首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   594篇
  免费   135篇
  国内免费   146篇
化学   314篇
晶体学   10篇
力学   108篇
综合类   14篇
数学   113篇
物理学   316篇
  2024年   3篇
  2023年   9篇
  2022年   24篇
  2021年   14篇
  2020年   17篇
  2019年   20篇
  2018年   28篇
  2017年   29篇
  2016年   22篇
  2015年   28篇
  2014年   46篇
  2013年   27篇
  2012年   39篇
  2011年   27篇
  2010年   29篇
  2009年   38篇
  2008年   36篇
  2007年   37篇
  2006年   29篇
  2005年   32篇
  2004年   44篇
  2003年   33篇
  2002年   23篇
  2001年   24篇
  2000年   18篇
  1999年   16篇
  1998年   21篇
  1997年   19篇
  1996年   18篇
  1995年   16篇
  1994年   7篇
  1993年   17篇
  1992年   19篇
  1991年   12篇
  1990年   16篇
  1989年   7篇
  1988年   3篇
  1987年   6篇
  1986年   6篇
  1985年   5篇
  1984年   3篇
  1983年   2篇
  1982年   3篇
  1979年   1篇
  1976年   1篇
  1964年   1篇
排序方式: 共有875条查询结果,搜索用时 0 毫秒
741.
段建民  田奇 《应用声学》2015,23(7):2255-2258
针对自动光学检测(AOI)平台运行过程中的定位精度控制问题,提出了一种基于速度和加速度前馈控制与PID反馈控制的复合控制算法,该算法对输入量进行跟踪补偿控制以消除系统稳态误差,用于提高AOI平台定位精度。基于开放式的数控系统设计方法设计了AOI平台。在Matlab/Simulink环境下,构建了基于该复合控制算法的定位精度控制仿真模型,仿真结果验证了复合控制算法的有效性。将该复合控制算法作为ACR9000控制器的控制算法,并基于ACR9000控制器进行AOI平台实验研究。应用该AOI平台进行了印刷电路板(PCB)检测实验,实验结果表明文中复合控制算法能够提高AOI平台定位精度,AOI平台的定位精度满足印刷电路板检测要求,可以将该AOI平台用于印刷电路板检测。  相似文献   
742.
曹震  段宝兴  袁小宁  杨银堂 《物理学报》2015,64(18):187303-187303
为了突破传统LDMOS (lateral double-diffused MOSFET)器件击穿电压与比导通电阻的硅极限的2.5 次方关系, 降低LDMOS器件的功率损耗, 提高功率集成电路的功率驱动能力, 提出了一种具有半绝缘多晶硅SIPOS (semi-insulating poly silicon)覆盖的完全3 D-RESURF (three-dimensional reduced surface field)新型Super Junction-LDMOS结构(SIPOS SJ-LDMOS). 这种结构利用SIPOS的电场调制作用使SJ-LDMOS的表面电场分布均匀, 将器件单位长度的耐压量提高到19.4 V/μupm; 覆盖于漂移区表面的SIPOS使SJ-LDMOS沿三维方向均受到电场调制, 实现了LDMOS的完全3 D-RESURF效应, 使更高浓度的漂移区完全耗尽而达到高的击穿电压; 当器件开态工作时, 覆盖于薄场氧化层表面的SIPOS的电场作用使SJ-LDMOS的漂移区表面形成多数载流子积累, 器件比导通电阻降低. 利用器件仿真软件ISE分析获得, 当SIPOS SJ-LDMOS的击穿电压为388 V时, 比导通电阻为20.87 mΩ·cm2, 相同结构参数条件下, N-buffer SJ-LDMOS的击穿电压为287 V, 比导通电阻为31.14 mΩ·cm2; 一般SJ-LDMOS 的击穿电压仅为180 V, 比导通电阻为71.82 mΩ·cm2.  相似文献   
743.
段宝兴  李春来  马剑冲  袁嵩  杨银堂 《物理学报》2015,64(6):67304-067304
为了设计功率集成电路所需的低功耗横向功率器件, 提出了一种具有阶梯氧化层折叠硅横向双扩散金属-氧化物-半导体(step oxide folding LDMOS, SOFLDMOS)新结构. 这种结构将阶梯氧化层覆盖在具有周期分布的折叠硅表面, 利用阶梯氧化层的电场调制效应, 通过在表面电场分布中引入新的电场峰而使表面电场分布均匀, 提高了器件的耐压范围, 解决了文献提出的折叠积累型横向双扩散金属-氧化物-半导体器件击穿电压受限的问题. 通过三维仿真软件ISE分析获得, SOFLDMOS 结构打破了硅的极限关系, 充分利用了电场调制效应、多数载流子积累和硅表面导电区倍增效应, 漏极饱和电流比一般LDMOS 提高3.4倍左右, 可以在62 V左右的反向击穿电压条件下, 获得0.74 mΩ·cm2超低的比导通电阻, 远低于传统LDMOS相同击穿电压下2.0 mΩ·cm2比导通电阻, 为实现低压功率集成电路对低功耗横向功率器件的要求提供了一种可选的方案.  相似文献   
744.
