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161.
文中从实验和计算两方面报道了在514.5 nm激发光下P-Thiocresol吸附在银胶表面系统的表面增强拉曼散射(SERS).文中分析了它的增强机制,发现增强主要来自于电磁场增强.如果考虑距离为2nm的两个银纳米粒子的耦舍效应,两粒子之间的SERS的电磁场增强为7.16 × 107.静态化学增强亦起到部分增强作用,它的增强倍数为6.所以,总的SERS增强,包括静态化学增强和电磁场增强,是Gtotal=Gsc ×GEM=4.4×108.我们也理论地研究了此系统的表面增强共振拉曼散射(SERRS).当激发光与P-Thiocresol-Ag3系统的激发态共振时,电荷转移机制(化学增强)也将起到重要作用,最强的增强可迭106.我们使用电荷密度将激发光下p-Thlocresol和Ag团簇问的电荷转移结果可视化,这是电荷转移的直接理论证据.对于SERRS增强,包括电荷转移和电磁场增强机制,能达到1013. 相似文献
162.
163.
为了了解Pb-Mg-Al合金腐蚀的物理本质, 本文采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Pb-Mg-Al合金中各物相的结合能、费米能级和局域态密度等电子结构参数, 分析了合金的电化学腐蚀机理. 计算结果表明:Pb-Mg-Al合金中各主要组成物相稳定性大小关系为 Mg17Al12>Mg2Pb>Mg;Mg,Mg2Pb和Mg17Al12的费米能级存在Ef(Mg)>Ef(Mg2Pb)>Ef(Mg17Al12)的关系, 说明Mg最容易失去电子, Mg2Pb次之, Mg17Al12最难;局域态密度表明, 在同样的外界条件下, 体系中Mg相和Mg2Pb相对于Mg17Al12均处于不稳定的状态, 容易失去电子, 即容易发生腐蚀. Pb-Mg-Al合金体系中不同物相的费米能级差构成了电化学腐蚀的电动势, 导致电子从费米能级高的Mg相和Mg2Pb相流向费米能级低的Mg17Al12相, 使Pb-Mg-Al合金发生腐蚀. 相似文献
164.
165.
166.
半斜子流形是全纯子流形和全实子流形的推广.主要讨论了Kaehler乘积流形中的乘积半斜子流形,并对其分类;再推广到一般的不变半斜子流形的情况 ,并对其分类.在研究上述情况时,还讨论了其中的特殊情况 ,并对其分类. 相似文献
167.
高效热设计与热控制是高功率连续微波无线传能与空间太阳电站(SSPS)领域的研究热点之一,引起了国内外同行专家的高度关注与浓厚兴趣.本文针对欧米伽空间太阳能电站(SSPS-OM EGA)的结构特点及其对热设计与热控提出的巨大挑战,基于拓扑优化与仿生的思想,提出了一种新的热设计策略与方法.首先,联合流体出口边界与流道构型,... 相似文献
168.
改进了Burnett法PVTx性质实验台,温度和压力测量的最大不确定度分别为±10 mK和±400 Pa。精确测量了50组HFC-143a的饱和蒸气压实验数据,提出了一个5项的HFC-143a饱和蒸气压方程,适用于161.34 K到临界温度。与文献数据比较表明,改进后的实验台精度令人满意。测量了77组HFC-236fa的饱和蒸气压实验数据,温度范围为253-396 K,压力范围为44-3064 kPa。根据本文实验结果,拟合得到了一个Wagner型饱和蒸气压方程,与文献数据进行了比较,计算得到了HFC-236fa的正常沸点和偏心因子值。 相似文献
169.
Angular distributions of fragments B, C, N, O, F, Ne, Na, Mg and Al induced by the collision of ^19F ^27Al at 114 MeV have been measured. Angular dispersion parameters are extracted from the experimental data and compared with the theoretical ones. The dynamic dispersions for dissipative products depend strongly on the charge number Z of the fragments. 相似文献
170.
We study the dynamics of two interacting electrons in a coupled-quantum-dot system with a time-dependent external electric field. The numerical results of the two-particle states reveal that the dynamical localization still exists under appropriate dc and ac voltage amplitudes. Such localization is different from the stationary localization phenomenon. Our conclusion is instructive for the field of quantum function devices. 相似文献