水斗非定常自由水膜流三维贴体数值模拟

本研究采用水斗三维非正交贴体坐标系进行了非定常自由水膜流动的数值解析。对不规则水斗内表面采用三维非正交贴体坐标系下离散点进行拟合,推导了曲面离散点的法向矢量和曲面微元面高斯曲率、平均曲率等几何特征量的计算公式,进而导出流体粒子在运动方向上曲率计算式。在水斗三维贴体坐标系中,还推导了流体粒子在水斗曲面上的运动控制方程。最后对某水轮机水斗内表面非定常自由水膜流进行了数值模拟,得到其非定常水膜流态分布。     

EXISTENCE OF PERIODIC SOLUTIONS OF SYSTEM OF DIFFERENCE EQUATIONS

This paper studies the nonautonomous nonlinear system of difference equationsΔx(n)=A(n)x(n)+f(n,x(n)),n∈Z,(*) where x(n)∈R~N,A(n)=(a_(ij)(n))N×N is an N×N matrix,with a-(ij)∈C(R,R) for i,j= 1,2,3,...,N,and f=(f_1,f_2,...,f_N)~T∈C(R×R~N,R~N),satisfying A(t+ω)=A(t),f(t+ω,z)=f(t,z) for any t∈R,(t,z)∈R×R~N andωis a positive integer.Sufficient conditions for the existence ofω-periodic solutions to equations (*) are obtained.     

k-树的补图的最小填充和树宽

一个图的最小填充问题是寻求边数最少的弦母图,一个图的树宽问题是寻求团数最小的弦母图,这两个问题分别在稀疏矩阵计算及图的算法设计中有非常重要的作用．一个k-树G的补图G称为k-补树．本文给出了k-补树G的最小填充数f(G) 及树宽TW(G)．     

谐和与随机噪声联合作用下Van der Pol-Duffing振子的参数主共振

研究了Van der Pol-Duffing振子在谐和与随机噪声联合激励下的参数主共振响应和稳定性问题。     

澄清容易混淆的数学概念

在学习数学的过程中经常会遇到很多数学概念,若对这些概念不理解,或一知半解,掌握不牢,要学好数学是十分困难的.只有理解概念,分清概念的本质属性和概念与概念之间的内在联系及其从属关系,才能为学好数学奠定坚实的基础.     

Hilbert重级数定理的一个改进

The object of this note is to prove the followingTheorem Let{a_n}and{b_n}be sequences of real numbers such that0<∑∑a_n~2<+∞and0<∑b_n~2<+∞.Then we have the inequalitysum from m=1 to∞sum from n=1 to∞a_mb_n/m+n<{sum from n=1 to∞(π-θ/n~(1/2)a_n~2}~1/2{sum from n=1 to∞(π-θ/n~(1/2)b_n~2}~1/2 (1)whereθ=3/2~(1/2)-1=1.121320343.     

O′-β′复相Sialon陶瓷中相组成的控制

用Si₃N₄,SiO₂和Al₂O_?作原料,以Y₂O_?为添加剂,研究了O’-β’所在的四个相容性区中组成,于1400—1800℃之间,O’和β’的形成动力学。O’于1400℃开始生成,1600℃达到最大形成量。高于1600℃,O’减少乃至消失。研究发现,O’的这种不稳定性,并非自身热分解的结果。Al含量的增加,液相出现和β’的形成,才是导致O’-Sialon溶解而消失的原因。 此外,认为Si₃N₄-O’(x=0.3)-Y₂Si₂O₇-YAG相容性区,是在制备具有合理的O’-β’平衡相组成的复相陶瓷时,可供实际选用的组成区。     

高斯—约当约简法:简史

A.W.塔克[28]已经捕出:是测量学家W.约当(1842—1899)而不是数学家C.约当(1838—1922)介绍了线性方程的解系的高斯—约当法。有一种自然倾向认为此种方法是C.约当创造的,他是由于别的线性代数学的论题,约当标准型而被公认的。回忆在高斯的消除法里,用行运算使系数矩变成一个较高的三角形矩阵。于是在简化系统中,从最后方程式开始求解,经过回代就可得出结果。在高斯一约当约简中,一连串运算是用来使系数矩阵变成三角形矩阵,这样答案就可以直接读出来。这篇文章是有关W.约当和他的方法的介绍。     

超轻多孔金属的进展与物理学

简述了超轻多孔金属的结构、性能,研究从材料范畴发展为物理学范畴.发展的新趋势为,将国家高技术目标需求与科学前沿相结合,将认识与实践相结合.     

Scanning tunnelling microscope studies of growth of RuO2（110） thin layer on Ru（0001）

This paper reports that the growth of RuO_x(110) thin layer growth on Ru(0001) has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM images showed a domain structure with three rotational domains of RuO_x(110) rotated by an angle of 120℃. The as-grown RuO_x(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated RuO_x(110) due to the large mismatch between RuO_x(110) and the Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuO_x(110) thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuO_x(110).