全文获取类型
收费全文 | 578篇 |
免费 | 135篇 |
国内免费 | 139篇 |
专业分类
化学 | 313篇 |
晶体学 | 10篇 |
力学 | 108篇 |
综合类 | 14篇 |
数学 | 91篇 |
物理学 | 316篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 10篇 |
2022年 | 24篇 |
2021年 | 14篇 |
2020年 | 17篇 |
2019年 | 20篇 |
2018年 | 28篇 |
2017年 | 29篇 |
2016年 | 22篇 |
2015年 | 28篇 |
2014年 | 46篇 |
2013年 | 26篇 |
2012年 | 39篇 |
2011年 | 27篇 |
2010年 | 29篇 |
2009年 | 38篇 |
2008年 | 36篇 |
2007年 | 37篇 |
2006年 | 29篇 |
2005年 | 32篇 |
2004年 | 43篇 |
2003年 | 31篇 |
2002年 | 23篇 |
2001年 | 19篇 |
2000年 | 18篇 |
1999年 | 12篇 |
1998年 | 20篇 |
1997年 | 19篇 |
1996年 | 18篇 |
1995年 | 16篇 |
1994年 | 6篇 |
1993年 | 15篇 |
1992年 | 19篇 |
1991年 | 10篇 |
1990年 | 13篇 |
1989年 | 7篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 3篇 |
1979年 | 1篇 |
1976年 | 1篇 |
1964年 | 1篇 |
排序方式: 共有852条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
为了了解Pb-Mg-Al合金腐蚀的物理本质, 本文采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Pb-Mg-Al合金中各物相的结合能、费米能级和局域态密度等电子结构参数, 分析了合金的电化学腐蚀机理. 计算结果表明:Pb-Mg-Al合金中各主要组成物相稳定性大小关系为 Mg17Al12>Mg2Pb>Mg;Mg,Mg2Pb和Mg17Al12的费米能级存在Ef(Mg)>Ef(Mg2Pb)>Ef(Mg17Al12)的关系, 说明Mg最容易失去电子, Mg2Pb次之, Mg17Al12最难;局域态密度表明, 在同样的外界条件下, 体系中Mg相和Mg2Pb相对于Mg17Al12均处于不稳定的状态, 容易失去电子, 即容易发生腐蚀. Pb-Mg-Al合金体系中不同物相的费米能级差构成了电化学腐蚀的电动势, 导致电子从费米能级高的Mg相和Mg2Pb相流向费米能级低的Mg17Al12相, 使Pb-Mg-Al合金发生腐蚀. 相似文献
42.
43.
44.
45.
采用平面波展开法模拟二维光子晶体在E极化和H极化下的能带结构,研究Ge基二维正方晶格光子晶体的填充比以及晶格排列结构对最大禁带宽度的影响。结果表明:在空气背景材料中填充Ge柱的介质柱结构中,可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a=0.19~0.47范围内,最大完全帯隙禁带宽度可以达到0.064(归一化频率);在选取Ge为背景材料的空气孔型结构中,同样可产生TE、TM带隙,且各方向完全带隙出现在r/a=0.46~0.49范围内,最大完全帯隙禁带宽度可以达到0.051(归一化频率)。同时,不论在介质柱型还是空气孔型结构中,带隙宽度都随着r/a的增大呈先增大后减小的趋势。 相似文献
46.
47.
This paper investigates the collision between two nonlinear waves with arbitrary angle in two-dimensional nonlinear lattice. By using the extended Poincarge-Lighthill-Kuo perturbation method, it obtains two Korteweg-de Vries equations for nonlinear waves in both the ζ and η directions, respectively, and derives the analytical phase shifts after the collision of two nonlinear waves. Finally, the solution of u(υ) up to O(ε^3) order is given. 相似文献
48.
49.
基于基团贡献法的思想,本文采用改进的SRK状态方程和修正的MHV1混合规则,将UNIFAC基团贡献法扩展用于HFC HC二元混合物气液相平衡性质的描述,给出了基团划分表和基团间的相互作用参数,使用该方法可以较好地再现HFC HC二元混合物的气液相平衡性质,并且具有良好的预测效果. 相似文献
50.
New Power Lateral Double Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistor with a Folded Accumulation Layer
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
A new lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor with a double-charge accumulation layer using a folded silicon substrate is proposed to improve the performance of the breakdown voltage and specific on-resistance. Three kinds of technologies, which are the additional electric field modulation effect, majority carrier accumulation and increasing the effective conduction area, are applied simultaneously by a semi- insulating polycrystalline silicon layer deposited over the top of thin oxide covering the drift region. It is indicated that by the simulator, the ideal silicon limits of the breakdown voltage and specific on-resistance have been broken due to the complete three-dimensional reduced surface field effect and the doubled majority carrier accumulation layer. 相似文献