by metalorganic chemical vapour deposition. It is found that the lateral growth of the GaN islands and their coalescence are promoted in the initial growth stage if optimized nitridation time and temperature are selected when the substrate is pre-exposed to ammonia. As confirmed by atomic force microscopy observations, the quality of the GaN epilayers is closely dependent on the surface morphology of the nitridated buffer layer, especially grain size and nucleation density.     

GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光

嵌入GaAs中的GaAsSb／GaInAs量子阱因其在1．3～1．5μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb／GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1．3μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰。变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现,高能峰只有在150K以上的测试条件下才能观测到,并且其相对强度随着温度的升高而增加,其调制光谱显示出第一类跃迁的特征。他们建立了理论模型,计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁,并与实验数据吻合得很好。同时初步讨论了改善1．3μm的低能峰发光的方法。     

InP的多声子红外吸收

利用高分辨的傅里叶光谱仪,在400—4000cm^-1和11—300K范围内,观察到一些其吸收系数为10^-1cm^-1的新弱吸收峰,频率位置为996,965,932,838,806,776,742,718,590,558,538cm^-1。从这些弱吸收峰的频率位置和温度依赖关系,可以认为它们是由于三声子的晶格吸收过程所引起的。对此,我们做了适当的指认。此外,我们首次利用红外吸收法证实,LEC(B₂O₃)-CZInP单晶存在B玷污,其玷污量大约是10¹⁶cm^-3。 关键词：     

Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths

Four blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum well(MQW) structures with different well widths are grown by metal–organic chemical vapor deposition. The carrier localization effect in these samples is investigated mainly by temperature-dependent photoluminescence measurements. It is found that the localization effect is enhanced as the well width increases from 1.8 nm to 3.6 nm in our experiments. The temperature induced PL peak blueshift and linewidth variation increase with increasing well width, implying that a greater amplitude of potential fluctuation as well as more localization states exist in wider wells. In addition, it is noted that the broadening of the PL spectra always occurs mainly on the low-energy side of the PL spectra due to the temperature-induced band-gap shrinkage, while in the case of the widest well, a large extension of the spectral curve also occurs in the high energy sides due to the existence of more shallow localized centers.     

《分析化学》在2000年度我国科技期刊入选"CA千种表"中位居第三

根据美国化学会出版的《Chemical Abstracts Service Source Index Qua rterly No.4》统计结果,2000年度我国(包括台湾地区)共有84种科技期刊进入"CA千种表"。《分析化学》位居第三,现将这些期刊列出如下：序号刊名CA千种表名次序号刊名CA千种表名次序号刊名CA千种表名次1科学通报(英文版)17529化学世界56557化学通报7872高等学校化学学报17630中国医院药学杂志57258 中草药792 3分析化学18631化学研究与应用57459药物分析杂志798 4中国化学快报(英文版)19032涂料工业58060无机化 学学报814 5高分子材料科学与工程29333第四军医大学学报58261 现代化工815 6物理学报33034光谱实验室59562工业水处理822 7食品科学34135色谱60763中国免疫学杂志831 8中国病理生理杂志35736广东微量元素科学61164材 料研究学报833 9化学学报36237黄金61965中国化学834 10中国物理快报(英文版)36338高能物理与核物理62166 燃料化学学报842 11功能材料38239催化学报63567腐蚀与防护846 12金属学报38440计算机与应用化学64068环境科学学 报858 13精细化工40241分析试验室64369应用与环境生物学 报864 14药学学报41242金属热处理64570化工学报872 15光谱学与光谱分析41543高分子学报67871化学物理 学报873 16理化检验(化学分册)41844石油炼制与化工68472冶 金分析876 BHDWG2*217中国药学杂志44745中国生物化学与分子生物学报690 73河南化工879 BHDWG1*318植物学报47146半导体学报69174生物化学与 生物物理进展885 19分析测试学报47247化工时刊69275植物生理学通讯 886 20中国药理学通报48648中国化学会会志(台北)69976 沈阳药科大学学报892 21材料保护48949金属热处理学报72277有机化学 907 22无机材料学报50850食品工业科技72778核技术 911 23应用化学52151华东理工大学学报75579分析科学学 报916 24中国医药工业杂志54352华西药学杂志76780铸造 924 25第三军医大学学报54953上海化工77581稀有金属材 料与工程945 26中国有色金属学报55454中国中药杂志77782生物化 学与生物物理学报951 27物理化学学报55855中华医学杂志77983环境科学 95628石油化工56356化学试剂78284中国油脂9厦门大学化学化工学院资料室黄秀菁     

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