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在校数学建模的教学和培训中,就如何充分发挥教学团队的核心作用和主导作用,打造一支有凝聚力,战斗力,创造力,生命力的数学建模教学团队进行了实践探索. 相似文献
32.
提出了一种具有部分超结(super junction, SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析,研究了不同超结深度和厚度时击穿电压(VB)和比导通电阻(Ron-sp),与常规结构的SBD比较得出,半超结结构可以明显改善SiC肖特基二极管特性,并得到优化的设计方案,选择超结宽度2<
关键词:
SiC肖特基二极管
super junction
导通电阻
击穿电压 相似文献
33.
为了满足新形势下闭路监控系统(CCTV)对拍摄视场和高清分辨率的要求,设计了一款复杂化的反摄远型全球面结构的CCTV镜头。该镜头的全视场为80,F#为3,焦距为5 mm,光谱范围为486 nm~656 nm。采用像元尺寸为7.5 m7.5 m,1.27 cm(1/2英寸)的CCD成像。该镜头在奈奎斯特频率67 lp/mm处,全视场MTF接近0.65;在1/2奈奎斯特频率处调制传递函数(MTF)大于0.85;在220 lp/mm处,全视场MTF大于0.3,已经接近衍射极限。镜头像面波前PV值为0.077 9,RMS为0.015 9,达到了瑞利判据的要求。设计评价结果表明,该镜头像差校正满足CCTV监控镜头的成像质量要求。 相似文献
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35.
为了了解Pb-Mg-Al合金腐蚀的物理本质, 本文采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Pb-Mg-Al合金中各物相的结合能、费米能级和局域态密度等电子结构参数, 分析了合金的电化学腐蚀机理. 计算结果表明:Pb-Mg-Al合金中各主要组成物相稳定性大小关系为 Mg17Al12>Mg2Pb>Mg;Mg,Mg2Pb和Mg17Al12的费米能级存在Ef(Mg)>Ef(Mg2Pb)>Ef(Mg17Al12)的关系, 说明Mg最容易失去电子, Mg2Pb次之, Mg17Al12最难;局域态密度表明, 在同样的外界条件下, 体系中Mg相和Mg2Pb相对于Mg17Al12均处于不稳定的状态, 容易失去电子, 即容易发生腐蚀. Pb-Mg-Al合金体系中不同物相的费米能级差构成了电化学腐蚀的电动势, 导致电子从费米能级高的Mg相和Mg2Pb相流向费米能级低的Mg17Al12相, 使Pb-Mg-Al合金发生腐蚀. 相似文献
36.
针对带有不确定参数的一类混沌金融系统,提出了实现驱动系统和响应系统广义投影同步的自适应控制策略,并基于Lyapunov稳定性理论给出和验证了广义投影同步稳定性判据.数值仿真验证了控制策略和理论分析的有效性. 相似文献
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在锂硫电池正极材料的研究中,碳材料可以有效改善电池倍率及循环性能.为了提高锂硫电池的高倍率放电性能,通过水热合成的方法,制备了由非均匀粒径碳球组成的碳材料.与硫热合成后,硫均匀分布在碳材料表面及周围,复合材料含硫量为52wt%.0.2C放电电流下,首次放电比容量为1174mAh·g-1,100次循环后放电比容量为788mAh·g-1.在4C的放电电流下,放电比容量稳定维持在600mAh·g-1,循环过程中,库伦效率高于90%.该碳材料有良好的导电网络,且制备方便,成本低廉,对于穿梭效应和放电过程中的膨胀效应有一定的抑制作用,是一种优秀的正极材料. 相似文献
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New Power Lateral Double Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistor with a Folded Accumulation Layer 下载免费PDF全文
A new lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor with a double-charge accumulation layer using a folded silicon substrate is proposed to improve the performance of the breakdown voltage and specific on-resistance. Three kinds of technologies, which are the additional electric field modulation effect, majority carrier accumulation and increasing the effective conduction area, are applied simultaneously by a semi- insulating polycrystalline silicon layer deposited over the top of thin oxide covering the drift region. It is indicated that by the simulator, the ideal silicon limits of the breakdown voltage and specific on-resistance have been broken due to the complete three-dimensional reduced surface field effect and the doubled majority carrier accumulation layer. 相似文献
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40.
给出了求最短路线问题的直接解法,利用矩阵的循环移位变换,构造集合的笛卡儿积,把所有可能的路线看成是始点集合与终点集合的笛卡儿积的子集.把距离定义为笛卡儿积上的函数,结合Matlab软件,列出由始点到终点的所有路线,并计算出对应的距离,进而求出最短路线和最短距离.所给程序可以作为模型推广应用到同类问题的求解中. 相似文献