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本文介绍e-H_2、e-D_2和Ne密封三相点瓶的制作。使用方法和试验结果:e-H_2三相点Ttp(按IPTS-68)=13.81K。准确度±0.3mK,最好复现性±0.1mK;e-D_2Ttp(NPL-IPTS-68)=18.672_9K,准确度±0.5mK,最好复现性±0.3mK;NeTtp(NPL-IPTS-68)=24.561,K,准确度±0.2mK,最好复现性±0.1mK。e-D_2和Ne两点是IPTS-68次级固定点,给出的温度值受IPTS-68非唯一性限制1—2mK。 相似文献
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编辑同志: 读贵刊1985年第7期所载王学琳同志“关于自旋偶合与自旋分裂问题”一文后,觉得有些问题值得商榷。主要有如下两点:一、在王文68页中,有“高磁区 相似文献
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本文对如何从单一二维交换谱提取速率常数进行了理论分析,提出了一种近似处理方法,即把较短混合时间τ_m内在二维平面上磁化强度传递看成是单向进行的,进而导出了二维交换谱中所有峰强随τ_m变化的表达式。所得结果与Ernst的精确结果在一级近似下完全一致,在二级近似下略有不同,但将难以求解的问题转化成简单的代数方程、用这一方法对新近获得的SnCl_4·5H_2O在水溶液中的~(119)Sn二维交换谱进行了处理,得到与实验相吻合的结果,并求得了SnCI_6~(2-)水解体系的动态交换速率常数。 相似文献
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阳极氧化铝模板法可控制备金属纳米线和纳米管阵列的生长机制 总被引:2,自引:0,他引:2
利用阳极氧化铝模板(AAO)进行Ni的电化学沉积, 通过在溶液中引入螯合剂控制电解质的有效浓度和电沉积的过电位, 实现了Ni纳米线和纳米管阵列的可控制备. 通过分析电沉积过程中纳米线和纳米管在不同位置生长速率(侧壁(Vw)和底端(Vb))的控制因素, 我们提出了纳米线和纳米管生长的可能机制. 当电解质浓度高而还原电位更负(如-1.5 V)时, 或者当电解质浓度低而还原电位较负(如-0.5 V)时, Vw>Vb, 可以获得Ni纳米管阵列; 当电解质浓度高而还原电位较负(如-0.5 V)时, 或者当电解质浓度低而还原电位更负(如-1.5 V)时, Vw≈Vb, 可以获得Ni纳米线阵列. 这种生长机制适用于多种金属纳米管或者纳米线阵列的可控制备. 相似文献
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Quench is important and dangerous to superconducting RF cavities. This paper illustrates the mechanism of quench and how a quench detector works, and analyzes the quench events happening during beam operations and cavity conditioning. We find that the quench protection is mostly triggered by some reasons such as fluctuation of cavity voltage, multipacting or arc, rather than a real cavity thermal breakdown. The results will be beneficial to optimize the operation parameters of superconducting cavities, to discover the real reasons for beam trip by quench interlock, and to improve the operation stability of superconducting RF systems. 相似文献
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