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331.
采用自由基引发剂偶氮二异丁腈(AIBN)作为功能改性剂, 通过AIBN分解产生的异丁腈自由基进攻氧化石墨烯上五元环与七元环的缺陷点, 形成氰基改性氧化石墨烯中间体, 再通过水解反应制得羧基化氧化石墨烯[GeneO-C(CH3)2-COOH]纳米材料. 采用傅里叶变换红外光谱(FTIR), X射线衍射(XRD), 热重分析(TGA)和原子力显微镜(AFM)等方法对合成的材料进行了表征, 并采用复钙时间测试考察了材料的血液相容性. 研究结果表明, 氧化石墨烯中羧基的含量可以通过调整AIBN和GeneO的投料比来控制. 本方法不但可提高氧化石墨烯的羧基含量, 而且可使其具有良好的血液相容性. 相似文献
332.
333.
A non-Markov ratchet model of molecular motors:processive movement of single-headed kinesin KIF1A
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A fluctuating ratchet model of non-Markov process is presented to describe the processive movement of molecular motors of single-headed kinesin KIF1A,where the fluctuation perturbation to the local potential is introduced and the detailed ATPase pathway of the motor is included. The theoretical results show good quantitative agreement with the previous experimental ones. 相似文献
334.
335.
苹果花期的冠层高光谱特征研究 总被引:3,自引:0,他引:3
系统分析苹果花期冠层高光谱特征,探明其敏感光谱波段,为大面积苹果树信息提取与营养状况的遥感反演等提供理论依据。利用ASD Field Spec 3便携式地物光谱仪实测的120个苹果花期的冠层高光谱数据,在分析了不同累计样本容量对花期冠层高光谱特征影响的基础上,采用方差分析的方法,明确了苹果花期的冠层高光谱特征及反映花期冠层高光谱的敏感波段。结果表明,随着累计样本容量的增加,苹果花期的高光谱曲线趋于稳定、平滑。在550 nm绿峰处和760~1 300 nm的反射高原区,反射率随着花量的增多而减小,在670 nm的红谷处,反射率随着花量的增多而增大;在350~400 nm,400~500 nm,600~680 nm,760~1 300 nm波段的方差分析结果极显著,是反映花期冠层光谱的敏感波段;随着花量的增多,红边位置、红边斜率和红边面积有逐渐减小的趋势。 相似文献
336.
利用高光谱植被指数估测苹果树冠层叶绿素含量 总被引:8,自引:0,他引:8
叶绿素含量是反映植物生长状况的重要参数。利用ASD FieldSpec 3光谱仪,测定春梢停止生长期苹果冠层高光谱反射率,对原始光谱进行微分变换,与苹果叶绿素含量进行相关分析确定敏感波段,通过分析敏感区域400~1 350 nm范围内所有两波段组合的植被指数,选择最佳植被指数并建立苹果冠层叶绿素含量估测模型。结果表明:(1)苹果冠层叶绿素含量的敏感波段区域为400~1 350 nm。(2)利用筛选得到的植被指数CCI(D794/D763)构建的估测模型能较好的估测苹果冠层叶绿素含量。(3)以CCI(D794/D763)指数为自变量的估测模型CCC=6.409+1.89R3+1.587R2-7.779R预测效果最佳。因此,利用高光谱技术能够较快速、精确的对苹果冠层叶绿素含量进行定量化反演,为苹果长势的遥感监测提供理论依据。 相似文献
337.
环境脆弱性定量遥感研究,可以为环境脆弱性研究提供稳定的数据源支撑。通过遥感反演获取区域环境脆弱性的空间分布。从土壤和植被角度, 构建了环境脆弱性综合评价指标体系, 采用AHP-模糊评判方法计算采样点环境脆弱度,并将其分别与样点ETM+光谱反射率及其转换数据的相关关系进行分析,确定其敏感波段, 在此基础上,采用传统回归方法、基于BP人工神经网络分析方法和支持向量机回归方法建立环境脆弱度的光谱反演模型,并采用该模型对研究区的环境脆弱度进行反演,得到环境脆弱性度时空分布图。结果表明, 返青期NDVI、九月份NDVI以及返青期的亮度分量是环境脆弱度的ETM+敏感光谱参数,模型精度比较结果显示,除了支持向量机模型外,其他模型都达到了显著水平,其中以BP神经网络模型的精度最高,传统回归模型也可满足预测需要,但多元回归的模拟精度要高于一元回归模型。研究结果可为大空间尺度的卫星水平环境脆弱性遥感反演提供理论支持。 相似文献
338.
运用分子动力学仿真模拟高速磨削下单颗金刚石磨粒切削单晶硅的过程,通过分析切屑、相变、位错运动并结合工件表面积的演变规律研究磨削速度对亚表层损伤和磨削表面完整性的影响.仿真结果显示:磨削速度的增大会加剧磨粒前端材料的堆积,超过200 m/s后增加不再明显.而加工区域的平均温度通过原子之间的挤压和摩擦会不断增大.在磨削温度、磨削力以及粘附效应的相互作用下,摩擦系数先增大后减小.晶格的变形、晶格重构和非晶相变导致切屑形成过程中的磨削力剧烈波动.研究结果表明:在加工脆性材料单晶硅过程中,随着磨削速度的升高亚表层损伤厚度先减小后增大.当磨削速度低于150 m/s时,随着磨削速度的升高,磨粒下方的原子晶格重新排列的时间缩短,非晶结构的产生减少,亚表层损伤厚度减小.当磨削速度超过150 m/s时,加工区域中的高温成为主导因素促进位错的成核、运动致使亚表层损伤厚度增大. 相似文献
339.
340.
本文提出:在初级课程中,讲授由法拉第定律所给出的静止电路中感生电动势的起源时,如果把重点放在随时间变化的磁场所生的感生电场的几何学上,而不放在此电场沿一闭合途径的线积分上,或沿此途径的电动势上,对初学的学生可能更清楚些。如果把法拉第定律写成∮E·ds=-φ,而不写成(?)=-φ的形式,则该定律就可以有与安培定律∮B·ds==μ_0I相同的形式,而两个定律都简单地变成麦克斯韦方程curlE=-B,curlH=J D的积分形式。能够清楚地了解随时间变化的磁场所生的感生电场的本性是重要的,这一点就是对初级的学生也似乎不须要再着重指出,但是在很多 相似文献