Eu2+掺杂硼酸盐系列发光晶体化学键参数的计算

利用复杂晶体化学键理论对Eu^2 掺杂的硼酸盐晶体Ba2LiB5O10,Ba2MgB2O6,Ba2Be2B2O6,BaLiBO3,SrB4O7和SrAl2B2O7的化学键参数进行了理论计算，结果表明，在不同的晶体中掺杂离子与配位原子间形成的共价键的键性是不同的，这种差异的产生是由于成键原子的性质、配位数以及键长的不同而造成的。     

Theoretical Investigation of LaC~n and La_2C~n(n=-1,0,+1)Clusters

用密度泛函方法研究了ＬａＣｎ及Ｌａ２Ｃｎ（ｎ＝－１，０，＋１）分子簇的结构和稳定性．对Ｌａ２Ｃｎ体系，提出了两种可能构型，其中一种具有Ｃ２ｖ对称性，另一种具有Ｄ∞ｈ对称性．计算结果表明，对Ｌａ２Ｃｎ，当ｎ＝＋１，－１时，线状结构最稳定，并且在ｎ＝＋１时，Ｃ２ｖ结构极不稳定有收敛向线状结构的趋势．而当ｎ＝０时，Ｃ２ｖ结构最稳定．最后还计算了ＬａＣ和Ｌａ２Ｃ分子簇的电子亲和势和离化能．     

La_2C~n(n=-1,0,+1)团簇的理论研究

用B3LYP/Lan1 2dz方法优化了La2 Cn(n =- 1 ,0 ,+1 )分子的结构 ,计算了La2 C的电子亲和势和离化能 ,并对计算结果进行了讨论。     

La_(1-x)Nd_xCrO_3(0.0≤x≤1.0)的化学键参数计算

使用复杂晶体化学键理论计算了La1-xNdxCrO3 (x =0 .0 ,0 .2 ,0 .4,0 .6 ,0 .8,1.0 )的化学键参数 ,如键性、键极化率等。结果表明 ,La-O ,Nd -O和Cr-O键的共价性基本上不随Nd掺杂的变化而变化 ,这个结论与实验结果一致。键极化率和磁距则随着掺杂量的增加而增加。共价性的大小次序为La -O 相似文献   

键电荷与键共价性之间的关系研究(英文)

用一种半经验方法研究了固体材料中键电荷与键共价性的关系．这一理论方法是Ｐｈｉｌｉｐｓ，ＶａｎＶｅｃｈｔｅｎ，Ｌｅｖｉｎｅ，及Ｔａｎａｋａ等人提出的介电描述理论的推广．通过对一个例子ＲＭｎ２Ｏ５（Ｒ＝Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ）的研究发现，键电荷越多，所产生的键共价性越大，与成键区域的电荷是键共价性形成的原因这一结论一致     

Pr1—xKxMnO3（0.0≤x≤0.15）的化学键性质研究

采用半经验的复杂晶体化学键理论研究了ｒ１－ｘＫｘＭｎＯ３的化学键性质。计算结果表明，Ｐｒ－Ｏ键及Ｋ－Ｏ的共价性随钾掺杂浓度的增加而略有减小，Ｍｎ－Ｏ的共价性则增加，且Ｍｎ－Ｏ的共价性要强于Ｐｒ（Ｋ）－Ｏ键，得到的键极化率也服从同样的规律。     

La2C分子的MP2及密度泛函理论研究

利用ＭＰ２及密度泛函方法（ＢＨＬＹＰ，Ｂ３Ｐ８６，Ｂ３ＬＹＰ）研究了Ｌａ２Ｃ分子的结构与稳定性，对Ｌａ２Ｃ分子共提出了两种构型，其中一种具有Ｃ２ｖ对称性，另一种为线型结构具有Ｄ∞ｈ对称性。计算结果表明，尽管对ＭＰ２和ＢＨＬＹＰ方法，线型结构较稳定，而对Ｂ３Ｐ８６及Ｂ３ＬＹＰ，Ｃ２ｖ结构较稳定，两结构在能量上很接近，表明它们具有相近的稳定性。在Ｄ∞ｈ对称性中其离子性要大于相应的Ｃ２ｖ对称性结构。     

锂化硼氮纳米管的二阶非线性光学理论研究

基于硼氮纳米管(BNNTs), 研究了多重锂化硼氮纳米管Li_n-(n,0,l)BNNTs(n=6和8, l=2~4)的结构与非线性光学性质. 研究表明, 在Li_n-(n,0,l)BNNTs中, Li原子上的自然键轨道电荷接近+1(0.769～0.827 e), 表明Li原子上的电子转移到了硼氮纳米管上, 从而形成了多重锂盐. 同时发现, 增加管长和拓宽管径都可有效地增加体系的一阶超极化率. 更重要的是, Li_n-(n,0,l)BNNTs的紫外-可见吸收主要发生在270~290 nm附近, 且当管长增加时, Li_n-(n,0,l)BNNT的紫外-可见吸收光谱发生了蓝移, 改善了非线性与透光性之间的关系. 此外, Li_n-(n,0,l)BNNTs还具有良好的稳定性[垂直电离势(VIP)=5.85～6.0 eV].     

Eu^3＋离子在晶体KY3F10,YPO4及YVO4中的角重迭晶场参数计算

本文运用角重迭模型首次对Eu~(3+)离子在KY_3F_(10)S、YPO_4及YVO_4晶体中的四个角重迭参数e_σ、e_π、e_δ、e_φ进行了计算。结果表明,所得规律与文献[1]基本相符,并且e_σ和e_φ两个参数对能级的劈裂和移动也有着不可忽略的作用。     

全氟并五苯在半金属Ga表面的分子二聚化及自组装单层

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)和有机分子束沉积(OMBD)方法研究了全氟并五苯(perfluoropentancene,PFP)分子在半金属Ga表面的吸附和两维自组装. 在低覆盖度下单个PFP分子在Ga表面上表现出很高的迁移性. 在1分子单层(monolayer, ML)时PFP分子发生二聚化并在 Ga 表面上无序排列. 轻度热退火可导致PFP两维自组装: 二聚体排列为高度有序的一维分子带阵列, 带中 PFP二聚体排列为砖墙(brick wall)结构. 在高分辨 STM图中, PFP分子两端出现亮暗相反的圆形突起, 并且相邻分子的亮暗极性相反, 表明PFP分子带有电偶极矩, PFP二聚体带有电四极矩. 因此, PFP分子二聚体的形成机制可唯像解释为反向电偶极矩之间的静电吸引作用; 二聚体的砖墙排列结构可归结为同向电四极矩之间的静电排斥作用.