35MeV/u36Ar+124Sn反应中类弹产物的同位素分布特性

测量了35MeV/u³⁶Ar+¹²⁴Sn反应中5.3°处类弹产物的同位素分布,观察到随着出射动能的增加,产物的平均中质比逐渐减小而接近弹核的平均中质比.同位旋相关的量子分子动力学计算表明,随着反应时间的增加,类弹产物的平均出射动能逐渐减小而平均N/Z值则逐渐增大.另外,碰撞参数也影响类弹产物的同位素组成:随着碰撞参数的减小,类弹产物的平均N/Z值减小.     

CsI(Tl)晶体探测器APD读出的温度效应

对中国科学院近代物理研究所自行生长的铊激活碘化铯闪烁晶体CsI(Tl)光输出及Hamamtsu公司生产的S8664-1010型雪崩光二极管(APD)增益对温度的依赖关系做了系统研究. 结果表明, CsI(Tl)晶体光产额在室温范围内随着温度的增加而增加, 在－2℃—8℃温度范围内的平均温度系数为0.67%/℃, 在8℃—25℃温度范围内的平均温度系数为0.33%/℃. 而对所使用的APD, 其增益在室温范围内的温度系数为－3.68%℃(工作电压400V). APD结合CsI(Tl)晶体在室温下对¹³⁷Cs的662keV γ射线的能量分辨可达5.1%.     

电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列

采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,LaB₆作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性.在〈111〉面单晶LaB₆基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB₆微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB₆基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性.该结论对LaB₆材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义.     

Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time

Semi-insulating （SI） GaN is grown using N2 as the nucleation layer （NL） carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared.     

Transmission Properties of W3 Y-Branch Filters in Two-Dimensional Photonic Crystal Slabs

A highly efficient W3 Y-branch filter in a two-dimensional photonic crystal slab with triangular lattice of air holes is designed and fabricated, and its transmission properties are measured. By accurately adjusting the size of the resonant cavities, the minimum wavelength spacing of 7 nm between two channels is realized. The corresponding resonant wavelengths of the two cavities agree well with the calculated ones. This implies that this kind of fiIter may be promising in integrated wavelength division multiplexing system.     

国产SY-01型液相色谱仪气动泵的改进

SY-01型液相色谱仪目前虽已停止生产,但有不少单位购有此种仪器,并仍在使用。该仪器的气动泵易出故障,主要是因为使用的电子元件质量欠佳,使气动泵电气部件失灵。另外气动泵中使用两个交流电磁阀,因交变电流使铁芯振动,易使上阀门橡皮部份损坏而漏气或粘住。我们针对上述两方面的弊病对气动泵进行改进。改进中省去了气动泵电气部件,克服了这部份易出故障的弊病;将气动泵的两个交流电磁阀的     

86公式(a~2)~(1/2)=｜a｜=a (a≥0) or -a(a<0)的发现与应用

课题的提出想一想，程序Ⅰ揭示了怎样的数学关系？Ｓ１：（ａ）２＝ａ（ａ≥０）．（公式１）Ｔ：对不对呢？我们来验证一下．分别向公式１中输入数据ａ＝０；ａ＝２；ａ＝１３，输出的结果依次是（０）２＝０；（２）２＝２；（１３）２＝１３．结论与公式１相符，说明Ｓ１同学有较强的观察力，一下就抓住了问题本质．结合程序Ⅰ，请同学们谈谈对公式１的认识．Ｓ２：公式１包含有两种运算，先‘取算术平方根’，后‘平方’．Ｓ３：要使ａ有意义，输入的数据ａ必须是非负实数，输出的数据仍是ａ．Ｔ：认识深刻！下面请同学们在不改变上述两…     

(SrTiO_3)_(1-x)(SrTaO_2N)_x固溶体的制备及光催化性能研究(英文)

通过高温固相反应合成了N掺杂的SrTiO3和(SrTiO3)1-x(SrTaO2N)x固溶体,对其进行了X射线衍射,紫外可见吸收光谱,X射线光电子能谱分析和比表面积的表征。随x由0增大至0.4,固溶体带隙变窄,由3.2eV降至2.3eV,吸收光谱由紫外光区扩展到可见光区。在甲醇溶液(50mLCH3OH+220mLH2O)中进行了光催化分解水产生氢气的反应,在硝酸银溶液(270mL,0.01mol·L-1)中进行了光催化分解水产生氧气的反应,在可见光(λ420nm)照射下,实现了可见光响应的光催化分解水。     

新的芳酰肼分子钳人工受体的微波干法合成及其识别性能研究

在微波辐射无溶剂条件下,以间苯二酚为起始原料,固体K2CO3为载体,设计合成了9个新的芳杂环酰肼分子钳人工受体.其结构均经1HNMR,IR,MS及元素分析确证.同传统的方法相比,该法具有简单、快速、高效和对环境友好等优点.利用紫外可见分光光度滴定法初步考察了这类分子钳对卤素阴离子的识别性能.结果表明,该类分子钳对I-具有良好的选择性识别性能.     

胶粘光学元件的热应力和变形分析

由于光学元件和装配材料热膨胀系数的不匹配,在环境温度变化时会导致光学元件中产生热应力,并引起光学元件表面产生变形,影响光学系统的性能.针对光学元件的粘接固定方式讨论了连续边缘粘接引起的热应力和变形的分析方程,得出连续边缘粘接无热厚度的解析方程.采用有限元分析软件对胶粘固定光学元件进行了建模和热应力分析,得出光学元件边界...