一种新型的稀土有机电致发光材料：Tb（asprion）3phen

文报道了乙酰水杨酸为第一配体,邻菲罗啉为第二配体的铽配合物这种新型电致发光材料,并通过引入导电高分子材料PVK来改善配合物的成膜性和导电性,使其可应用于电致发光器件的发光层。我们制备了单层电致发光器件ITO／PVK：Tb(asprion)3phen／AI,并对其电致发光性能进行了研究。结果表明该配合物具有很好的光致发光性能和电致发光性能。通过测量材料的激发谱和发射谱,我们初步探讨了器件的电致发光机理,认为是PVK及Tb(asprion)3phen激发态的载充子被Tb^3 俘获并与符号相反的载流子在Tb^3 中心上复合,发出Tb^3 的特征发光。     

深紫外分光光度检测系统的稳定性及灵敏度研究

现有的国标光度法无法直接测定流程工业中连续反应单元生产过程的污染物,主要原因是氧气在深紫外区对紫外光的吸收干扰了紫外分光光度计对目标物质的检测,导致检测结果存在一定程度偏差。因此,解决这一问题的关键核心是稳定获取深紫外区不同特征波长物质的高灵敏光度信息。在紫外分光光度计基础上加装氮气输配系统,同时设计了自动进样流通池及进样托盘以实现检测间隙自动进样功能,减少检测间隙氮气消耗。为提高仪器稳定性,分别精准控制通入仪器内部光学系统区、样品室和数据接收区三个腔体的氮气流量,数值分别为6,2和3L·min^-1,使仪器基线平直度平均值由0.108降低至0.010,较空气条件削减了90.7%。通过对比空气与氮气两种气氛下直接测定SO₄^2-的吸光度、灵敏度、灵敏度变化量和线性范围的差异,发现氮气气氛下检测结果的吸光度和灵敏度在光程b=1～100mm范围内均有提升,灵敏度变化量随b=1mm时的10.42%增大至b=100mm时30.65%,线性范围却随光程的增加由0.09g·L^-1缩短至0.03g·L^-1<...     

CdSe/CdZnSe超晶格的激子光学性质的研究

用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe/Cd0.65Zn0.35Se超晶格结构。利用X射线衍射（XRD）、77K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe/CdZnSe超晶格结构和激光复合特性，在该材料中观测到激子－激子散射发射峰，变密度激发光致发光光谱和谱温度光致发光光谱证实了这一现象，激子发射峰的线宽随着温度的升高而展宽，低温时发光峰的宽度主要是由合金组分和阱垒起伏引起的，没温时激子线宽展宽是由于激子与纵光学声子和离化的施主杂质间的散射作用引起的，光致发光的强度随着温度的升高而降低，这主要是由激子的热离化造成的，也就是说，热激发使得电子或空穴由阱中跃迁至垒上。     

丙二酸二甲酯均相催化加氢合成3-羟基丙酸甲酯的研究

以乙酰丙酮钌和膦胺配体作为催化剂体系,用于催化丙二酸二甲酯加氢制3-羟基丙酸甲酯.围绕催化反应性能,系统探讨了配体结构和用量、温度、时间以及溶剂等对丙二酸二甲酯转化率和3-羟基丙酸甲酯产率的影响.研究发现,乙酰丙酮钌和o-二苯基膦苯胺构成的催化剂体系在合适反应条件下可以有效催化丙二酸二甲酯选择性加氢制3-羟基丙酸甲酯.在优化的反应条件下,这一催化体系也可以催化多种不同结构酯类分子加氢制醇.     

ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长和激子光学性质的研究

用分子束外延在GaAs衬底上生长了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构.利用X射线衍射(XRD)、变温度PL光谱和ps发光衰减等研究了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构和激子复合特性.由变温PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理.     

一类新型稀土配合物的合成与发光特性研究

合成了一类新型稀土配合物Eu(asprin)3phen和Tb(asprin)3phen,并将其掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构了为ITO／PVK：RE配合物／LiF/Al的电致发光器件。很明显,在相同掺杂比例下,前者的电致发光中PVK发射所占比例较大,而后者的电致发光中PVK的发射几乎全部被覆盖掉了,进一步研究发现它们的光致发光中也有同样现象存在,这表明具有同等配体的此类铕、铽配合物的特性存在很大差别,并对这一差别作了初步讨论。