测量材料热物性的准稳态方法与参数估计

测量材料热物性的准稳态方法与参数估计张欣欣，殷晓静（北京科技大学热能工程系北京１０００８３）关键词热物性，参数估计，准稳态测量方法１前言材料的导热系数人建立了热流密度与温度梯度的关系，表征物质的导热能力；体积热容量ｐＣ则表征单位体积物质的蓄热能力；对...     

1996年苏州市高三数学教学调研卷

１９９６年苏州市高三数学教学调研卷一、选择题：本大题共１５小题；第１－１０题每小题４分，第１１－１５题每小题５分，共６５分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后括号内。１．已知全集Ｉ为复数集，Ｒ为实数集，Ｍ为纯...     

基于一维离面电子散斑干涉仪对复合材料的无损检测

介绍无损检测技术、电子散斑干涉技术以及一种电子散斑干涉测量仪,对电子散斑干涉仪的基本原理和结构进行了简要描述。并用此仪器对碳纤维复合材料试样进行了检测,得到了满意的实验结果。     

具有立体异构特征的叶绿素类二氢卟吩衍生物的合成

以脱镁叶绿酸-a甲酯为起始原料,利用周环上的碳碳、碳氧和烯醇式复健,通过加成、取代、缩合和空气氧化等化学反应在色基上构建手性中心、顺反结构和阻旋位点.经过旨在扩大立体差异的化学修饰,对部分差向异构体进行了有效分离,完成一系列具有立体异构特征的叶绿素衍生物的合成,并通过UV,IR,1H NMR及元素分析证实了11个未见报道的二氢卟吩衍生物的化学结构,同时对不同立体异构的形成及其表征进行了讨论.     

高中数学课堂有效结尾“十招”

明代文学家谢榛曾经说过:起句当如爆竹,骤响易彻,结句应如撞钟,清音有余.巧妙的课堂结尾为一堂数学课的精彩留余味,对整堂课能起到画龙点睛的效果.     

充液弯管连续/离散模型振动的动刚度解法

由充液弯管三维振动模型切入,应用动刚度法构建了弯管及直管单元的振动求解方法,进而用于组装求解充液管系的振动,可同时适用于含弯管单元的连续模型或只含直管单元的离散模型;通过算例对比,证明动刚度法比传递矩阵法和有限元法在计算效率和精度上有所提升;与充液L型管道振动实验测得的加速度频响曲线对比,验证了本文对于管道组装的计算方法的有效性,此外还分析了连续模型和离散模型的区别及适用范围。     

高性能保偏光纤的关键应用特性研究

开发出一种高性能保偏光纤的制造工艺,并制备出包层直径为80μm的细径高性能保偏光纤。试验表明：该光纤具有优良的全温（-50℃～85℃）偏振串音性能,光纤全温串音变化典型值在3．23dB,具有良好抗弯曲性能和良好的端面研磨性。     

铋酸钠催化大气压介质阻挡放电降解苯胺

在柱-板式介质阻挡放电体系中投加铋酸钠催化剂,研究了该体系的放电光谱特性及对苯胺模拟废水的协同处理效果,考察了pH 值、苯胺初始质量浓度及催化剂投加量等因素对降解率的影响,探讨了铋酸钠协同介质阻挡放电(DBD)催化降解苯胺的机理。实验结果表明,柱-板式电极结构放电过程中辐射出了紫外光和可见光,300~450 nm之间出现高强度N2第二正带谱线。初始浓度100 mg/L苯胺废水被处理10 min后,投加0.2 g/L催化剂时溶液的TOC去除率最高,比单独DBD低温等离子体体系提高14.11%。在碱性条件下,苯胺和TOC的去除率均好于酸性和中性条件。XRD检测结果显示铋酸钠在反应前后峰值位置未发生明显改变。     

Impact of energy straggle on proton-induced single event upset test in a 65-nm SRAM cell

This paper presents a simulation study of the impact of energy straggle on a proton-induced single event upset(SEU)test in a commercial 65-nm static random access memory cell. The simulation results indicate that the SEU cross sections for low energy protons are significantly underestimated due to the use of degraders in the SEU test. In contrast, using degraders in a high energy proton test may cause the overestimation of the SEU cross sections. The results are confirmed by the experimental data and the impact of energy straggle on the SEU cross section needs to be taken into account when conducting a proton-induced SEU test in a nanodevice using degraders.     

重离子辐照带有ECC的65 nm SRAM器件“伪多位翻转”特性研究

为了提高纠错编码（ECC）的有效性,先进的静态随机存储器（SRAM）多采用位交错结构。但是,在没有物理版图信息的情况下,位交错设计使得从辐照测试数据中提取出多单元翻转（MCU）变得更加困难。运用Bi离子辐照带有ECC的65 nm SRAM器件,研究了该款器件在重离子辐照下的敏感性。为"伪多位翻转（FMBU）"以及MCU的数据分析提供了理论指导和帮助,完善了判别MCU的基本法则。除此之外,研究结果表明,ECC的汉明编码对于纳米器件的效果不够理想。在未来的空间应用中,需考虑更高层次的编码算法来抵抗单粒子翻转。In order to improve the robustness of error-correcting codes (ECC), modern static random access memory (SRAM) always use bit-interleaving structure. However, in the absence of physical layout information, the bit-interleaving design makes it more difficult to extract the multiple-cell upset (MCU) from the test data. In this paper, the sensitivity of Bi ion irradiation was investigated in a 65 nm technology SRAM with ECC. The experimental results provide a theoretical guidance and help for the fake multiple-bit upset (FMBU) and MCU data analyzing, which improve and perfect the basic rules extracting MCU from the test data. In addition, the results show that the performance of hamming encoding is not ideal in Nano scale SRAM. In the future of space applications, it is necessary to consider more advanced algorithms to against SEU.