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51.
介绍了几种常见的硫系薄膜制备方法, 根据现有实验条件采用热蒸发法和磁控溅射法制备出Ge-Sb-Se三元体系硫系薄膜, 通过台阶仪测试薄膜的厚度和表面粗糙度, 计算出两种制备方法的成膜速率, 并通过X射线光电子能谱测试了两种制备方法所得薄膜与块体靶材组分的差别. 利用Z扫描技术和分光光度计测试了热蒸发法制备所得薄膜的三阶非线性性能和透过光谱, 计算出非线性折射率、非线性吸收系数和薄膜厚度等参数. 结果表明热蒸发法制备Ge-Sb-Se薄膜具有良好的物理结构和光学特性, 在集成光学器件方面很高的应用潜力. 相似文献
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53.
54.
55.
C60/PMMA复合材料的反饱和吸收与光限幅特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报导C60/PMMA复合材料的制备方法,并采用调QNd:YAG倍频脉冲激光照射C60/PMMA夏合材料,研究了其反饱和吸收与光限幅将性。在线性透射率为46%条件下,光限幅阈值能量密度为65mJ/cm2,材料破坏能量密度阈值为600mJ/cm2.与C60甲苯溶液相比具有一定的优点。 相似文献
56.
应用五能级模型计算了C60/PMMA的激发态吸收光限幅特性;采用调Q倍频Nd:YAG脉冲激光测量了C60/PMMA的激发态吸收光限幅效应。理论和实验结果基本符合。 相似文献
57.
This paper presents systematically the doping effects of halogens in YBa2Cu3O7-δ polycrystalline samples, with a series of concentrations of fluorine, chlorine, bromine or iodine. All samples were prepared by chemical method of citrate pyrolysis, which makes the halogen concentration in the samples more uniform. Samples doped with F have Tc as high as 94.5K, Cl, Br and I dopings also raise Tc to a certain extent. In addition, the influence of halogen doping on critical current density, morphology, constitution and so forth is discussed. 相似文献
58.
59.
Let A be a finite-dimensional algebra over arbitrary base field k. We prove: if the unbounded derived module category D-(Mod-A) admits symmetric recollement relative to unbounded derived module categories of two finite-dimensional k-algebras B and C:D- (Mod - B) D-(Mod - A) D-(Mod - C),then the unbounded derived module category D-(Mod - T(A)) admits symmetric recollement relative to the unbounded derived module categories of T(B) and T(C):D-(Mod - T(B)) D-(Mod - T(A)) D-(Mod -T(C)). 相似文献
60.
In this paper we prove the pathwise uniqueness of a kind of two-parameter Volterra type stochastic differential equations under the coefficients satisfy the nonLipschitz conditions. We use a martingale formula in stead of Itǒ formula, which leads to simplicity the process of proof and extends the result to unbounded coefficients case. 相似文献