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141.
TlBa_2 Ca_2 Cu_3 O_9(Tl-1223) films have promising applications due to their high critical temperature and strong magnetic flux pinning. Nevertheless, the preparation of pure phase Tl-1223 film is still a challenge. We successfully fabricate Tl-1223 thin films on LaAlO_3(001) substrates using dc magnetic sputtering and a post annealing two-step method in argon atmosphere. The crystallization temperature of Tl-1223 films in argon is reduced by 100℃ compared to that in oxygen. This greatly reduces the volatilization of Tl and improves the surface morphology of films. The lower annealing temperature can effectively improve the repeatability of the Tl-1223 film preparation. In addition, pure Tl-1223 phase can be obtained in a broad temperature zone,from 790℃ to 830℃. In our study, the films show homogenous and dense surface morphology using the presented method. The best critical temperature of Tl-1223 films is characterized to be 110 K, and the critical current J_c(77 K, 0 T) is up to 2.13 × 106 A/cm~2. 相似文献
142.
制备了Fe, Co, Cu, Cr和Mn金属氧化物催化剂, 所用载体为Al2O3-Ce0.5Zr0.5O2复合氧化物. 利用X射线衍射(XRD), 程序升温还原(TPR), 储氧量测试, BET比表面测试和光电子能谱(XPS)表征了催化剂. 并利用活性测试表征了各种催化剂对乙酸乙酯催化燃烧能力. 各种表征结果证实, 由于催化剂Mn/Al2O3-Ce0.5Zr0.5O2(1:2, 质量比)具有最多的可还原物种, Cu/Al2O3-Ce0.5Zr0.5O2(1:2)具有较多的可还原物种和最强的可还原能力, 使它们对乙酸乙酯催化燃烧表现出了最好的活性. 在催化剂Cu/Al2O3-Ce0.5Zr0.5O2(1:2)和Mn/Al2O3-Ce0.5Zr0.5O2(1:2)上, 乙酸乙酯于245 ℃转化了99%, 表明这两种催化剂具有广泛的应用潜力. 相似文献
143.
144.
Ni物种形态对Ni/AC催化剂低温脱硫性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用过量浸渍法制备了 Ni/AC 催化剂, 考察了不同焙烧温度对 Ni/AC 脱硫活性的影响, 并通过 X 射线衍射和 X 射线光电子能谱对催化剂进行了表征, 研究了经不同温度焙烧后的催化剂上的 Ni 物种形态及其对催化剂性能的影响. 结果表明, 经 400 °C 焙烧后的催化剂中 Ni 物种为 Ni2O3, 550 °C 焙烧后出现了 NiO 物种, 800 °C 焙烧后 Ni 物种变为 NiO 和 Ni 共存, 而 1 000 °C 焙烧后只存在单质 Ni. 这说明不同温度焙烧后的催化剂中 Ni 形成了不同的化学形态. 脱硫活性的测试结果表明, 经 550 °C 和 800 °C 焙烧后的催化剂表现出较好的脱硫活性, 而 400 °C 焙烧的催化剂脱硫活性最差. 这说明 Ni 在催化剂上的不同化学形态是造成脱硫效果差异的主要原因, 而 NiO 是 Ni/AC 催化剂脱硫的主要活性物相. 相似文献
145.
146.
Comparison of two kinds of active layers for high-power narrow-stripe distributed feedback laser diodes
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Usually GaAs/AlGaAs is utilized
as an active layer material in laser diodes operating
in the spectral range of 800--850 nm. In this work, in addition to a
traditional unstrained GaAs/AlGaAs distributed feedback (DFB) laser diode,
a compressively strained InGaAlAs/AlGaAs DFB laser
diode is numerically investigated in characteristic. The simulation results show that the
compressively strained DFB laser diode has a lower transparency carrier
density, higher gain, lower Auger recombination rate, and higher stimulated
recombination rate, which lead to better a device performance, than
the traditional unstrained GaAs/AlGaAs DFB laser diode. 相似文献
147.
一种构造E(s^2)最优超饱和设计的方法 总被引:4,自引:0,他引:4
本文中我们基于E(s^2)最优超饱和设计和区组设计对等关系。利用构造区组设计的方法之一,--循环设计法,通过最小化frmax的进一步区分,对试验次数≤24的情形,构造了相应的一系列超饱和设计,同时与现有的一些结果作了比较,验证了我们构造的设计和优良性。 相似文献
148.
针对光频域反射(OFDR)系统中光源调频非线性导致的传感单元定位误差、传感精度低、传感范围窄、系统适应性差等问题,提出了开环校正结合光电锁相环闭环校正电流内调制分布反馈式半导体(DFB)激光器的方法。该方法用于控制DFB激光器连续、快速、大范围频率扫描线性化,使其成为OFDR系统的优质光源,提高OFDR的分辨率。实验结果表明DFB激光器的扫频非线性度由16.55%下降至0.078%,拍频信号中心频率的功率提升了21.1 dB,探测范围由15 m提升至50 m,测量值与实际值的最大误差为3.79 mm,重复性测量的最大标准偏差为112.2μm。 相似文献
149.