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La,Ce,Nd和Pr对RE(NiCoMnTi)5贮氢合金电化学性能的作用机理 总被引:3,自引:0,他引:3
系统地研究了稀土(RE=La1-x-y-zCexNdyPrz)对贮氢合金RE(NiCoMnTi)5电化学性能的影响。结果表明,La、Ce、Nd和Pr比例对合金性能有显著影响,RE=La0.4Ce0.1Nd0.2Pr0.3时,对应合金具有最高放电容量,为290mAh/g,并有较好的循环寿命。从原子结构和性质角度分析了La,Ce,Nd和Pr作用的机理。 相似文献
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目的探讨急诊科预先启动导管室对ST段抬高心肌梗死(STEMI)患者再灌注时间及心肌损伤标志物水平的影响.方法选择2009-01—2010-06成功行急诊PCI的STEMI患者124例.按不同导管室启动模式分为A组54例和B组70例.A组:急诊科医师初步诊断STEMI后通知心内科医师会诊,后者确认后再通过导管室负责人并启动导管室;B组:急诊科医师初步诊断STEMI后直接通知导管室负责人,后者派心内科医师会诊的同时启动导管室.主要分析指标为急诊PCI相关时间:门-球囊(D2B)时间,门-心电图(D2E)时间,心电图-导管室(E2L)时间,导管室-球囊(L2B)时间.次要分析指标:CK-MB、肌钙蛋白I (cTnI)峰值.结果两组临床资料及冠状动脉造影(CAG)结果差异无统计学意义(均P>0.05).与A组相比,B组D2B时间缩短[ 相似文献
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在简要分析水利综合经营作用的基础上,针对水利综合经营工作中存在的主要问题,对建立现代企业制度,发展水利综合经营这一问题进行了分析探讨。 相似文献
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网络计划技术在建筑工程施工管理中的应用问题 总被引:5,自引:0,他引:5
根据建筑工程施工特点,指出了应用网络计划资本的重要性。从网络计划技术在建筑施工管理中的应用现状出发,阐述了应用中存在的主要问题,详细分析了其产生的原因,进而对提高应用水平的对策进行了讨论,章有助于网络计划技术更好地在施工管理中应用。 相似文献
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本文采用SCC-DFTB方法,研究了石墨烯在Ni金属(111)表面上的生长机理及在台阶面生长情况.结果分析表明,苯环在Ni表面吸附时以界面fcc构型总能最低,结构最为稳定.边缘生长时,附着在衬底表面上的石墨烯层中C原子活性从边缘向中间逐渐降低.在由(111)晶面和(1-11)晶面相交形成的台阶面上,石墨烯片层可连续生长,同时相对衬底表面发生一定偏转,在较大面积时将出现缺陷.改善石墨烯与衬底台阶处的界面不匹配情况将有利于其大面积高质量生长. 相似文献
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本文采用SCC-DFTB方法,研究了石墨烯在Ni金属(111)表面上的生长机理及在台阶面生长情况.结果分析表明,苯环在Ni表面吸附时以界面fcc构型总能最低,结构最为稳定.边缘生长时,附着在衬底表面上的石墨烯层中C原子活性从边缘向中间逐渐降低.在由(111)晶面和(111)晶面相交形成的台阶面上,石墨烯片层可连续生长,同时相对衬底表面发生一定偏转,在较大面积时将出现缺陷.改善石墨烯与衬底台阶处的界面不匹配情况将有利于其大面积高质量生长. 相似文献
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本文采用第一性原理计算方法, 研究了不同晶向硅纳米团簇与石墨烯复合结构稳定性及其储锂性能. 计算了不同高度、大小硅团簇与石墨烯复合结构的结合能, 复合结构中嵌锂吸附能和PDOS. 分析表明, 硅团簇和石墨烯之间形成较强的Si—C键, 其中[111]晶向硅团簇与石墨烯作用的形成能最高, 结构最为稳定. 进一步计算其嵌锂吸附能, 发现硅团簇中靠近石墨烯界面处的储锂位置更加有利于锂的吸附, 由于锂和碳、硅之间有较强电荷转移, 其吸附能明显大于其他储锂位置. 同时在锂嵌入过程中, 由于石墨烯的引入, 明显减小了界面处硅的形变, 有望提高其作为锂电池负极材料的可逆容量. 相似文献
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采用平面波超软赝势方法计算了过渡金属(TM)(Fe,Co或者Ru)掺杂钛酸纳米管的电子结构及光学性质.对TM取代钛酸纳米管层间间隙位H+的几何结构进行优化,发现掺杂对几何结构的影响较大,其中Co或者Ru掺杂的形成能均较低.此外,掺杂的TM与周围的O原子成键,有形成固熔体的趋势.掺杂后的能带结构分析表明:Fe,Co或者Ru掺杂导致钛酸纳米管禁带宽度减小并且于禁带中引入了新的能级,这主要归因于b1g(dx2-y2)及a1g(dz2)态的出现;部分杂质能级处于半填充状态,成为空穴的俘获中心,减少电子和空穴的复合;掺杂后,价带顶向低能方向移动,使价带中形成的空穴氧化性更强.最后,掺杂的钛酸盐纳米管的吸收光谱显示,Ru掺杂的钛酸纳米管导致其在可见光范围内有更强的吸收. 相似文献
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采用平面波超软赝势方法计算了锐钛矿型TiO2(101)面存在本征空位和间隙点缺陷的几何结构以及缺陷形成能.首先分析了点缺陷对表面结构的影响,发现不同类型缺陷导致缺陷周围原子有不同的位移趋势:O空位的产生导致空位周围的Ti原子向空位外移动,Ti1.和Ti2空位的产生均使OI自发地与周围的O原子团聚,OI原子易被周围的氧原子吸附而成键,而Ti2缺陷几乎对晶格结构没有产生影响.对TiO2(101)面上可能出现的几种点缺陷的形成能进行了计算,结果表明:在还原性气氛下,虽然Tii2和VOI缺陷均容易出现,但Tii2缺陷的形成能比VOI缺陷更低;而在氧化性气氛下,表面的OI和VTil缺陷较容易出现.最后,为了比较各种缺陷结构的稳定性,还计算了几种典型表面缺陷的形成焓. 相似文献
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