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Eu:GGG纳米荧光粉体制备及其光学特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用液相共沉淀方法并在不同烧结温度下制得了Eu:GGG荧光粉体。用X射线衍射分析了样品的结构,计算了其晶格常数,为1.2371nm。室温下,测量了Eu:GGG的光致发射光谱、激发光谱和荧光衰减曲线。激发光谱在波长240~287nm的谱带内和393。。处有强的激发,分别来自于Eu^3+O2^-间的电荷迁移态吸收和Eu“的^7F0→^5L6的跃迁吸收,同时在274nm处也出现了Gd^3+的^8S7/2→^6I1的特征吸收。393nm激发下,591nm处的发射峰最强,对应Eu^3+的^5D0→^7F1的磁偶极跃迁,可能由于部分Eu^3+处于反演中心对称格位所致。随着烧结温度升高,Eu:GGG的发光强度增强,这可能由于随着烧结温度升高,样品晶粒尺寸变大,单位体积内被激发的Eu^3+离子数增加引起,而591nm发光的荧光寿命变短,可能是由Eu^3+离子的能量共振传递过程中发光被陷阱捕获所致。 相似文献
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用提拉法成功生长出了优质的Cr3+:Gd3Sc2Ga3O12晶体,测定了室温下的吸收光谱和不同温度下的荧光光谱,计算了晶场参数,发现荧光峰值及晶场参数与以前文献报道的均不相同.吸收光谱中,在458.5nm和642.5nm出现了较强的宽带吸收峰,分别对应于Cr3+的4A2→4T1和4A2→4T2的吸收跃迁,在678nm处又叠加了一个非常弱的吸收峰,对应于4A2→2T1的吸收跃迁.测试了晶体从7K到室温的荧光光谱和荧光寿命,在650~850nm范围内出现了宽带荧光,对应于Cr3+的4T2→4A2的发射跃迁.随着温度的升高,荧光峰向长波方向移动,荧光峰半高宽增大,室温下其荧光峰值在732nm,半高宽约为80nm.低温(7K)下的荧光谱中,在694nm处观察到了尖而锐的R线(零声子线),对应于Cr3+的2E→4A2的发射跃迁.由于温度猝灭效应,随着温度升高,晶体的荧光寿命降低,室温下荧光寿命约为114μs.计算了晶场强度参数Dq/B=2.49,4T2零声子能级与2E能级的间距△E为204cm-1,这些参数表明Cr3+处在较弱的晶场中,有利于4T2→4A2的宽带跃迁,Cr:GSGG晶体是较为理想的可调谐激光工作物质. 相似文献
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结合实际晶体的生长条件,探讨了不同温度、不同过饱和度下的甲酸钠和甲酸锂水溶液的Raman光谱,对谱峰进行认定和Gaussian多峰值拟合。分析温度、浓度、过饱和度及阳离子效应对溶液结构的影响,并比较分析甲酸锂溶液结构和一水甲酸锂晶体结构的差异。结果表明:在实验的条件下, 浓度、温度、过饱和度对溶液结构影响微小;阳离子对谱峰位置影响显著。 相似文献
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Judd-Ofelt光谱分析理论 总被引:10,自引:1,他引:9
对Judd-Ofelt光谱分析理论(J-O理论)的发展和应用进行了综述。J-O理论用于分析固体中的稀土离子的吸收、发射光谱,可计算它们的跃迁几率、谱线强度、能级寿命、发射截面等。在J-O理论中考虑J混合后,可使理论和实验结果更好地吻合。采用改进的J-O理论,可较好地对Pr3+光谱进行分析。由TPM方法,可用非极化光透射光谱来分析各向异性晶体的光谱性质,并且对样品的加工无特殊定向要求。对于重叠吸收光谱带,拟合J-O参数时可以近似为一个带进行处理。利用荧光寿命也可对J-O参数进行计算。 相似文献
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