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Characterization of low-resistance ohmic contacts to heavily carbon-doped n-type InGaAsBi films treated by rapid thermal annealing 下载免费PDF全文
Carbon-doped In Ga As Bi films on In P:Fe(100)substrates have been grown by gas source molecular beam epitaxy(GSMBE).The electrical properties and non-alloyed Ti/Pt/Au contact resistance of n-type carbon-doped In Ga As Bi films were characterized by Van der Pauw-Hall measurement and transmission line method(TLM)with and without rapid thermal annealing(RTA).It was found that the specific contact resistance decreases gradually with the increase of carrier concentration.The electron concentration exhibits a sharp increase,and the specific contact resistance shows a noticeable reduction after RTA.With RTA,the In Ga As Bi film grown under CBr4 supply pressure of 0.18 Torr exhibited a high electron concentration of 1.6×1021 cm-3 and achieved an ultra-low specific contact resistance of 1×10-8Ω·cm2,revealing that contact resistance depends greatly on the tunneling effect. 相似文献
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5-[(3,5-二溴-2-吡啶)偶氮]-2,4-二氨基甲苯对铜和钴是高灵敏度和高选择性试剂,其单晶系P21/n空间群,晶胞参数α=11.477(5)Å、b=15.642(6)Å、c=8.311(4)Å、β=110.54(4)°,每个晶胞中有4个分子。 相似文献
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通过在重掺硼硅(p+-Si)衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800℃热处理形成SnO2/p+-Si异质结.基于该异质结的器件可在低电压(电流)驱动下电致发光.进一步地,通过在SnO2薄膜上增加TiO2盖层,使器件的电致发光获得显著增强.这是由于TiO2盖层的引入,一方面使SnO2薄膜更加致密,减少了非辐射复合中心;另一方面TiO2较大的折射率和合适的厚度使SnO2薄膜电致发光的出光效率得到提高. 相似文献
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两步法处理高含量甲基酚废水的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用两步法处理高浓度的含酚废水,首先用金属离子沉淀酚类化合物,通过比较多种金属离子的沉淀效果,发现Ba^2+离子处理的效果最好,经Ba^2+离子处理后,酚含量去除率约85%,使高含量甲基酚废水变为低含量甲基酚废水,然后再用H-107吸附树脂处理,发现通过44BV的经沉淀的废水后才出现酚泄漏现象,本文详细报道了上述两步法处理舒酚废水的过程。 相似文献
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310.