DMSO对籼稻广陆矮4号种子愈伤组织诱导、再分化和过氧化物酶同工酶谱的影响

本文以二甲亚砜(dimethylsulfoxide,DMSO)作为外源因素研究其对培养的植物外植体的影响。 材料与方法 籼稻广陆矮4号(Oryza Satira L.Subsp.Indica CV.Guangluai 4)种子.1.1％DMSO预处理:去壳种子经酒精表面消毒后,浸于1％DMSO水溶液中,在25—30℃振荡培养6,12,24小时,并以不经DMSO溶液浸种的种子为对照。2.诱导培养基:N6,加蔗糖3％,2.4-D3mg/l,KT0.5mg/l,pH5.8。分化培养基:MS,加蔗糖3％,NAA0.5mg/l,KT10mg/l,水解乳蛋白500mg/l,pH5.8。培养条件:25±1℃,光照培养。接种9—10天后,统计愈伤组织诱导率,转入分化培养后15天统计分化率。3.过氧化物酶同工酶凝胶电泳:按照方国伟等的方法进行。     

构造正交小波基的基本方法之一

本文不仅给出一种构造局部性好的正交小波基的方法,并且给出了构造各种优良性质的正交小波基的一般思想方法。其特点:使构造的小波母函数有具体的表达式,既有较好的光滑性,又有很好的局部性,并且其收敛速度与│t│~（-（3k 1））同阶,其中k为任意自然数。这种方法不需要每次重新构造函数,只要改变k的值,就能满足不同实际问题的需要。     

关于圆锥曲线的相似

关于圆锥曲线的相似梁伍德（北京市第二十二中学１００００７）我们知道什么叫做三角形相似，什么叫做多边形相似，那么什么叫做两个椭圆相似，或更一般地，什么叫做两条圆锥曲线相似呢？为此，我们先看一看两个图形相似的定义．如果图形Ｆ与Ｆ＇上的所有点构成的集合之间...     

脉冲管制冷研究进展

简要介绍了脉冲管制冷机的产生和发展，特别是近年来取得的突破性进展，揭示了脉冲管制冷原理，并且指出了脉冲管制冷机的应用前景。     

铌的极谱催化波——Ⅱ.铌(Ⅴ)—氯酸钾—EDTA体系

在弱酸性的EDTA介質中,铌(Ⅴ)在滴汞电极上还原时,出現两个极譜波。当有氯酸钾存在时,則产生催化电流;其第一个催化波波形良好,宜作測量之用。在0.01M EDTA、0.50M氯酸鉀、pH2.9的实驗条件下,铌濃度为1×10~(-6)—1×10~(-4)M区間,催化电流与铌濃度成直綫关系。少量的钛(Ⅳ)、钨(Ⅵ)、鈾(Ⅵ)、钍存在时,不干扰铌的测定。催化电流的产生系铌(Ⅴ)还原为铌(Ⅳ)后,被氯酸鉀氧化而再生五价铌所致。經测得化学反应的速率常数为1.59×10~3升/克分子·秒(25℃)。     

一类二阶非线性微分方程解的渐近性状

引言本文研究二阶非线性方程的解之渐近性状——有界性、单调性、振动性和振动解振幅的性质.关于线性方程+p(t)x=0的上述性质之研究,已经有许多工作(见书[1,2]).关于非线性方程     

鑭系元素、鈧与釷之纸层析分离

本文报告乙酸甲酯作展开剂之改进和四氢呋喃作展开剂时镧系元素、钪、钍、锆、钛和钒的单独和共存时的比移值,以及后者与温度的关系。此外,尚确定用四氢呋喃层析分离和茜素检出时,钍与希士元素之极限比为10~(-3),及钪和希土元素之极限比为10~(-1)。     

小麦幼苗叶片离体后若干生理生化性状的变化

为了有利于分析研究药壁、药隔在花粉去分化和愈伤组织形成中的作用,我们对与药壁组织起源相同的叶片(小麦幼苗叶片),进行了离体后若干生理生化性状变化的分析,共测定了18个项目,按其变化趋向,可以分为三类:(1)在叶片离体培养二天(48小时)后就出现明显的转折,如蒸腾强度和溶质渗出率;(2)在叶片离体培养后5天(120小时)或6天(144小时)出现明显的转折,如呼吸强度、鲜重、干重、含水量、全氮量、三氯醋酸可溶性氮、可溶性蛋白质等;(3)叶片离体培养一开始即出现变化,升高或降低,基本上直线进行,无明显转折,如以三氯醋酸不溶性氮为单位计算的呼吸强度、三氯醋酸不溶性氮、叶绿素a和b、胡萝卜和绿色素/黄色素比率等。这些变化结果表明,叶片的各个生理生化变化性状对离体影响的反应是不同的,在一定程度上反映了叶片不同的生理生化性状对根系的不同依赖性;也反映了离体叶片与离体花药的药壁、药隔相类似,经历着衰老死亡的过程,试验结果也表明:这种衰老过程在叶片离体2天就有所反映,在5—6天后全面反映出来了,而且,外植体各个部分是不同步的。由于离体叶片的酶蛋白受影响较缓慢,加之叶绿体、叶绿素潜力较大,故在离体初期,仍然能进行光合作用,积累干物质。鉴于离体花药的药壁、药隔变化具有离体后的衰老过程的特点,对花药培养研究方面提出了一些设想。     

分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high electron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10¹⁵-10¹⁷cm^-3和俘获截面(10^-16cm²)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧     

关于Pb208附近原子核的能谱(Ⅱ)——Bi208和Bi207

本文是“关于Pb²⁰⁸附近原子核的能谱(I)”的一个继续。对Bi²⁰⁸及Bi²⁰⁷计算的结果指出:实验与理论是十分符合的,从而再一次验证了独立粒子模型的观点及微扰方法在处理原子核能谱问题上的正确性。