在大孔硅胶表面引入原子转移自由基聚合的引发基团,通过该技术将甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵聚合于硅胶表面,制得了强阴离子交换色谱填料.详细考察了该填料对标准蛋白质的分离性能及流动相pH、流速、有机溶剂对蛋白质保留的影响.实验结果表明,在流速为0.75 mL/min时,采用线性梯度洗脱,20 min内可快速分离不同体系的三种标准蛋白;并将该填料用于鸡蛋中卵清蛋白的快速分离纯化,取得了很好的效果.  相似文献   
745.
采用三维荧光光谱和Δλ=20nm同步扫描荧光光谱技术研究Hg2+,Cd2+,Cu2+,Zn2+胁迫作用下蛋白核小球藻(Chlorella pyrenoidosa)荧光光谱的变化情况,两种光谱技术得到了较为一致的结论:即胁迫作用96h后,蛋白核小球藻荧光中心处的荧光值显著降低,四种重金属离子对藻细胞光合系统的叶绿素a和叶绿素b造成了严重的破坏。进一步分析四种重金属离子浓度与由同步扫描荧光光谱得到的藻荧光猝灭效率I0/I的相关性可知:重金属离子的毒性与荧光猝灭效率I0/I呈正相关关系,均随重金属离子浓度和胁迫时间的增加而增强。对某一种重金属而言,同步扫描荧光光谱可实现藻细胞对该重金属毒性的评价。与三维荧光光谱相比,同步扫描荧光光谱具有耗时少、对特定荧光中心选择性高等优点,是研究水体有毒污染物毒性的有利工具。  相似文献   
746.
水对氩气中催化法分解甲烷制备单壁碳纳米管的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
用"柠檬酸法"制备W-Fe-MgO和Mo-Fe-MgO催化剂,以Ar为载气,在1273 K催化分解CH4制单壁碳纳米管(SWCNTs),发现原料气中加水和不加水对产物的影响极大.不加水时,产物中SWCNTs含量极低,以无定形碳和多壁碳纳米管(MWCNTs)为主;加少量水时,产物绝大部分是直径在1~3 nm左右SWCNTs形成的管束.在1273 K下,H2O分压在0.67~2.0 kPa时得到SWCNTs含量较高的产物,100 mg催化剂上的碳产量为40~52 mg.进一步增加原料气中的水分压到2.7 kPa,则无碳产物生成.通过对比实验、粗产物XRD分析和对反应尾气质谱检测,可得如下结论:在Mo-Fe-MgO和W-Fe-MgO催化剂中的金属氧化物和碳化物是CH4分解为无定形碳的活性相,Fe-Mo合金相是CH4分解得SWCNTs的主要活性相.当反应气中无水时,CH4在催化剂中的氧化物和碳化物上生成的无定形碳起决定作用,而Fe-Mo合金上生成SWCNTs的反应相对减少,使产物中SWCNTs含量很低;反应气中有少量水时,水抑制了催化剂中氧化物和碳化物上无定形碳的生成,使CH4在Fe-Mo合金上分解生成SWCNTs成为主反应,此时产物中SWCNTs含量较高;水量过大时,催化剂中氧化物不能被还原为金属,故无SWCNTs生成,而此时水也抑制了无定形碳的生成,因而无任何碳产物生成.  相似文献   
747.
第27届国际化学奥林匹克(27th IChO)于1995年7月13日至20日在北京举行。  相似文献   
748.
1.用适当的公式,通过计算,解释下列事实(要求:必须用数据证明你的每个结论是合理的。假定:(a)所谓“溶解”一词是指在298K时在1L溶液中溶解0.1mol硫化物;(b)Cu2+(aq·)不与Cl-形成稳定的络合物):(1)Tl2S可溶解在浓度为1mol·L-1的任何无络合性、无氧化性的一元强酸中;(2)CuS不溶于1mol·L-1HCl,但溶于1mol·L-1HNO3。  相似文献   
749.
段连运 《化学教育》1993,14(5):53-64
1.化合物A在1740cm-1有一强红外吸收峰。A的2,4-二硝基苯腙的分子式为C11H12N4O4。A与镁试剂(碘化甲基镁)反应后再水解,生成化合物B。在碘存在下加热B,可得到C和D的混合物。若C和D在CH2Cl2和吡啶中于-78℃各自进行臭氧解反应,则由C制得A和H2CO,而由D制得5-氧代己醛。  相似文献   
750.
金属硫化物溶于酸时可能有: (a)S2-质子化变成HS-和H2S;(b)金属离子与酸根离子结合为络离子;(c)S2-被氧化为游离态的硫。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号