排序方式： 共有67条查询结果，搜索用时 31 毫秒
41.
提出并证明了等效电路中含有Warburg阻抗的电化学交流阻抗复数平面图和电容复数平面图上相似图形等效电路的变换规则 .推而广之 ,对任意包含有Warburg阻抗或其变换的等效电路 ,有着同样的变换规则 .应用此规则 ,可以将在一个复数平面图上的研究结果直接用到另一个复数平面图上 ,因此 ,变换规则是一种颇为有用的电化学交流阻抗研究的手段 . 相似文献
42.
43.
本文用 X 射线衍射和 X 射线光电子能谱法研究了用浸渍法制取的 ZnO/γ-Al_2O_3样品。实验表明,ZnO 极易与γ-Al_2O_3发生固相反应,经240℃烘烤就可以观察到反应的进行。样品的结构和形态依其组成和焙烧条件而异。氧化锌含量较低的样品由缺锌铝酸锌构成,基表相 Zn 浓度取决于样品组成和焙烧温度。氧化锌含量较高的样品分两种情况:低温焙烧的样品由 Zn_xAl_2O_(3 x)(x<1)和晶相 ZnO 构成;高温焙烧的样品可生成化学计量比的 ZnAl_2O_4,其上还单层分散着一层 ZnO。仅当 ZnO/ZnAl_2O_4中ZnO 的含量超过此分散量时,才有晶相 ZnO 析出。 相似文献
44.
本文以XPS为检测手段研究了浸渍法制备的MoO_3/γ-Al_2O_3、MoO_3/TiO_2和MoO_3/SiO_2三个系列样品的还原性质。用XPS测定还原后与还原前强度比的比值,实验结果表明阈值后的样品还原后强度比急剧增大,说明晶相MoO_3从内孔向颗粒外表面大幅度迁移。而单层MoO_3的性质却各不相同,TiO_2上的单层MoO_3还原后部分凝聚,SiO_2上单层则部分迁移,而γ-Al_2O_3上的单层MoO_3既不迁移也不凝聚,亦即单层MoO_3的稳定性是Mo(Al)>Mo(Ti)>Mo(Si)。这也是MoO_3与这三个载体表面作用力强弱的顺序。用计算机对Mo3d谱峰解叠,结果表明,几乎所有样品还原后都只含有四价和五价钼。Mo(Al)和Mo(Si)体系还原后Mo~Ⅳ的百分数随负载量的增大而增大。我们认为反映了两种载体表面区域的不均匀性。Mo(Ti)体系还原后Mo~Ⅳ百分数在阈值附近出现转折点,阈值前各点还原性质相同,说明在应用还原为探测手段时,TiO_2表面表现为均匀的。以Mo~(Ⅳ)百分数衡量时,三个体系的还原性为Mo(Al)相似文献
45.
46.
47.
48.
将纳米级酞菁氧钒分散于聚碳酸酯成膜剂中，成功研制了一类性能优良的单层 结构有机光受体．实验结果表明此类光受体随着酞菁氧钒在聚碳酸酯中含量的变化 ，其灵敏度、暗衰、饱和电位及残余电位出现规律性变化．控制酞菁氧钒在聚碳酸 酯中的含量可使此类光受体表现出优良的电荷保持能力，并在可见至近红外光谱范 围内具有高灵敏度、低暗衰和低残留电位，当酞菁氧钒含量为32时，光受体的光衰 灵敏度（曝光波长780nm,光强1、17uW),E1/2=1.13uL/cm^3,E1/5=1.21uJ/cm^2,充 电电位V0=623V，暗衰DD=24.5V/s，残余电位VR=12V。 相似文献
49.
用XPS, SSIMS, ISS研究了CuCl在γ-Al_2O_3上的分散状态。结果指出: CuCl在γ-Al_2O_3表面呈单层分散, 用XPS得出的I_Cu/I_Al强度比与总CuCl含量曲线的转折点同XRD外推法得到的最大单层分散量相近。Cu 2p3/2光电子结合能随样品中CuCl浓度的增加而下降, 分散后的CuCl与纯CuCl在价带谱上有明显不同。ISS研究表明, CuCl/γ-Al_2O_3上单层分散的Cu~+对He~+的散射峰比纯CuCl高11 eV, 这些结果说明CuCl与γ-Al_2O_3表面有较强的相互作用。分散后CuCl的Auger峰变宽可由γ-Al_2O_3表面的不均匀性解释。 相似文献
50.