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771.
A novel enhanced mode(E-mode)Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)with vertical FINFET structure is proposed and the characteristics of that device are numerically investigated.It is found that the concentration of the source region and the width coupled with the height of the channel mainly effect the on-state characteristics.The metal material of the gate,the oxide material,the oxide thickness,and the epitaxial layer concentration strongly affect the threshold voltage and the output currents.Enabling an E-mode MOSFET device requires a large work function gate metal and an oxide with large dielectric constant.When the output current density of the device increases,the source concentration,the thickness of the epitaxial layer,and the total width of the device need to be expanded.The threshold voltage decreases with the increase of the width of the channel area under the same gate voltage.It is indicated that a set of optimal parameters of a practical vertical enhancement-mode Ga2O3 MOSFET requires the epitaxial layer concentration,the channel height of the device,the thickness of the source region,and the oxide thickness of the device should be less than 5×1016 cm-3,less than 1.5μm,between 0.1μm-0.3μm and less than 0.08μm,respectively. 相似文献
772.
773.
对1992~2012年间电化学法测定痕量镍的应用进行了评述,方法包括电位法、伏安法和极谱法。并简要讨论了电化学法存在的不足和发展趋势(引用文献45篇)。 相似文献
774.
首先采用高温固相反应法合成了由纳米球状结构紧密堆积的微米级粉体Ag2Nb4O11,然后通过粉末冶金技术制备了添加铌酸银(Ag2Nb4O11)的NiAl基复合材料(NABO20,NiAl-20%Ag2Nb4O11),考察其对复合材料显微结构、力学及摩擦学性能的影响. 结果表明:热压烧结过程中,Ag2Nb4O11发生高温分解及与C发生氧化还原反应,形成了NbC和Ag相. 铌酸银(Ag2Nb4O11)的添加使得复合材料的密度略有增加,并且显著改善了NiAl基复合材料的显微硬度. 在高温摩擦条件下(800 ℃),由于NABO20磨损表面和Al2O3对偶球表面均形成完整光滑的润滑膜(Nb2O5、Al2O3、Ag2Nb4O11、AgNbO3和AgNb3O8),两层膜的存在阻隔了对偶球和复合材料的直接接触,抑制了磨损进程,从而有效地提高了复合材料的耐磨性能. 相似文献
775.
本文基于Conti M, Di Plinio F等人提出的关于时间依赖全局吸引子的概念, 研究了无界域上带有线性记忆的波方程解的长时间行为. 利用尾部估计和压缩函数的方法证明了过程的渐近紧性, 进而获得了$H^{1}(\mathbb{R}^{n})\times L^{2}(\mathbb{R}^{n})\times L^{2}_{\mu}(\mathbb{R}^{+};H^{1}(\mathbb{R}^{n}))$上时间依赖吸引子的存在性. 相似文献
776.
777.
778.
采用同步循环伏安(CV)和电化学石英晶体微天平(EQCM)方法研究了冠醚(二苯并-18-冠-6)修饰的C60衍生物(DBCFP)固态膜在不同电解质的乙腈溶液中的电化学性质. 选择了连有刚性基团的C60衍生物PSF与DBCFP进行对比,提出了DBCFP膜在TBA+溶液中的反应机理. 相似文献
779.
基于蛋白A/纳米金/壳聚糖分散的多壁碳纳米管修饰的电位型甲胎蛋白免疫传感器的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
将壳聚糖分散的多壁碳纳米管(MWNT-CS)滴涂于金电极(Au)表面,利用壳聚糖大量的氨基将纳米金(nano-Au)固定到金电极表面,再利用蛋白A(PA)的定向固定效应将甲胎蛋白抗体(anti-AFP)固定到纳米金修饰的金电极表面,从而制得高灵敏、高稳定电位型甲胎蛋白免疫传感器。蛋白A为抗原和抗体的反应提供了合理的基础,纳米金的存在提高了抗体在电极表面的固定量,多壁碳纳米管(MWNT)促进了电子的传递,从而缩短电极的响应时间。在优化的实验条件下,该传感器响应的电极电位与甲胎蛋白浓度的对数在7.0~190.0μg/L的范围内保持良好的线性关系,检出限(S/N=3)为3.9μg/L。 相似文献
780.
采用量子化学方法在ωB97XD/6-311++G(3df,2pd)//ωB97XD/6-31+G(d,p)和M062X/6-311++G(3df,2pd)//M062X/6-31+G(d,p)水平下对大气中MTMPDA在OH自由基引发下的反应机理及其产物的后继反应进行理论研究.结果表明MTMPDA+OH反应主要通过OH抽提与N原子相连的—CH3上的H原子、以及抽提与O原子相连的—CH3上的H原子的方式进行.此外,抽提与N原子相连的—CH3上的H原子生成的产物与大气中的O2和NO发生进一步反应并没有导致MTMPDA毒性明显地降低;而抽提与O原子相连的—CH3上的H原子的产物发生一系列后继反应可以降低MTMPDA的毒性. 相似文献