我为高考设计题目

题83已知数列{an}为等差数列,数列{bn}为等比数列.(1)若a1+a2+a3=-12,b1·b2·b3=27,且a1+b1,a2+b2,a3+b3是各项均为正整数的等比数列的前3项,求数列{an},{bn}的通项;     

稀掺杂GaNxAs1－x(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究

利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaN_xAs_1-x薄膜，并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN_0.005As_0.995和GaN_0.01As_0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E₁+Δ₁+Δ_N.当N掺杂浓度达到 关键词： 压电调制反射光谱(PzR) xAs_1-x薄膜')" href="#">GaN_xAs_1-x薄膜 分子束外延(MBE)     

应力导致InAs/In0.15Ga0.85As量子点结构中 In0.15Ga0.85As阱层的合金分解效应研究

利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAs DWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到了极大的优化.基于有效质量近似的数值计算结果表明:量子点后生长过程中应力导致In0.15Ga0.85As阱层合金分解机理是导致量子点尺寸和光学性质得到优化的主要原因.     

激光诱导等离子体碘甲烷裂解动力学过程

采用色散荧光谱和时间分辨光谱方法,研究了532 nm强激光场诱导等离子体作用下碘甲烷分解动力学过程.通过对所得色散荧光谱归属,确定了碘甲烷分解的主要荧光产物粒子:CH3I 、CH3、CH2、CH、C、H、C 、C2 、I 、I2 ;通过时间分辨光谱分析,讨论了荧光产物粒子的形成动力学机理,归结出了碘甲烷分解所经历的主要过程为"共振多光子激发电→CH3I 解离→库仑爆炸脱氢→电子碰撞激发或电离→次级碰撞电离"的物理过程.所得结果将对其他多原子分子的强激光场作用下激光诱导等离子体分解动力学过程的研究具有参考价值.     

长方体的妙用

长方体是一个很基本的多面体,所含的线线,线面,面面的位置关系的内容十分丰富,数学中的有些问题,如果用常规法去求,将难以求出或十分繁琐,甚感“山穷水复疑无路”,但如果能构造长方体去求,将会把问题化难为易,化繁为简,从而“柳暗花明又一村”了。     

非线性分数微分方程边值问题正解的存在性(英文)

In this paper,we study a Dirichlet-type boundary value problem（BVP） of nonlinear fractional differential equation with an order α∈(3,4],where the fractional derivative D^α_o⁺is the standard Riemann-Liouville fractional derivative.By constructing the Green function and investigating its properties,we obtain some criteria for the existence of one positive solution and two positive solutions for the above BVP.The Krasnosel’skii fixedpoint theorem in cones is used here.We also give an example to illustrate the applicability of our results.     

具有输入时滞的时滞关联不确定系统的鲁棒分散控制

研究了一类同时具有输入时滞以及不确定参数的时滞关联大系统的稳定性问题.基于所谓的还原法,给出一种新的状态反馈控制器的设计方法,这种方法的不同之处在于利用了时延的大小以及反馈控制的历史信息.根据Lyapunov稳定性理论得到了系统在控制器作用下稳定的充分条件,所有条件都化成可解的标准LMIs(Linear matrix inequalities)形式.文章最后给出了一个数值例子说明本文结果的可行性.     

半化学法制备Pb(Fe2/3W1/3)O3陶瓷粉体的反应机理

铅系弛豫铁电陶瓷钨铁酸铅Pb(Fe2/3W1/3)O3(PFW)是一种重要的介电材料,具有较大的介电常数(8000)和较低的烧结温度(小于900℃),适用于制备低烧高介的多层陶瓷电容器犤1～4犦。在传统氧化物法合成PFW的过程中,易生成恶化介电性能的钨酸铅(PbWO4或Pb2WO5)或焦绿石相(Pb2FeWO6)等其他相犤3,4犦。尽管通过加入过量5%的Fe2O3可以消除这些其他相,但因含较多的变价铁离子(Fe3+和Fe2+)而产生介电老化的缺点犤5犦。虽然二次合成法被广泛用于制备铅系弛豫铁电陶瓷犤6犦,但对制备PFW陶瓷的效果并不明显,仍有少量的钨酸铅PbWO4存在,并且预烧…     

苯乙烯,丙烯腈在炭黑表面的阴离子接枝聚合

反应型炭黑;苯乙烯;丙烯腈在炭黑表面的阴离子接枝聚合