Si对LaNi_5相关系与贮H_2性能的影响

本文用X射线多晶衍射方法和差热分析方法研究了LaNi_(5-x)Si_x(x≤1.25)的相关系,用排水取气法测量了样品的吸H_2性能,LaNi_5,的固溶体和新的三元化合物LaNi_4Si形成共晶体系,共晶温度1170℃,共晶点x=0.96,在单相区中LaNi_5,相点阵常数随Si替代量增加,a减小,c增大,三元化合物LaNi_4Si属正交晶系,点阵常数a=8.382,b=5.210,c=3.989。测量密度D_0=7.59g/cm~3,每单胞含两个化合式单位,可能的空间群为D_(2h)~5,C_(2v_~2和C_(2v)~4,它具有可逆的吸放H_2性能,吸H_2后形成氢化物LaNi_4SiH_3.6。La_(l-y)Si_yNi,系列样品吸H_2量随Si含量增加而很快下降,LaNi_(5-x)Si_x系列样品吸H_2量随Si含量的增加稍略下降,平台压力也下降,LaNi_(4.8)Si_(0.2)的生成自由能为476cal/mol H_2,固溶体氢化物的稳定性比LaNi_1高。     

LiIO3-NaIO3赝二元系相图及其非晶态晶化动力学的研究

本文对LiIOO₃-NaIO₃赝二元系的相图,相变,非晶态的形成和稳定性,以及晶化的动力学过程等进行了仔细的研究,LiIO₃-NaIO₃赝二元系属共晶体系,共晶温度为325℃,共晶点成份为含50m/o LiIO₃,用共晶点附近成份的试样,在超过熔点150℃的情况下首次获得碘酸盐的非晶态,非晶态的存在降低了LiIO₃的表观相变温度,强X射线的辐照,各种空气湿度,细粒度等因素都加 关键词：     

2LiIO3·HIO3的晶体结构与相变

本文用差热分析、热失重以及X射线衍射等方法,对LiIO₃·HIO₃二元系的相平衡进行了研究,观察了以α-LiIO₃为基的固溶体和以2LiIO₃·HIO₃为基的固溶体的热学性质和晶体结构。2LiIO₃·HIO₃属六方晶系,空间群为P6₃,是α-LiIO₃的同晶型结构。20℃的点阵常数为:α=5.555?,c=4. 关键词：     

Structure and visible photoluminescence of Sm3+, Dy3+ and Tm3+ doped c-axis oriented AlN films

Visible photoluminescence (PL) has been observed from rare earth (Tm, Sm and Dy)-doped AlN films grown by radio-frequency magnetron reactive sputtering. X-ray diffraction indicates that the films are c-axis-oriented hexagonal wurtzite type structure with an average crystal size of about 80--110nm. Room-temperature PL spectra indicate that the blue emission is due to the transition of ¹D₂ to ³F₄ and ¹G₂ to ³H₆ intra 4f electron of Tm³⁺, the yellow emissions of AlN:Sm are due to ⁴G_5/2 to the ⁶H_J (J = 5/2, 7/2, 9/2, 11/2) and the reddish emissions of AlN:Dy correspond to the ⁴F_9/2 to ⁶H_J (J = 15/2, 13/2, 11/2 and 9/2) and ⁶F_11/2 transitions.     

赝二元固溶体TbGa1-xGex(0≤x≤0.4)的结构与磁性

采用电弧熔炼法在高纯氩气保护下合成了一系列TbGa1-xGex(0≤x≤0.4)样品.X射线粉末衍射数据表明,样品均为正交晶系的CrB型结构,空间群为Cmcm.TbGa1-xGex化合物的晶格常数随Ge含量的增加而线性减小,TbGa和TbGe赝二元系在0≤x≤0.4范围内形成固溶体.化合物的顺磁居里温度以及有效磁矩由热磁测量结果确定.相变温度由交流磁化率的测量获得.随Ge含量的增加,化合物的相变温度单调下降.变温X射线粉末衍射实验表明,x=0.2和0.3的样品在110-273 K范围内无结构相变.     

La0.1Bi0.9-xEuxFeO3化合物的结构与性能研究

利用固相反应烧结技术制备La_0.1Bi_0.9-xEu_xFeO₃系列化合物. 利用X射线粉末衍射进行物相鉴定和结构分析,确定了材料的相关系：x≤0.05,材料为R3c结构相;0.08≤x≤0.12,材料为赝R3c结构相;x≥0.15是Pbnm相,其中0.15≤x≤0.20区域Pbnm相存在畸变. 磁测量结果表明,材料具有弱铁磁性,对于x≤0.20材料,磁矩在x=0.12成分存在极值. 利用阻抗分析仪测量了室温介电常数随成分的变化关系.讨论了材料的结构与弱铁磁性和室温介电常数间的关系. 关键词： 0.1Bi_0.9-xEu_xFeO₃')" href="#">La_0.1Bi_0.9-xEu_xFeO₃ X射线衍射 磁性 介电常数